本次调用的模型名称：DeepSeek最新版本模型。
**特征比对表格**
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量，《直接公开》 | [0004] 上記ＴＦＴアレイには、複数の受信器要素を備えた受信器が堆積されており、受信信号を受信する。<br>[0004] 所述TFT阵列上沉积有包含多个接收器元件的接收器，接收接收信号。 | 对比文件[0004]段明确记载了接收器（受信器）用于接收反射的超声波信号，即检测超声波能量。该接收器是超声波接触成像单元的一部分，其作用与目标专利中超声波接收器的作用相同，都是用于检测超声波能量。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B：** 所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列，《直接公开》 | [2] 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイが、基板に堆積されている。<br>[2] 薄膜晶体管（TFT）阵列沉积在基板上。<br>[2] 上記アレイは、複数の個々のＴＦＴ画素およびそれらに関連した電極を含んでいてもよい。<br>[2] 所述阵列可包含多个单独的TFT像素以及与其相关的电极。 | 对比文件明确公开了TFT阵列（即像素电路阵列）安置（堆積）在基板（衬底）上。其作用同样是构成接收器的传感阵列，与目标专利中的作用相同。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C：** 其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上，《隐含公开》 | [2] 受信器２２０は、ＴＦＴアレイ２２５に堆積され、受信信号を受信する。... ポリマー受信器は、フッ化ポリビニリデン（ＰＶＤＦ）、フッ化ポリビニリデン‐トリフロロエチレン（ＰＶＤＦ‐ＴｒＦＥ）、圧電変換器（ＰＺＴ）、または、静電型変換器のうちの１つから形成されていてもよい。<br>[2] 接收器220沉积在TFT阵列225上，接收接收信号。... 聚合物接收器可以由聚偏二氟乙烯（PVDF）、聚偏二氟乙烯-三氟乙烯（PVDF-TrFE）、压电转换器（PZT）或静电转换器之一形成。 | 对比文件公开了接收器（即压电层）由聚合物（如PVDF-TrFE）形成，并沉积在TFT阵列上。虽然对比文件未明确记载使用“溶液涂布”这一具体工艺，但本领域技术人员公知，PVDF、PVDF-TrFE等铁电聚合物薄膜通常是通过将其溶液（例如溶于甲基乙基酮等溶剂）旋涂、刮涂等方式涂布在基板上，然后进行后续处理（如退火、极化）来形成的。因此，从对比文件公开的“聚合物接收器沉积在TFT阵列上”这一内容出发，本领域技术人员能够合理推断出其制造过程必然包含了将含有该聚合物的溶液涂布到阵列上的步骤。该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征D：** 所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极，《直接公开》 | [2] 上記アレイは、複数の個々のＴＦＴ画素およびそれらに関連した電極を含んでいてもよい。<br>[2] 所述阵列可包含多个单独的TFT像素以及与其相关的电极。<br>[2] 上記ＴＦＴアレイには、複数の受信器要素を備えた受信器が堆積されており、受信信号を受信する。<br>[2] 所述TFT阵列上沉积有包含多个接收器元件的接收器，接收接收信号。 | 对比文件明确记载了TFT阵列包含多个TFT像素（即每个像素电路包含TFT元件）。同时，每个TFT像素需要与上方的接收器元件（即压电传感部分）进行电连接以传递信号，这必然需要一个电连接结构，即像素输入电极。对比文件提到的“与其相关的电极（それらに関連した電極）”即包含了用于此目的的电极端结构。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征E：** 使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层，《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件仅提及接收器由PVDF-TrFE等聚合物形成，但完全没有提及该聚合物层是否为“结晶”状态，更没有公开任何使聚合物“结晶”的工艺步骤（如焙烤）。形成结晶聚合物层是目标专利中压电层制备的一个关键步骤，对比文件未公开该特征。 |
| **技术特征F：** 执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触，《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件虽然提到了聚合物接收器（例如PVDF-TrFE）可用于压电传感，但完全没有提及为了使该聚合物层具备压电性能而必须进行的“成极（极化）”工艺，更没有公开通过施加电场来执行该成极工艺的任何细节。使压电层与像素输入电极电接触是结构连接关系，但形成该压电层的核心工艺步骤——成极，未被公开。 |
