对比文件名称：2005-04-27_KR1020050038581A_发明公开_KR1020050038581A 수직 구조를 갖는 다이오드 및 이의 제조방법
目标专利名称：1807一种制作氮化物半导体器件的方法CN102640258B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：在第一支撑衬底上形成氮化镓外延层，所述氮化镓外延层被用作降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层。《直接公开》 | 段落[28]记载：“缓冲层(120)形成在透明基板(100)，优选为蓝宝石基板上。” 该缓冲层为GaN层，并且后续描述了GaN缓冲层的具体结构（如GaN层的第一层、n-GaN层等）。 | 对比文件明确公开了在蓝宝石衬底（第一支撑衬底）上形成GaN缓冲层（即氮化镓外延层）。虽然对比文件未直接文字表述“降低晶格失配和热膨胀系数差别”，但本领域技术人员公知，GaN缓冲层在异质衬底上生长时正是用于缓解晶格失配和热膨胀系数差异，且对比文件上下文（如段落[27]提及GaN外延层质量因热稳定性和相似晶体结构而优良）也隐含了缓冲层的这一作用。因此，对比文件实质上公开了该技术特征，属于直接公开。 |
| 技术特征B：在所述氮化镓外延层上形成第二支撑衬底。未公开。 | 对比文件未记载在GaN外延层上形成第二支撑衬底的相关内容。 | 对比文件在p-GaN层上形成的是透明导电层（如ITO）和p型电极，这些层厚度较薄，主要起电流扩展和接触作用，并非用于支撑处理的厚支撑衬底（目标专利中第二支撑衬底厚度为50~100μm）。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征C：在所述氮化镓外延层的整个侧面以及所述第二支撑衬底的侧面和上表面上形成钝化层。未公开。 | 对比文件未记载形成钝化层以及具体覆盖区域的相关内容。 | 对比文件未涉及任何钝化层的形成，更未提及在侧面和上表面设置保护层，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征D：通过使用所述钝化层作为掩膜蚀刻所述第一支撑衬底。未公开。 | 对比文件未记载使用钝化层作为掩膜蚀刻第一支撑衬底。 | 对比文件去除蓝宝石衬底采用激光剥离（laser lift-off）方法（段落[32]），并非使用钝化层掩膜的蚀刻工艺，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征E：去除所述钝化层从而露出所述第二支撑衬底和所述氮化镓外延层。未公开。 | 对比文件未记载去除钝化层的步骤。 | 对比文件无钝化层，也无第二支撑衬底，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征F：去除所述钝化层后，在所述氮化镓外延层的外露表面上形成单晶氮化镓层。未公开。 | 对比文件未记载在去除蓝宝石衬底后在外延层上再生长单晶GaN层。 | 对比文件在去除蓝宝石衬底后，直接进行金属接触形成（段落[33]~[34]），未进行额外的GaN外延生长，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征G：钝化层由液体搪瓷、特氟龙、石蜡和聚酯中的至少一种制成。未公开。 | 对比文件未记载钝化层及其材料。 | 对比文件无钝化层，因此未公开该特征。 |
| 技术特征H：形成所述钝化层后进行固化工艺。未公开。 | 对比文件未记载钝化层的固化工艺。 | 对比文件无钝化层，因此未公开该特征。 |
| 技术特征I：第一支撑衬底包括氧化物衬底、碳化物衬底和硅衬底中的任意一种。《直接公开》 | 段落[27]记载：“사파이어 기판이 일반적으로 사용되어 왔다”（蓝宝石基板通常被使用）；段落[28]等多次提及“사파이어 기판”（蓝宝石基板）。 | 对比文件明确公开了第一支撑衬底为蓝宝石（Al₂O₃）衬底，蓝宝石属于氧化物衬底，因此直接公开了该技术特征。 |
| 技术特征J：通过湿蚀刻工艺选择性地蚀刻所述第一支撑衬底。未公开。 | 对比文件未记载湿蚀刻工艺。 | 对比文件去除蓝宝石衬底采用激光剥离（段落[32]），并非湿蚀刻，因此未公开该特征。 |
| 技术特征K：钝化层用醇溶剂去除。未公开。 | 对比文件未记载钝化层及其去除方式。 | 对比文件无钝化层，因此未公开该特征。 |
| 技术特征L：第二支撑衬底由与所述第一支撑衬底相同的材料或者由包含金属的导电材料制成。未公开。 | 对比文件未记载第二支撑衬底。 | 对比文件无第二支撑衬底，因此未公开该特征。 |
<<<A>>><<<I>>>