**对比文件名称：** 2018-05-16_KR1020180051187A_发明公开_KR20180051187A 홀로그래픽 광학 소자의 제조 장치 및 홀로그램 재생 장치
**目标专利名称：** 1561全息光学元件及其制造方法CN113728257B
**模型名称：** (本次调用未明确指定，基于通用AI模型)
以下为技术特征比对表格，严格按照目标专利权利要求的划分执行。对于技术特征的理解紧密依据目标专利说明书原文进行解释。公开性判断包括直接公开和隐含公开，隐含公开标准极为宽松。
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译为中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 所述制造方法包括<br>**《直接公开》** | 对比文件[0026]~[0030]总述了全息光学元件的制造装置及方法，例如[0026]“图1中，全息光学元件的制造装置(100)包括光源部(110)、分束器(120)、全息记录介质(150)、第一光学系统(130)和第二光学系统(140)”，并通过[0029]、[0030]、[0036]等具体描述了记录干涉条纹的步骤。 | 对比文件公开了一种全息光学元件的制造方法，其通过激光在记录介质上记录干涉条纹（即全息光栅）来形成全息光学元件。该方法必然包括一系列步骤，因此特征A“制造方法包括”被直接公开。 |
| **技术特征B：** 通过用光敏树脂涂覆基底的一个表面来形成光敏基底的步骤(a)<br>**（未公开）** | 对比文件[0031]：“全息记录介质(150)可以是卤化银、光折变聚合物、光聚合物等”。未提及基底涂覆步骤。 | 对比文件仅列举可能使用的记录介质材料，未描述如何通过涂覆光敏树脂在基底上形成光敏基底。本领域技术人员无法毫无疑义地得出该步骤，且对比文件亦无任何信息暗示该涂覆过程。因此特征B未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征C：** 通过用激光照射所述光敏基底的一个表面和另一个表面中的每一者来记录所述全息光栅的步骤(b)<br>**《直接公开》** | 对比文件[0036]：“第一光学系统(130)的第一反射镜(132)反射从分束器(120)分离的第一信号光，并将反射的第一信号光照射到全息记录介质(150)的一个表面。此外，第一光学系统(130)的第二反射镜(134)和第三反射镜(136)反射从分束器(120)分离的第一参考光，并将反射的第一参考光照射到全息记录介质(150)的另一个表面。”[0029]同样明确记载从两侧照射。 | 对比文件明确公开了将激光（信号光与参考光）分别照射至全息记录介质的一个表面和另一个表面，从而记录干涉条纹。这与特征C完全相同，故直接公开。 |
| **技术特征D：** 在所述步骤(a)中施加所述光敏树脂使得光敏树脂涂层的高度沿预定方向变化<br>**（未公开）** | 对比文件全文未找到任何关于光敏树脂涂层高度沿方向变化的描述。记录介质厚度默认均匀。 | 对比文件所有实施例均基于厚度均匀的记录介质，无任何关于涂层厚度变化或其形成方法的教导。本领域技术人员无法从对比文件中推断出该特征。 |
| **技术特征E：** 所述全息光栅记录在所述光敏树脂涂层的整个高度上<br>**《隐含公开》** | 对比文件[0031]记载记录介质可为光聚合物等；[0038]记载干涉条纹记录在介质中。未明确“整个高度”，但本领域公知体积全息记录时干涉条纹贯穿整个记录层厚度。 | 在对比文件所采用的激光干涉记录过程中，全息光栅（干涉条纹）通常记录在记录介质的整个体积内（即整个厚度上）。虽然对比文件未明述，但本领域技术人员可以合理推断出该常规特征，故认为隐含公开。 |
| **技术特征F：** 所述全息光栅的高度沿所述预定方向变化；并且光敏树脂涂层的高度沿所述预定方向逐渐增加<br>**（未公开）** | 对比文件无任何关于光栅高度变化或涂层高度逐渐增加的描述。 | 对比文件涉及的是在同一记录介质中记录两个不同光学特性的全息图，未涉及记录介质厚度或光栅高度的变化。该特征无法从对比文件中直接或隐含得出。 |
| **技术特征G：** 所述全息光栅的高度沿所述预定方向逐渐增加<br>**（未公开）** | 同特征F，对比文件无相关内容。 | 同特征F论述，对比文件未公开任何使全息光栅高度逐渐增加的技术手段或目的，故不公开。 |
| **技术特征H：** 所述全息光栅具有相同的宽度<br>**（未公开）** | 对比文件未提及全息光栅的宽度特性。其记录的第一和第二干涉条纹可能具有不同的空间频率和光栅常数。 | 对比文件重点关注记录两组不同干涉条纹以实现复合光学功能，未对单一光栅的宽度均匀性作任何说明。本领域技术人员不能必然推断出所记录的全息光栅宽度均相同，故不公开。 |
| **技术特征I：** 在所述步骤(a)中将所述光敏树脂喷涂至所述基底的一个表面上多个位置处<br>**（未公开）** | 对比文件无任何关于喷涂光敏树脂的内容。 | 对比文件根本不涉及涂覆步骤的具体工艺，更未提及喷涂方式，故未公开。 |
| **技术特征J：** 喷涂的光敏树脂的量根据位置而变化<br>**（未公开）** | 对比文件无相关内容。 | 同特征I，对比文件未公开喷涂工艺及喷涂量变化，故未公开。 |
| **技术特征K：** 所述步骤(a)包括将所述基底浸入包含所述光敏树脂的容器中的步骤(a-1)<br>**（未公开）** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开任何浸涂工艺，故未公开。 |
| **技术特征L：** 和通过在一个方向上移动所述基底将所述基底与所述容器分离的步骤(a-2)<br>**（未公开）** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开分离步骤，故未公开。 |
| **技术特征M：** 在所述步骤(a-2)中在改变所述基底的移动速度的同时将所述基底与所述容器分离<br>**（未公开）** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开速度变化的分离方式，故未公开。 |
| **技术特征N：** 所述步骤(a)包括在所述基底与辅助基底之间提供所述光敏树脂的步骤(a-1)<br>**（未公开）** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开在基底与辅助基底之间提供光敏树脂的工艺，故未公开。 |
| **技术特征O：** 和移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者的步骤(a-2)<br>**（未公开）** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开移动基底或辅助基底的步骤，故未公开。 |
| **技术特征P：** 在所述步骤(a-2)中在改变所述基底和所述辅助基底中的一者相对于另一者的相对移动速度的同时移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者<br>**（未公开）** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开相对速度变化的移动方式，故未公开。 |
| **技术特征Q：** 在所述步骤(a)中在所述基底的一个表面相对于基面倾斜的状态下提供所述光敏树脂<br>**（未公开）** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开倾斜提供光敏树脂的工艺，故未公开。 |
| **技术特征R：** 将所述光敏树脂干燥<br>**（未公开）** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开干燥步骤，故未公开。 |
根据上述比对，对比文件直接公开了技术特征A和C，隐含公开了技术特征E。其余技术特征均未被直接或隐含公开。
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