## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 所述制造方法包括 **（直接公开）** | 对比文件标题：一种反射式体全息布拉格光栅紫外曝光的方法；发明内容[0007]：“反射式体全息布拉格光栅紫外曝光的方法包括以下步骤：（1）…（2）…（3）…（4）…（5）…” | 对比文件明确公开了一种制造反射式体全息布拉格光栅的方法，该方法包括多个步骤。目标专利要求保护的也是一种制造全息光学元件的方法，两者在方法类型上一致。本领域技术人员能毫无疑义地确定对比文件公开了“制造方法包括”这一前序特征。 |
| **技术特征B：** 通过用光敏树脂涂覆基底的一个表面来形成光敏基底的步骤(a) **（未公开）** | [0012]：“所述的光栅材料3为光热折变PTR玻璃或光折变晶体。” | 对比文件使用的记录材料是固态玻璃或晶体，并非在基底上涂覆光敏树脂形成光敏基底。步骤(1)仅涉及对现有块状材料进行抛光，没有公开任何涂覆树脂或形成光敏基底的步骤。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征C：** 通过用激光照射所述光敏基底的一个表面和另一个表面中的每一者来记录所述全息光栅的步骤(b) **（未公开）** | [0012]步骤(3)：“用一束平行的紫外光1从光栅入射面4照射光栅材料3…反射的紫外光2在光栅材料3内部和入射的紫外光1进行干涉” | 对比文件仅用一束激光从光栅入射面照射，利用出射面上的反射膜产生干涉，而非分别照射基底的两个表面。目标专利要求分别照射两个表面（参考光和物体光），对比文件的曝光方式明显不同。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征D：** 其中在所述步骤(a)中施加所述光敏树脂使得光敏树脂涂层的高度沿预定方向变化 **（未公开）** | [0012]及全文：未提及任何光敏树脂涂层及其高度变化。 | 对比文件既没有步骤(a)的涂覆过程，也没有涂层高度沿方向变化的任何教导或暗示。因此，该特征未以任何方式公开。 |
| **技术特征E：** 所述全息光栅记录在所述光敏树脂涂层的整个高度上 **（未公开）** | [0012]：“…体全息布拉格光栅的周期和干涉条纹的周期一致…光栅材料3的特性发生了周期性变化” | 对比文件中全息光栅记录在整块光栅材料（PTR玻璃等）内部，该材料并非光敏树脂涂层。目标专利中光栅记录在光敏树脂涂层的整个高度上，两者介质不同，结构不同。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征F：** 所述全息光栅的高度沿所述预定方向变化；并且所述光敏树脂涂层的高度沿所述预定方向逐渐增加 **（未公开）** | 全文无树脂涂层高度或全息光栅高度方向变化的记载。 | 对比文件的光栅厚度均匀（如厚度1mm或2mm，未提及变化），没有公开全息光栅高度或树脂涂层高度沿预定方向逐渐增加的特征。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征G：** 所述全息光栅的高度沿所述预定方向逐渐增加 **（未公开）** | 同上，无相关公开。 | 对比文件中全息光栅高度（即光栅厚度）在材料内保持恒定，未公开任何方向上的逐渐增加。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征H：** 所述全息光栅具有相同的宽度 **（未公开）** | [0012]：“干涉条纹6周期Λ = λ / (2 n sinα)” | 对比文件仅公开了干涉条纹周期恒定，但未明确公开全息光栅的宽度（即光栅线条宽度）是否相同。目标专利中的“宽度”特指在高度方向变化的情况下保持宽度一致，对比文件未涉及此组合。即使周期恒定，在体全息光栅中“宽度”概念与浮雕光栅不同，且本领域技术人员无法直接、毫无疑义地得出对比文件公开了“全息光栅具有相同的宽度”这一技术特征。因此，该特征未直接或隐含公开。 |
| **技术特征I：** 其中在所述步骤(a)中将所述光敏树脂喷涂至所述基底的一个表面上多个位置处 **（未公开）** | 全文无喷涂步骤或相关描述。 | 对比文件未公开任何喷涂工艺，更未涉及将光敏树脂喷涂至基底表面的步骤。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征J：** 喷涂的光敏树脂的量根据位置而变化 **（未公开）** | 同上，无喷涂相关内容。 | 对比文件无喷涂步骤，亦无喷涂量变化的技术教导。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征K：** 其中所述步骤(a)包括将所述基底浸入包含所述光敏树脂的容器中的步骤(a‑1) **（未公开）** | 全文无浸渍提拉工艺描述。 | 对比文件未公开浸入光敏树脂容器中的步骤。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征L：** 和通过在一个方向上移动所述基底将所述基底与所述容器分离的步骤(a‑2) **（未公开）** | 同上。 | 对比文件未公开将基底与容器分离的移动步骤。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征M：** 在所述步骤(a‑2)中在改变所述基底的移动速度的同时将所述基底与所述容器分离 **（未公开）** | 同上。 | 对比文件未公开改变基底移动速度的提拉速度控制。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征N：** 其中所述步骤(a)包括在所述基底与辅助基底之间提供所述光敏树脂的步骤(a‑1) **（未公开）** | 全文无辅助基底及在基底间提供树脂的描述。 | 对比文件未公开使用辅助基底或在两者之间提供光敏树脂。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征O：** 和移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者的步骤(a‑2) **（未公开）** | 同上。 | 对比文件未公开移动基底或辅助基底的过程。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征P：** 在所述步骤(a‑2)中在改变所述基底和所述辅助基底中的一者相对于另一者的相对移动速度的同时移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者 **（未公开）** | 同上。 | 对比文件未公开改变相对移动速度的工艺控制。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征Q：** 其中在所述步骤(a)中在所述基底的一个表面相对于基面倾斜的状态下提供所述光敏树脂 **（未公开）** | [0023]：“加工过程中使光栅入射面和出射面的夹角为3°。” | 对比文件公开的是在材料抛光过程中使入射面与出射面形成夹角（以改变光栅倾斜角），并非在涂覆树脂步骤中使基底相对于基面倾斜。两者工艺目的和时机均不同，也未提供任何树脂涂覆的倾斜操作。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征R：** 将所述光敏树脂干燥 **（未公开）** | [0020]：“将紫外曝光后的光栅材料进行微晶化热处理” | 对比文件在曝光后采用热处理（微晶化），并非对光敏树脂进行干燥。无任何干燥步骤的记载。因此，该特征未被公开。 |
## 结论
对比文件直接公开了技术特征A，未直接或隐含公开技术特征B至R。
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