**对比文件名称**：2013-02-28_US2013051587A_发明申请_US20130051587A1 PIEZOELECTRIC MICROPHONE FABRICATED ON GLASS
**目标专利名称**：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
**本次调用模型名称**：DeepSeek
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量，《直接公开》 | 说明书第[0037]段：“Some implementations described herein relate to piezoelectric sense elements for an electromechanical microphone device. ... The piezoelectric sense element may covert a sound wave into an electrical signal.” （译文：本文描述的一些实施方案涉及用于机电麦克风设备的压电感测元件。... 所述压电感测元件可以将声波转换成电信号。） | 对比文件公开了一种包含压电感测元件的麦克风设备，其被配置为将声波（包含声波能量）转换为电信号，即用于检测在其表面接收到的声波能量。超声波是声波的一种，其检测原理（压电转换）与本领域常见的声波检测相同。本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件公开的“检测声波”的技术方案中，得出其同样可用于检测超声波能量，因为超声波传感器本质上是一种特定频率范围的声波传感器。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B**：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列，《未公开》 | 说明书第[0144]-[0148]段等描述了感测元件(sense element)形成在玻璃基板(glass substrate 1402)上，例如“The sense element 1400 shown in FIGS. 14A and 14B includes a glass substrate 1402, a first electrode layer 1404, a first piezoelectric layer 1406...”。（译文：图14A和14B所示的感测元件1400包括玻璃基板1402、第一电极层1404、第一压电层1406...） | 对比文件公开的感测元件是形成在玻璃基板上的多层膜结构（包括电极层和压电层），其结构是用于麦克风的MEMS悬臂梁或膜结构。目标专利中“安置在衬底上的像素电路的阵列”特指包含TFT元件的有源矩阵电路阵列，每个像素是一个独立的传感和读出单元。对比文件的感测元件是单一、整体的传感结构，没有公开任何形式的像素化阵列，更没有公开包含TFT的像素电路。两者结构、功能和工作原理均不同。因此，该技术特征未被直接公开，也未隐含公开。 |
| **技术特征C**：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上，《未公开》 | 说明书第[0172]段：“At block 1806, the first piezoelectric layer is formed on the first electrode layer. In some implementations, the first piezoelectric layer can include polyvinylidene fluoride (PVDF)... and may be formed with a reactive ion sputtering process, a direct current (DC) sputtering process, or other appropriate process.”（译文：在框1806处，在第一电极层上形成第一压电层。在一些实施方案中，第一压电层可包含聚偏二氟乙烯（PVDF）...并且可以通过反应离子溅射工艺、直流（DC）溅射工艺或其他适当的工艺形成。） | 对比文件公开了形成压电层（如PVDF）的工艺是溅射（sputtering）、化学气相沉积（CVD）等典型的半导体或MEMS薄膜沉积工艺（参见第[0172], [0177]段）。目标专利明确限定通过“将含有聚合物的溶液涂布”来形成压电层，这是一种湿法涂布工艺（如旋涂）。对比文件完全没有提及任何溶液涂布工艺来形成压电层。两种工艺原理不同，适用的场景和形成的膜层特性也有差异。因此，该技术特征未被直接公开，也未隐含公开。 |
| **技术特征D**：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极，《未公开》 | 对比文件全文未提及“薄膜晶体管（TFT）”、“像素电路”或“像素输入电极”。感测元件的电极层（如1404, 1408）是用于连接压电层的整体电极，并非每个像素独立的输入电极。 | 目标专利的核心之一是像素电路阵列，每个像素集成有TFT用于选通和读出，并具有像素输入电极与压电层局部接触以收集电荷。对比文件公开的麦克风感测元件是一个简单的多层膜结构，其电极层是覆盖整个感测区域的连续层，用于整体引出压电信号，不具备像素化寻址功能，也没有任何晶体管元件。这是两种完全不同的器件架构。因此，该技术特征未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征E**：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层，《未公开》 | 对比文件提到压电材料如PVDF（第[0131]段），但未描述任何使其结晶的工艺步骤。形成压电层的工艺描述为沉积（如溅射），沉积后可能已具结晶性，但并未公开一个独立的“使聚合物结晶”的步骤或工艺条件。 | 目标专利明确将“使聚合物结晶”作为一个独立的制造步骤，并详细说明了在居里温度和熔点之间焙烤等具体条件。对比文件仅提及使用PVDF等材料，对于如何获得结晶聚合物层没有给出任何教导。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或必然推理出需要对聚合物进行特定结晶处理的步骤。因此，该技术特征未被直接公开，也未隐含公开。 |
