对比文件名称：2014-05-13_US8724832B_发明授权_US08724832B2 Piezoelectric microphone fabricated on glass
目标专利名称：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
本次调用模型名称：GPT-4
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A《隐含公开》 | 对比文件摘要部分：“An apparatus for detecting sound... includes a glass substrate... a piezoelectric layer... configured to generate a strain in the piezoelectric layer.” 以及详细描述中多处提及检测声音的装置（例如，第[0007]段）。 | 对比文件公开了一种用于检测声音的装置，其包含压电层，当声波（机械波）作用时，压电层产生应变并生成电信号。目标专利的超声波接收器用于检测超声波能量，超声波本质上是频率高于20kHz的机械波。本领域技术人员知晓，压电传感器可用于检测包括声波和超声波在内的机械振动，且对比文件中检测声音的压电传感器在原理上与检测超声波的压电接收器相同，都是将机械能转换为电能。因此，本领域技术人员能够合理推断对比文件的装置可用于检测超声波能量，即隐含公开了“用于检测在超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量”的接收器。 |
| 技术特征B《未公开》 | 对比文件中未提及“像素电路的阵列”。其描述的是在玻璃基板上形成电极层和压电层的麦克风感测元件（例如，第[0144]-[0148]段），并未涉及由多个像素电路组成的阵列结构。 | 目标专利的超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路阵列，每个像素电路用于独立感测和处理信号，构成一个可寻址的传感器阵列。对比文件描述的是单个或少数几个麦克风感测元件，这些元件并非以像素电路阵列的形式布置，也未提及每个感测元件包含独立的电路（如TFT）。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开像素电路的阵列。 |
| 技术特征C《未公开》 | 对比文件中描述形成压电层的方法时，提及了例如溅射、化学气相沉积（CVD）等工艺（例如，第[0172]-[0175]段），但未提及将含有聚合物的溶液涂布到阵列上的步骤。 | 目标专利强调通过溶液涂布（如旋涂）的方式形成压电层，这是一种适用于大面积、低成本制造的湿法工艺。对比文件制造压电层的方法属于干法沉积工艺（如溅射、CVD），与本专利的涂布工艺在原理和实施方式上均不同。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出使用溶液涂布工艺。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征D《未公开》 | 对比文件中未提及“薄膜晶体管（TFT）元件”或“像素输入电极”。其电极层（如第一电极层、第二电极层）用于感测压电层产生的电压（例如，第[0144]段），但并非与TFT像素电路集成。 | 目标专利的每个像素电路包含至少一个TFT元件和像素输入电极，这构成了有源矩阵传感器阵列的核心，用于信号的放大、选通和读出。对比文件的麦克风感测元件是简单的多层结构（电极/压电/电极），没有集成任何晶体管或有源电路元件。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征E《未公开》 | 对比文件未描述使聚合物结晶以形成结晶聚合物层的具体步骤。虽然其可能使用结晶性压电材料（如AlN、PZT），但未提及通过涂布溶液后结晶的工艺。 | 目标专利的制造方法包括使涂布的聚合物溶液结晶形成结晶聚合物层的关键步骤，这对于获得压电性能至关重要。对比文件未披露任何与“使聚合物结晶”相关的工艺条件或步骤。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征F《未公开》 | 对比文件未描述通过施加电场使结晶聚合物层成极以形成压电层的工艺。虽然压电材料通常需要极化，但对比文件未具体描述该工艺步骤及其参数（如场强）。 | 目标专利明确限定了成极工艺包含跨越结晶聚合物层施加特定场强的电场，以使该层具有压电性并与像素输入电极电接触。对比文件虽然涉及压电材料，但未提及任何成极工艺细节，也未提及该层与类似像素输入电极的元件电接触。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征G《未公开》 | 对比文件中可能存在位于压电层上的电极层（例如，第二电极层或第三电极层），但其作用描述为“sense a voltage generated by the piezoelectric layer”（第[0144]段），而非“控制相应信号被传递至TFT元件”。 | 目标专利的接收器偏置电极沉积在压电层上，其特定功能是控制哪些信号被传递至下层的TFT元件。对比文件中的电极层仅用于感测压电层产生的电压，没有提及与TFT元件交互或控制信号传递的功能。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征H《未公开》 | 对比文件的电极层可由导电薄膜形成（例如，金属层），但该电极层并非目标专利中定义的“像素输入电极”。 | 目标专利的像素输入电极是像素电路的一部分，专门电耦合到像素电路并用于收集压电层产生的电荷。对比文件中的电极层是麦克风感测元件的组成部分，不与任何像素电路或TFT元件连接。因此，尽管电极材料可能相似，但功能和结构上下文不同，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征I《未公开》 | 对比文件未提及在涂布聚合物溶液之前或过程中使用助粘剂。 | 目标专利的制造工艺包括将助粘剂涂布到像素电路阵列上以改善粘附性。对比文件的制造工艺中未涉及任何助粘剂的使用。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征J《未公开》 | 对比文件未提及旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射等溶液涂布工艺。其压电层形成工艺为干法沉积。 | 目标专利明确列举了多种具体的溶液涂布方式。对比文件未披露任何这些涂布工艺。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征K《隐含公开》 | 对比文件第[0144]段：“The first piezoelectric layer may include a number of different piezoelectric materials. For example, in various implementations, the first piezoelectric layer may include one or more of the following: polyvinylidene fluoride (PVDF)...” | 目标专利的聚合物包含铁电聚合物。对比文件明确列举了可用的压电材料，其中包括聚偏氟乙烯（PVDF），PVDF是一种公知的铁电聚合物。本领域技术人员能够从对比文件公开的PVDF材料直接且毫无疑义地得出聚合物包含铁电聚合物。因此，该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征L《未公开》 | 对比文件未提及聚合物的居里温度、熔点，也未提及在居里温度与熔点之间的温度下焙烤聚合物至少一小时的结晶步骤。 | 目标专利具体限定了聚合物的结晶工艺条件，包括温度范围和时间。对比文件完全没有披露这些具体的工艺参数。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征M《未公开》 | 对比文件未提及在执行成极工艺之前施加导电材料以将像素电路的端子电短路到接地。 | 目标专利描述了在成极前使用导电材料短路像素电路端子到接地的保护措施。对比文件的制造工艺中未涉及此类步骤。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征N《未公开》 | 对比文件未提及导电橡胶或导电墨水。 | 目标专利限定了导电材料的具体类型。对比文件未披露这些材料。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征O《未公开》 | 对比文件未提及接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。其电极层材料可能包括铜、镍等（例如第[0144]段提及Cu, Ni），但未明确描述为具有铜和镍子层的多层结构。 | 目标专利具体限定了接收器偏置电极的层状结构（Cu/Ni）。对比文件虽然可能使用类似金属，但未公开这种特定的双层子层结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征P《未公开》 | 对比文件未提及第一铜子层为150埃厚，第二镍子层为850埃厚。 | 目标专利限定了非常具体的子层厚度。对比文件完全没有披露这些具体的厚度数值。因此，该技术特征未被公开。 |
<<<a>>><<<K>>>