对比文件名称：2012-07-18_CN102596044A_发明公开_CN102596044A 成像方法和系统
目标专利名称：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
本次调用模型名称：DeepSeek-R1
以下是根据目标专利权利要求划分的技术特征与对比文件CN102596044A的比对表格。比对严格遵循目标专利权利要求中已给出的技术特征划分（A至P），并基于目标专利说明书原文对技术特征进行解释。
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量，《直接公开》 | [0013] “超声探头(即，具有超声发射器和超声检测器)”<br>[0071] “直肠探头14通常是经直肠超声(TRUS)探头，其具有端射式纵向超声发射器/接收器，适于超声图像引导经直肠或经会阴成像” | 对比文件明确公开了“超声探头”包含“超声检测器”（即接收器），其功能是接收超声波以进行成像（例如对前列腺成像）。这直接对应于目标专利中用于检测超声波能量的“超声波接收器”。作用相同，都是将接收到的超声波能量转换为可处理的信号。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征B**：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列，《未公开》 | [0013] “像素化辐射检测器，该像素化辐射检测器具有分立的检测元件，用于检测预定的辐射”<br>[0076] “Medipix检测器50a、50b、50c是高空间分辨率像素化硅检测器，每个Medipix检测器都具有15×15mm<sup>2</sup>的敏感区域和56,000个独立的像素” | 对比文件公开了用于检测辐射的“像素化辐射检测器”及其“分立的检测元件”或“像素”。然而，目标专利的“像素电路的阵列”特指包含至少一个TFT元件并具有像素输入电极的电路阵列，其功能是处理压电层产生的电荷信号。对比文件的像素化检测器是辐射传感器，其“像素”是独立的辐射敏感单元，未提及任何晶体管电路、衬底上的阵列结构或信号处理功能。两者在结构、组成和功能上均不同。因此，既未直接公开也未隐含公开。 |
| **技术特征C**：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上，《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件全文未涉及超声波接收器或任何元件的制造工艺，特别是没有提及使用含有聚合物的溶液进行涂布的步骤。该技术特征是目标专利制造压电层的核心步骤之一。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开。 |
| **技术特征D**：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极，《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件仅描述了像素化辐射检测器具有“分立的检测元件”或“像素”，但从未提及这些像素包含“薄膜晶体管(TFT)元件”或“像素输入电极”。目标专利的像素电路是一个包含TFT的有源矩阵电路，用于信号读取和寻址。对比文件的检测器是单纯的传感器阵列。两者技术方案本质不同。因此，既未直接公开也未隐含公开。 |
| **技术特征E**：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层，《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未涉及任何聚合物材料，更未提及使聚合物结晶以形成结晶层的工艺步骤。该技术特征是形成压电材料的关键过程。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开。 |
| **技术特征F**：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触，《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未涉及“压电层”的形成，也未提及对任何材料进行“成极”（极化）以使其具备压电性。目标专利的压电层是通过涂布、结晶后再施加电场极化形成的。对比文件完全没有相关教导。因此，既未直接公开也未隐含公开。 |
| **技术特征G**：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。《未公开》 | [0017] “探头包括屏蔽体(通常由高Z材料如钨或铅制成)，该屏蔽体具有至少一个窗口，用于允许所述辐射进入”<br>[0081] “屏蔽体对要由内部像素化辐射检测器16所检测的辐射基本上是不透射的” | 对比文件公开了用于屏蔽辐射的“屏蔽体”，其作用是限制辐射进入检测器的方向（小孔成像）或保护检测器。这与目标专利中“沉积在压电层上的接收器偏置电极”在结构、位置、材料和功能上均完全不同。目标专利的偏置电极用于控制压电层产生的电荷信号向TFT元件的传递，而对比文件的屏蔽体用于空间滤波辐射。两者作用不同，技术方案也不同。因此，既未直接公开也未隐含公开。 |
| **技术特征H**：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未提及“像素输入电极”，更未说明其由导电薄膜形成。因此，既未直接公开也未隐含公开。 |
| **技术特征I**：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未涉及任何涂布工艺，也未提及使用助粘剂。因此，既未直接公开也未隐含公开。 |
| **技术特征J**：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未涉及任何涂布工艺，更未列举具体的涂布方法。因此，既未直接公开也未隐含公开。 |
| **技术特征K**：其中所述聚合物包含铁电聚合物。《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未涉及任何聚合物材料，更未提及铁电聚合物。因此，既未直接公开也未隐含公开。 |
| **技术特征L**：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未涉及任何聚合物的结晶工艺，也未提及居里温度、熔点或焙烤。因此，既未直接公开也未隐含公开。 |
| **技术特征M**：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未涉及成极工艺，也未提及在工艺前将像素电路端子短路到接地。因此，既未直接公开也未隐含公开。 |
| **技术特征N**：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未提及“导电橡胶”或“导电墨水”。因此，既未直接公开也未隐含公开。 |
| **技术特征O**：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件描述的屏蔽体由钨或铅等高Z材料制成，未提及由铜和镍子层构成。因此，既未直接公开也未隐含公开。 |
| **技术特征P**：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开任何关于铜子层150埃厚、镍子层850埃厚的具体参数。因此，既未直接公开也未隐含公开。 |
### 总结
经比对，对比文件CN102596044A仅直接公开了技术特征A（超声波接收器用于检测超声波能量）。该文件涉及一种用于医疗成像（如前列腺粒子植入）的复合探头，其包含超声检测功能，但未公开目标专利中关于在TFT像素电路阵列上通过涂布、结晶、极化聚合物溶液来制造压电式超声波接收器的任何核心制造工艺、结构特征或具体材料参数（技术特征B至P）。因此，只有技术特征A被直接公开。
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