| **技术特征G：** 沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。《直接公开》 | [2] 受信器２２０上には、導電層２３５があり、上記導電層は、複数の受信器要素の全域で分配されるバイアス信号を含んでいてもよい。<br>[2] 在接收器220之上，有导电层235，所述导电层可包含在多个接收器元件上分配的偏置信号。 | 对比文件明确公开了在接收器（即压电层）上设置有导电层（導電層２３５），该导电层用于分配偏置信号（バイアス信号）。偏置电极的作用正是为了给压电层提供偏置电压或接地，从而控制压电层产生的信号向TFT元件的传递。因此，该导电层即相当于目标专利中的“接收器偏置电极”，其配置和作用相同。该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征H：** 其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。《直接公开》 | [2] 上記アレイは、複数の個々のＴＦＴ画素およびそれらに関連した電極を含んでいてもよい。<br>[2] 所述阵列可包含多个单独的TFT像素以及与其相关的电极。 | 在TFT阵列制造领域，像素电极（即像素输入电极）通常由透明导电薄膜（如ITO）或金属薄膜制成，这是本领域的公知常识。对比文件公开了TFT像素及其相关的电极，结合本领域技术人员的普遍知识，可以毫无疑义地确定该电极是由导电薄膜形成的。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征I：** 其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件完全没有提及在涂布聚合物溶液之前或过程中使用“助粘剂”的步骤。该特征是目标专利中为改善聚合物层与下方阵列之间粘附性而采用的特定工艺步骤，对比文件未公开。 |
| **技术特征J：** 其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件仅提及接收器“沉积”在TFT阵列上，但未具体公开任何涂布方法。虽然本领域技术人员知道有多种涂布方式可以实现沉积，但对比文件并未具体指明是旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射中的任何一种。因此，该具体涂布方法未被公开。 |
| **技术特征K：** 其中所述聚合物包含铁电聚合物。《直接公开》 | [2] ポリマー受信器は、フッ化ポリビニリデン（ＰＶＤＦ）、フッ化ポリビニリデン‐トリフロロエチレン（ＰＶＤＦ‐ＴｒＦＥ）、圧電変換器（ＰＺＴ）、または、静電型変換器のうちの１つから形成されていてもよい。<br>[2] 聚合物接收器可以由聚偏二氟乙烯（PVDF）、聚偏二氟乙烯-三氟乙烯（PVDF-TrFE）、压电转换器（PZT）或静电转换器之一形成。 | 对比文件明确列举了PVDF和PVDF-TrFE作为聚合物接收器的可选材料。PVDF及其共聚物PVDF-TrFE是本领域公知的铁电聚合物。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征L：** 其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未提及聚合物材料的居里温度和熔点，更未公开任何在居里温度与熔点之间进行焙烤以使聚合物结晶的工艺步骤。该特征是目标专利中形成结晶聚合物层的具体工艺条件，未被对比文件公开。 |
| **技术特征M：** 其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件完全没有提及在执行任何工艺（特别是极化工艺）之前，施加导电材料将像素电路端子短路到接地的步骤。该特征是目标专利中为保护TFT元件在极化过程中免受高压电场损坏而采用的特定防护措施，未被公开。 |
| **技术特征N：** 其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。《未公开》 | 无相关内容。 | 由于特征M（施加导电材料短路）本身未被公开，因此该导电材料的具体类型（导电橡胶或导电墨水）更不可能被公开。 |
| **技术特征O：** 其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件虽然公开了接收器上存在导电层（235）作为偏置电极，但完全没有公开该导电层的具体构成材料或分层结构，尤其是没有提及它包含第一铜子层和第二镍子层。该特征是目标专利中偏置电极的特定材料和结构，未被公开。 |
| **技术特征P：** 其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件完全没有提及偏置电极或其任何子层的具体厚度。该特征是目标专利中偏置电极层的具体尺寸参数，未被公开。 |
**总结与代码输出**
根据以上分析，对比文件直接公开了技术特征A、B、D、G、H、K；隐含公开了技术特征C；未公开技术特征E、F、I、J、L、M、N、O、P。
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