**对比文件名称**：2011-11-17_US2011279662A_发明申请_US20110279662A1 Reflex Longitudinal Imaging Using Through Sensor Insonification
**目标专利名称**：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek-R1
根据目标专利说明书及权利要求，现对对比文件进行特征比对分析如下：
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A. 超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量，《直接公开》** | “...ultrasonic receiver array 2... The portion of the ultrasonic energy pulse that reflects back carries information... When the ultrasonic pulse arrives at the ultrasonic receiver array 2, it is converted by the detectors 11 to electric charges...” (段落[0024]) | 对比文件明确公开了超声接收器阵列（ultrasonic receiver array），其用于检测从手指反射回来的超声波能量（“reflected back”），该反射能量到达接收器阵列并被转换为电荷。这与目标专利中超声波接收器用于检测在其表面接收到的超声波能量的作用相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **B. 所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列，《直接公开》** | “...receiver array 2 may include an array 7 of piezoelectric detectors 11... An insulating substrate 8 may be associated with the receiver array 2.” (段落[0022]) | 对比文件公开了接收器阵列（receiver array 2）包含探测器阵列（array 7 of piezoelectric detectors 11）。并且，该阵列与绝缘衬底（insulating substrate 8）相关联。结合上下文，探测器阵列（即像素电路阵列）安置在衬底上是其实现功能的必然结构。这与目标专利中像素电路阵列安置在衬底上的作用相同，均是作为超声波接收器的基本结构。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **C. 其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上，《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件仅描述了接收器阵列包含压电探测器阵列，但完全没有提及该接收器阵列或压电层是如何制造的，特别是完全没有提及通过“将含有聚合物的溶液涂布到像素电路阵列上”这一特定制造步骤来形成接收器。目标专利中该技术特征是针对特定制造工艺的限定，对比文件对此没有公开。 |
| **D. 所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极，《隐含公开》** | “...the detectors 11 of the array may also each be a thin film transistor device...”（段落[0022]） | 对比文件明确指出阵列中的每个探测器（detector）可以是薄膜晶体管（TFT）器件。虽然未明确使用“像素输入电极”这一术语，但为了实现将压电传感层（piezoelectric sensing layer，见段落[0015]）检测到的电荷信号传递给TFT器件进行读取和处理，每个TFT像素电路必然需要有一个电连接点或电极来接收该电荷，这个电连接点即相当于目标专利中的“像素输入电极”。本领域技术人员基于对TFT像素电路结构和功能的基本理解，能够合理推断出每个TFT像素电路必然包含用于电连接压电传感层的输入电极。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **E. 使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层，《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件没有提及接收器阵列中使用的压电材料（无论是聚合物还是陶瓷）的具体形成工艺，完全没有涉及“使聚合物结晶”这一工艺步骤。目标专利中该技术特征是关于压电层微观结构形成的特定工艺，对比文件对此没有公开。 |
| **F. 执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触，《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件虽然提到了接收器阵列具有“压电传感层”（piezoelectric sensing layer，见段落[0015]），但完全没有描述该压电层是如何形成的，特别是没有描述通过对结晶聚合物层施加电场进行“成极”的工艺。目标专利中该技术特征是形成功能性压电层的关键工艺步骤，对比文件对此没有公开。 |
| **G. 以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件，《隐含公开》** | “Since the piezoelectric device 6 may reside substantially in a plane, the wave generated by the device may emanate in a substantially planar fashion.” 以及关于压电发射器电极的描述：“metalized electrodes 5 attached to the piezoelectric device 6.” (段落[0019])。 注意：此电极是发射器的。对于接收器，对比文件未明确命名“接收器偏置电极”，但其描述了接收器阵列的功能是检测反射脉冲并将其转换为电荷（段落[0024]）。 | 对比文件在描述发射器时提到了附着在压电器件上的“金属化电极”（metalized electrodes），这公开了在压电层上设置电极的概念。对于接收器阵列，虽然未明确使用“接收器偏置电极”这一术语，但为了实现检测和控制信号的功能，接收器阵列的压电传感层通常需要设置一个公共电极（例如上电极）以施加偏置电压或收集电荷，从而控制信号向读出电路（如TFT）的传递。本领域技术人员基于超声波接收器阵列的常规结构和操作原理（例如，需要电场来操作压电材料或收集信号），能够合理推断出在接收器的压电层上需要设置一个用于控制信号的电极。因此，该特征被隐含公开。 |
| **H. 其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的，《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件没有描述像素输入电极的具体构成材料，完全没有提及“导电薄膜”。目标专利中该技术特征是对像素输入电极材料的具体限定，对比文件对此没有公开。 |
| **I. 其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上，《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件完全没有提及任何关于在涂布聚合物溶液之前或过程中使用“助粘剂”的工艺步骤。目标专利中该技术特征是制造工艺中的具体步骤，对比文件对此没有公开。 |
| **J. 其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液，《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件完全没有提及任何具体的涂布工艺或方法。目标专利中该技术特征是对涂布方式的具体列举，对比文件对此没有公开。 |
| **K. 其中所述聚合物包含铁电聚合物，《未公开》** | “The receiver array can be constructed from a number of suitable materials for receiving ultrasonic pulses. For example, the receiver array can be a thin film transistor array with a piezoelectric sensing layer...”（段落[0015]） 未具体说明压电传感层的材料是否为铁电聚合物。 | 对比文件仅一般性地提及接收器阵列可以包含压电传感层，但并未具体限定该压电层的材料组成，更没有明确指出其包含“铁电聚合物”。目标专利中该技术特征是对聚合物材料类型的具体限定，对比文件对此没有公开。 |
| **L. 其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时，《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件完全没有提及任何关于聚合物结晶工艺的具体温度参数（如居里温度、熔点）或具体的焙烤时间和条件。目标专利中该技术特征是非常具体的工艺参数限定，对比文件对此没有公开。 |
| **M. 其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地，《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件完全没有提及在执行任何类似“成极”的工艺之前，为了保护像素电路而采取的短路端子到接地的步骤。目标专利中该技术特征是制造工艺中的具体保护措施，对比文件对此没有公开。 |
| **N. 其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水，《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件完全没有提及“导电橡胶”或“导电墨水”这两种具体的导电材料。目标专利中该技术特征是对导电材料类型的具体限定，对比文件对此没有公开。 |
| **O. 其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层，《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件虽然提到了“金属化电极”（metalized electrodes），但完全没有描述该电极的具体层状结构，更没有提及包含“第一铜子层和第二镍子层”这样的特定多层结构。目标专利中该技术特征是对电极具体构成材料的限定，对比文件对此没有公开。 |
| **P. 其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚，《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件完全没有提及任何关于电极厚度的具体数值。目标专利中该技术特征是对电极各子层厚度的非常具体的数值限定，对比文件对此没有公开。 |
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