对比文件：2017-06-22_US2017179356A_发明申请_US20170179356A1 OPTICAL SYSTEMS FABRICATED BY PRINTING-BASED ASSEMBLY；目标专利：1521用于透明发光二极管显示器件的电极基板和包括其的透明发光二极管显示器件CN111837237B；本次调用的模型名称：当前AI模型。
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：其特征在于<br>《直接公开》 | [0010] "The present invention provides optical devices and systems fabricated, at least in part, via printing-based assembly and integration of printable functional materials and/or semiconductor-based devices and device components."（本申请提供至少部分通过基于印刷的组装和集成来制造的光学器件和系统，包括可印刷功能材料和/或基于半导体的器件和器件组件。） | 对比文件在其概述中明确了发明主题，并通常在权利要求中使用类似的过渡语，本领域技术人员可以毫无疑义地确定其具有与“其特征在于”等同的界定功能。因此直接公开。 |
| 技术特征B：所述电极基板包括<br>《直接公开》 | [0023] "a device substrate having a receiving surface"（具有接收表面的器件基板）以及[0024] "device substrate prepatterned with device components"（预图案化有器件组件的器件基板） | 对比文件公开了器件基板，且基板上设置有电极结构（如金属网格），实质即电极基板。因此直接公开。 |
| 技术特征C：透明基板<br>《直接公开》 | [0023] "including glass substrates, polymer substrate, plastic substrates"（包括玻璃基板、聚合物基板、塑料基板）；[0155] "a first glass coated ITO or a low-fill factor metal mesh layer"（第一玻璃涂覆ITO或低填充因子金属网格层） | 对比文件明确使用玻璃等透明基板，本领域技术人员可直接确定其为透明基板。因此直接公开。 |
| 技术特征D：在所述透明基板上以矩阵设置的M行×N列的发光器件焊盘部<br>《直接公开》 | [0026] "arrays of light emitting diodes"（发光二极管阵列）；[0155] "printed micro LEDS structures"（印刷的微LED结构）及图15显示微LED以矩阵排列；[0144]图7A中在基板上沉积电极并印刷ILED，电极位置即形成焊盘部 | 对比文件公开了发光器件（如微LED）以矩阵形式设置于透明基板上，对应的电极焊盘必然随之以矩阵排列。因此直接公开。 |
| 技术特征E：分别设置在所述透明基板上且连接至所述发光器件焊盘部的第一公共电极布线部、第二公共电极布线部和信号电极布线部<br>《未公开》 | 无直接对应内容。对比文件[0141]图4主动矩阵显示有门线、数据线、阳极线，但并未在同一基板上明确设置三个分别连接焊盘部的独立布线部（第一公共、第二公共、信号），且被动矩阵中通常仅为上下两个电极层（如[0155]的顶层和底层金属网格）。 | 对比文件未公开在同一透明基板上同时存在三个不同的布线部（两个公共和一个信号）均连接至发光器件焊盘部。该特征未被公开。 |
| 技术特征F：其中所述第一公共电极布线部、所述第二公共电极布线部和所述信号电极布线部各自包括金属网格图案<br>《隐含公开》 | [0014] "an electrically conducting grid or mesh provided in electrical contact with at least a portion of said printable semiconductor elements, wherein the electrically conducting grid or mesh providing at least one electrode for said system."（导电网格或网格与至少部分可印刷半导体元件电接触，为系统提供至少一个电极）；[0155] "a low-fill factor metal mesh layer"（低填充因子金属网格层） | 对比文件广泛教导使用金属网格图案作为电极。尽管未明确三个布线部均包括金属网格，但本领域技术人员根据对比文件的教导可以合理推断，若存在三个布线部，它们同样可以采用金属网格图案以达到降低电阻和提高透明性的目的。因此隐含公开。 |
| 技术特征G：连接至构成所述发光器件焊盘部中的一行的所述发光器件焊盘部的所述第一公共电极布线部或所述第二公共电极布线部的线电阻满足以下方程式1：[方程式1] R<(200/N)-0.4；并且中各发光器件焊盘部包括电连接至所述第一公共电极布线部、所述第二公共电极布线部和所述信号电极布线部的至少四个电极焊盘部<br>《未公开》 | 无方程式1或四焊盘描述。对比文件[0076]等仅提及通过金属网格改善导电性，但未提供任何具体电阻计算公式；LED焊盘通常为两焊盘（正负极），未提及四个焊盘。 | 对比文件完全没有公开该电阻公式，也未公开发光器件焊盘部需要至少四个电极焊盘（两个信号、一个第一公共、一个第二公共）。因此未公开。 |
| 技术特征H：所述发光器件焊盘部还包含电容器正极焊盘部和电容器负极焊盘部；并且中所述金属网格图案设置在与所述透明基板的全部面积相比具有80%或更大的面积的区域中；并且中构成所述发光器件焊盘部中的一行的所述发光器件焊盘部与所述信号电极布线部串联连接<br>《未公开》 | 无电容器焊盘；[0155] "low-fill factor metal mesh layer"表明填充因子低，面积远小于80%；关于一行中串联连接未明确。 | 对比文件未提及电容器焊盘；金属网格层为低填充因子（通常<30%），并非80%以上；串联连接方式未描述。因此未公开。 |
