对比文件名称：2012-10-16_US8288776B_发明授权_US08288776B2 Hybrid electric device using piezoelectric polymer substrate
目标专利名称：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
根据目标专利说明书和权利要求，结合对比文件内容，现进行特征比对分析如下：
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：其包括：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量，《直接公开》** | [0060]段：“...a vibration-generating device (or vibration-sensing device) 8c may be additionally formed on the PVDF substrate... The vibration-generating device (or vibration-sensing device) 8c can be used as a device for ... sensing sound or vibration generated from the outside by applying the AC voltage to ITO electrodes...” | 对比文件明确公开了振动传感设备（vibration-sensing device），该设备利用PVDF基板的压电特性来感测外部产生的声音或振动。超声波是声波/振动的一种形式，本领域技术人员能够毫无疑义地理解，该振动传感设备可用于检测在其表面接收到的超声波能量，其作用与目标专利中接收器检测超声波能量的作用相同。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **B：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列，《未公开》** | [0060]段：“...a vibration-generating device (or vibration-sensing device) 8c may be additionally formed on the PVDF substrate...”。对比文件描述了在柔性PVDF基板上形成显示、存储、振动传感等多个器件，并形成微电极图案（如[0094]段），但未提及这些器件由“像素电路的阵列”构成。 | 对比文件公开了在压电聚合物基板上集成多功能器件，并形成了用于各器件的电极图案。然而，对比文件自始至终未描述任何器件包含“像素电路的阵列”，特别是未提及由多个独立寻址的像素单元构成的阵列。其显示器件、存储器件是作为整体功能层描述的，而非像素化阵列。因此，本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含地得出超声波接收器包含“安置在衬底上的像素电路的阵列”这一技术特征。 |
| **C：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上，《未公开》** | [0117]段：“...a PKV thin film containing the nano-particles are stacked on the lower electrode through a process in which the PKV solution is uniformly deposited on the lower electrode patterned on the substrate using a spin coating apparatus...” | 对比文件在描述存储器件制造时，公开了将含有纳米颗粒的PKV（一种聚合物）溶液通过旋涂（spin coating）沉积在已图案化的下电极上。然而，该涂布操作的对象是用于存储器件的“下电极”，而非目标专利中作为接收器核心结构的“像素电路的阵列”。两者涂布的基础结构完全不同。因此，对比文件未公开将聚合物溶液涂布到像素电路阵列上这一特定制造步骤。 |
| **D：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极，《未公开》** | 对比文件全文未提及“薄膜晶体管(TFT)”、“像素电路”或“像素输入电极”。 | 对比文件描述的是在压电聚合物基板上集成显示、存储、振动传感等宏观功能器件，其器件结构基于电极、功能层（如发光层、导电聚合物层）的堆叠。文件中完全没有涉及任何基于TFT的像素化电路结构，更没有“像素输入电极”的概念。因此，该技术特征未被公开。 |
| **E：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层，《未公开》** | 对比文件未提及对涂布的聚合物进行“结晶”处理的步骤。 | 对比文件虽然使用了PVDF作为压电聚合物基板，并在制造存储器件时涂布了PKV聚合物溶液，但仅描述了沉积过程（如旋涂），并未描述任何后续的“使聚合物结晶”的工艺步骤。目标专利中形成压电层的关键步骤“结晶”在对比文件中完全没有记载。因此，该技术特征未被公开。 |
| **F：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触，《未公开》** | [0060]段：“...a PVDF substrate can be used which is subjected to mechanical poling under an electric field after stretched...”。 | 对比文件提及了PVDF基板在拉伸后需要在电场下进行“极化(poling)”以实现其压电特性。这属于对预制好的PVDF基板本身的极化处理。然而，目标专利的“成极工艺”是针对涂布并结晶后形成的“结晶聚合物层”施加电场，以使其形成压电层，并且该压电层需要与“像素输入电极”电接触。对比文件既未公开“结晶聚合物层”，也未公开“像素输入电极”，更没有公开在特定结构上执行这种成极工艺。因此，该技术特征未被公开。 |