| **技术特征F**：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触，《未公开》 | 对比文件全文未提及“成极(poling)”工艺或施加电场使压电材料极化的步骤。 | 目标专利的成极工艺是使铁电聚合物（如PVDF-TrFE）产生压电性的关键步骤。对比文件虽然使用了压电材料，但完全未描述任何极化或成极工艺。本领域技术人员无法从对比文件公开的内容中，推理出需要执行一个明确的成极步骤来形成压电层。因此，该技术特征未被直接公开，也未隐含公开。 |
| **技术特征G**：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。《未公开》 | 说明书第[0147]段：“The first electrode layer 1404 and the second electrode layer 1408 serve to sense a voltage generated by the piezoelectric layer 1406.”（译文：第一电极层1404和第二电极层1408用于感测由压电层1406产生的电压。）图14B中，第二电极层1408位于第一压电层1406之上。 | 对比文件公开了在压电层（1406）上设置有电极层（1408），该电极层用于感测压电层产生的电压。然而，目标专利的“接收器偏置电极”是沉积在压电层上，并**经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件**，这与超声波传感器中用于偏置压电层以优化信号读取的特定功能相关。对比文件中的上电极仅作为信号收集电极，其文中未赋予其“控制信号传递至TFT”的功能（因为对比文件根本没有TFT）。此外，目标专利中该电极是“接收器偏置电极”，而对比文件中未描述其具有“偏置”功能。因此，尽管存在“压电层上的电极层”这一结构，但其作用和配置目标不同，该技术特征未被直接公开，也未隐含公开。 |
| **技术特征H**：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。《未公开》 | 对比文件未公开“像素输入电极”。虽然其电极层（如1404）是导电薄膜，但并非目标专利中定义的与像素电路连接的“像素输入电极”。 | 由于核心特征“像素输入电极”（特征D）未被公开，其进一步限定特征（由导电薄膜形成）也失去了比对基础。对比文件公开的电极层并非用于像素电路。因此，该技术特征未被直接公开，也未隐含公开。 |
| **技术特征I**：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。《未公开》 | 对比文件全文未提及“助粘剂”或任何为提高聚合物溶液与下层粘附性而进行的预处理步骤。 | 该特征是对技术特征C（涂布溶液）的进一步限定。由于特征C（溶液涂布）未被公开，且对比文件中没有任何关于使用助粘剂的记载或暗示，该技术特征未被直接公开，也未隐含公开。 |
| **技术特征J**：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。《未公开》 | 对比文件描述的形成压电层的方法是溅射等干法沉积（第[0172]段），未提及任何旋涂、槽缝式涂布等湿法涂布技术。 | 该特征是对技术特征C（涂布溶液）的具体工艺限定。由于特征C未被公开，且对比文件公开的是完全不同的干法沉积工艺，该技术特征未被直接公开，也未隐含公开。 |
| **技术特征K**：其中所述聚合物包含铁电聚合物。《直接公开》 | 说明书第[0131]段：“The first piezoelectric layer 1406 may include a number of different piezoelectric materials. For example, in various implementations, the first piezoelectric layer 1406 may include one or more of the following: polyvinylidene fluoride (PVDF)...”（译文：第一压电层1406可以包括多种不同的压电材料。例如，在各种实施方案中，第一压电层1406可以包括以下一种或多种：聚偏二氟乙烯（PVDF）...） | PVDF是一种公知的铁电聚合物。对比文件明确公开了压电层可以包含PVDF，即铁电聚合物。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征L**：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。《未公开》 | 对比文件未提及聚合物的居里温度、熔点，也未描述任何在特定温度范围内焙烤聚合物以实现结晶的工艺。 | 该特征是对技术特征E（使聚合物结晶）的具体条件限定。由于特征E未被公开，且对比文件完全没有涉及聚合物的结晶热处理条件，该技术特征未被直接公开，也未隐含公开。 |
| **技术特征M**：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。《未公开》 | 对比文件全文未提及在执行任何工艺前，用导电材料将电路端子短路到接地。 | 该特征是对技术特征F（成极工艺）的附加保护步骤。由于特征F未被公开，且对比文件无任何相关记载，该技术特征未被直接公开，也未隐含公开。 |
| **技术特征N**：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。《未公开》 | 对比文件未提及“导电橡胶”或“导电墨水”。 | 该特征是对技术特征M（导电材料）的具体限定。由于特征M未被公开，该技术特征也未被直接公开，也未隐含公开。 |
| **技术特征O**：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。《未公开》 | 说明书第[0093]段提及屏蔽层可使用“aluminum (Al) or copper (Cu) layers”，但未提及用于接收器偏置电极的铜/镍双层结构。 | 对比文件未公开“接收器偏置电极”（特征G），因此其具体构成（铜子层和镍子层）也无从谈起。虽然对比文件提到可使用铜层，但并非在接收器偏置电极的上下文中，也未与镍层组合。因此，该技术特征未被直接公开，也未隐含公开。 |
| **技术特征P**：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。《未公开》 | 对比文件未公开任何厚度为150埃的铜子层和850埃的镍子层组成的电极结构。 | 该特征是对技术特征O（电极子层）的进一步尺寸限定。由于特征O未被公开，该非常具体的尺寸特征更不可能被公开。因此，该技术特征未被直接公开，也未隐含公开。 |
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