| 技术特征I：其中所述信号电极布线部设置在所述第一公共电极布线部与所述第二公共电极布线部之间<br>《未公开》 | 无对应结构。对比文件[0141]图4布线层次不同，但未公开信号线位于两个公共电极之间。 | 对比文件无此空间位置关系。 |
| 技术特征J：其中构成所述第一公共电极布线部、所述第二公共电极布线部和所述信号电极布线部的所述金属网格图案的线宽的标准偏差为20%或更小<br>《未公开》 | 无关于线宽标准偏差的讨论。 | 对比文件未涉及金属网格图案线宽的统计均匀性指标。 |
| 技术特征K：间距的标准偏差为10%或更小<br>《未公开》 | 无相应内容。 | - |
| 技术特征L：线高的标准偏差为10%或更小<br>《未公开》 | 无相应内容。 | - |
| 技术特征M：其中所述至少四个电极焊盘部包括两个信号电极焊盘部、一个第一公共电极焊盘部、和一个第二公共电极焊盘部<br>《未公开》 | 无四个焊盘及具体分配。 | 对比文件无此类焊盘结构。 |
| 技术特征N：其中所述金属网格图案满足以下方程式2：[方程式2] (P-W)²/P²≥0.8<br>《未公开》 | 无该方程式。 | 对比文件未公开开口率计算公式。 |
| 技术特征O：其中所述金属网格图案具有50μm或更小的线宽、100μm至1000μm的间距、和3μm或更大的线高<br>《未公开》 | [0237] "a thickness selected over the range of 10 nanometers to 10000 microns"（厚度选自10nm至10000μm）；但无线宽、间距的具体范围。 | 对比文件虽然公开了厚度范围极宽，但未具体限制线宽≤50μm、间距100-1000μm、线高≥3μm。本领域技术人员不能毫无疑义地得出该具体数值组合。因此未公开。 |
| 技术特征P：其中所述第一公共电极布线部、所述第二公共电极布线部和所述信号电极布线部的所述金属网格图案分别通过没有所述金属网格图案的断开部彼此分开<br>《未公开》 | 无断开部描述。 | 对比文件未提及将不同布线部的金属网格图案通过无图案的断开部分隔。 |
| 技术特征Q：所述断开部的宽度为80μm或更小<br>《未公开》 | 无。 | - |
| 技术特征R：其中所述金属网格图案包含金、银、铝、铜、钕、钼、镍、或其合金<br>《直接公开》 | [0234] "electrically conducting mesh or grid comprises one or more metals"（导电网格或栅格包含一种或多种金属）；[0236] "gold, silver, aluminum, copper, neodymium, molybdenum, nickel or alloys thereof"（金、银、铝、铜、钕、钼、镍或其合金） | 对比文件明确列举了与特征R完全相同的金属材料。因此直接公开。 |
| 技术特征S：其中所述金属网格图案另外包括黑化层图案<br>《未公开》 | 无。 | 对比文件未涉及黑化层。 |
| 技术特征T：还包括分别连接至所述第一公共电极布线部、所述第二公共电极布线部和所述信号电极布线部的柔性印刷电路板FPCB焊盘部<br>《未公开》 | 无FPCB焊盘部描述。对比文件[0061]提及“FPCB”无对应。 | 对比文件未公开连接到三组布线部的FPCB焊盘。 |
| 技术特征U：其中在所述透明基板上以矩阵设置的M行×N列的发光器件焊盘部中，构成一行的所述发光器件焊盘部的间距与构成一列的所述发光器件焊盘部的间距彼此相同<br>《隐含公开》 | 图6A "pixels are provided at a 4 mm pitch"（像素以4mm间距提供）；阵列通常采用相等的行和列间距。 | 对比文件虽未明确声明行间距等于列间距，但根据像素阵列常规设计和所显示的实施例，本领域技术人员可以合理推断行和列间距是相等的。因此隐含公开。 |
| 技术特征V：其中在所述透明基板上另外包括粘合剂层<br>《直接公开》 | [0225] "a planarizing layer provided on the receiving surface"（在接收表面上设置平面化层）；[0024] "adhesive layer"（粘合剂层） | 对比文件明确公开了在基板上设置粘合剂层或平面化层以粘合元件。因此直接公开。 |
| 技术特征W：所述第一公共电极布线部、所述第二公共电极布线部和所述信号电极布线部各自在被嵌入所述粘合剂层中的同时设置<br>《隐含公开》 | [0225] "embedding the printable semiconductor elements in a planarizing layer"（将可印刷半导体元件嵌入平面化层）；[0224]整个器件结构的嵌入设计。 | 对比文件教导将可印刷元件嵌入平面化层，电极布线部通常也部分覆盖在同一层中。本领域技术人员可以合理推断布线部同样被嵌入粘合剂层。因此隐含公开。 |
| 技术特征X：其中所述发光器件焊盘部在被嵌入所述粘合剂层中的同时设置<br>《直接公开》 | [0225] “the microcells are fully embedded in the NOA except the top surface”（微电池完全嵌入NOA中，除了顶表面）；图72及其描述 | 发光器件焊盘部是微电池的一部分，对比文件明确公开了嵌入结构且仅暴露顶表面。因此直接公开。 |
| 技术特征Y：所述发光器件焊盘部的上表面在暴露在所述粘合剂层上的同时设置<br>《直接公开》 | 同上“except the top surface” | 明确暴露上表面。因此直接公开。 |
根据上述特征比对分析，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、D、R、V、X、Y；隐含公开了技术特征F、U、W。
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