| **G：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。《未公开》** | [0060]段：“...by applying the AC voltage to ITO electrodes 2a and 2b in a state where the ITO electrodes 2a and 2b are formed both surfaces of the PVDF substrate 8c as a piezoelectric polymer substrate, respectively.” | 对比文件公开了在PVDF基板的两面形成ITO电极，用于向振动传感/发生器件施加电压。这些电极可以视为偏置电极。但是，目标专利的“接收器偏置电极”是“沉积在所述压电层上”，并且其作用是“控制相应信号被传递至所述TFT元件”。对比文件中的电极是直接形成在PVDF基板（相当于压电层本身）上的，而非沉积在独立形成的压电层之上，且其控制信号传递的对象是宏观的振动传感器件，而非像素化的TFT元件。因此，该技术特征未被公开。 |
| **H：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。《未公开》** | [0066]段：“...for example, an indium tin oxide (ITO) is deposited on the substrate 1 by means of vacuum vapor deposition to thereby form an ITO electrode thin film.” | 对比文件公开了通过真空沉积形成ITO电极薄膜。这属于“导电薄膜”。然而，该电极薄膜在对比文件中用作显示、存储或振动器件的电极，并非目标专利中所定义的、属于像素电路一部分的“像素输入电极”。由于对比文件未公开“像素电路”及“像素输入电极”，因此该导电薄膜的形成也就不能等同于公开了技术特征H。 |
| **I：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。《未公开》** | 对比文件全文未提及“助粘剂（adhesion promoter）”的使用。 | 目标专利中为提高聚合物溶液与像素电路阵列的结合力而使用助粘剂（如HMDS）的步骤，在对比文件的任何工艺描述中均未出现。因此，该技术特征未被公开。 |
| **J：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。《直接公开》** | [0117]段：“...using a spin coating apparatus, is coated on the surface of a selected region on the lower electrode using an inkjet printer...” | 对比文件在描述存储器件的聚合物层形成时，明确提到了使用旋涂（spin coating）和喷墨打印（inkjet printing，可视为一种施配或喷射方式）来涂布含有聚合物的溶液。这与目标专利中列举的涂布方式（旋涂、施配、喷射）实质相同。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **K：其中所述聚合物包含铁电聚合物。《直接公开》** | [0060]段：“In the present invention, as the flexible piezoelectric polymer substrate 1, a PVDF substrate can be used...”。 [0041]段提及PVDF是一种压电聚合物。 | 聚偏二氟乙烯（PVDF）是本领域公知的铁电聚合物。对比文件明确将PVDF作为其压电聚合物基板的核心材料使用。因此，对比文件直接公开了使用铁电聚合物（PVDF）。 |
| **L：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。《未公开》** | 对比文件未提及PVDF或PKV等聚合物的“居里温度”、“熔点”等特性参数，也未描述通过在其居里温度与熔点之间焙烤来使聚合物结晶的工艺。 | 对比文件虽然使用了PVDF基板，但并未描述其制造过程中涉及对聚合物进行特定温度下的焙烤以实现结晶的步骤。该结晶工艺是目标专利形成高性能压电层的关键，在对比文件中完全没有教导。因此，该技术特征未被公开。 |
| **M：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。《未公开》** | 对比文件全文未提及在极化（成极）工艺之前，将任何电路的端子用导电材料短路到接地的步骤。 | 目标专利中为保护TFT元件在强电场成极时免受损害而采取的防护措施（短路端子到地），在对比文件的器件制造工艺中没有任何记载。因此，该技术特征未被公开。 |
| **N：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。《未公开》** | 对比文件未提及使用“导电橡胶”或“导电墨水”作为材料。 | 由于技术特征M未被公开，其具体的材料选择（导电橡胶或导电墨水）自然也无从谈起。对比文件中未出现这些特定材料。 |
| **O：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。《未公开》** | 对比文件未描述接收器偏置电极具有多层结构，更未具体公开包含铜子层和镍子层。 | 对比文件中提到的电极材料主要是ITO、Al等，并未提及由铜和镍构成的特定双层结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **P：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。《未公开》** | 对比文件未公开任何电极具有150埃厚的铜层和850埃厚的镍层这样的具体厚度参数。 | 该技术特征是极其具体的尺寸限定，对比文件中完全没有相关记载。因此，未被公开。 |
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