对比文件名称：WO03038874A1_Description_20260718_2036
目标专利名称：1807一种制作氮化物半导体器件的方法CN102640258B
模型名称：AI Assistant
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：在第一支撑衬底上形成氮化镓外延层，所述氮化镓外延层被用作降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层。<br>《直接公开》 | 对比文件[0029]记载：“在透明衬底100上形成缓冲层120，有益地为蓝宝石衬底。缓冲层120最终替代蓝宝石衬底100的功能，可以形成为一层、两层或三层。例如，缓冲层120可以只有通过VPE生长的n-GaN层。对于两层缓冲层，第一层GaN层110通过VPE生长在蓝宝石衬底上，第二层n-GaN层120通过VPE生长在GaN层110上。”<br>对比文件[0006]记载：“缓冲层120是可选的，由例如氮化镓（GaN）制成，形成在衬底100上。” | 对比文件明确公开了在蓝宝石衬底（第一支撑衬底）上形成缓冲层，该缓冲层包含GaN层（即氮化镓外延层）。缓冲层在本领域中公知用于降低衬底与后续外延层之间的晶格失配和热膨胀系数差别，对比文件虽未明确写出该作用，但本领域技术人员可直接且毫无疑义地确定该缓冲层具备此功能。因此，技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B**：在所述氮化镓外延层上形成第二支撑衬底。<br>《未公开》 | 对比文件未公开在氮化镓外延层上形成第二支撑衬底。对比文件在缓冲层上依次形成n-GaN层、有源层、p-GaN层等，但未形成专门用于支撑的厚层衬底。 | 对比文件中没有公开在氮化镓外延层上形成第二支撑衬底的步骤，也未公开任何类似第二支撑衬底的结构。因此，技术特征B未被公开。 |
| **技术特征C**：在所述氮化镓外延层的整个侧面以及所述第二支撑衬底的侧面和上表面上形成钝化层。<br>《未公开》 | 对比文件未公开任何钝化层，也未公开第二支撑衬底。 | 对比文件没有涉及钝化层的形成，也没有第二支撑衬底，因此技术特征C未被公开。 |
| **技术特征D**：通过使用所述钝化层作为掩膜蚀刻所述第一支撑衬底。<br>《未公开》 | 对比文件[0033]记载：“蓝宝石衬底100优选通过激光剥离方法与其他层分离。”未提及使用钝化层作为掩膜蚀刻。 | 对比文件公开的去除衬底方法是激光剥离，而不是使用钝化层作为掩膜进行蚀刻。因此，技术特征D未被公开。 |
| **技术特征E**：去除所述钝化层从而露出所述第二支撑衬底和所述氮化镓外延层。<br>《未公开》 | 对比文件未公开钝化层和第二支撑衬底，因此无相关记载。 | 对比文件没有钝化层，也没有第二支撑衬底，因此不存在去除钝化层露出第二支撑衬底和氮化镓外延层的步骤。技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F**：去除所述钝化层后，在所述氮化镓外延层的外露表面上形成单晶氮化镓层。<br>《未公开》 | 对比文件[0034]和[0035]记载：去除蓝宝石衬底后，可去除缓冲层下面的层，露出n-GaN缓冲层120，然后形成n型电极500。未提及形成单晶氮化镓层。 | 对比文件在去除衬底后没有生长额外的单晶氮化镓层，而是直接形成电极。因此，技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述钝化层由液体搪瓷、特氟龙、石蜡和聚酯中的至少一种制成。<br>《未公开》 | 对比文件未提及任何钝化层材料。 | 对比文件没有公开钝化层，更未公开其材料组成。因此，技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，所述方法进一步包括，形成所述钝化层后进行固化工艺。<br>《未公开》 | 对比文件未公开钝化层及其固化工艺。 | 对比文件没有钝化层形成步骤，因此没有固化工艺。技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述第一支撑衬底包括氧化物衬底、碳化物衬底和硅衬底中的任意一种。<br>《直接公开》 | 对比文件[0029]记载：“在透明衬底100上形成缓冲层120，有益地为蓝宝石衬底。”蓝宝石为氧化铝（Al₂O₃），属于氧化物衬底。 | 对比文件明确公开了蓝宝石衬底，即氧化物衬底，因此技术特征I被直接公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，通过湿蚀刻工艺选择性地蚀刻所述第一支撑衬底。<br>《未公开》 | 对比文件[0033]记载：“蓝宝石衬底100优选通过激光剥离方法与其他层分离。”未提及湿蚀刻。 | 对比文件采用激光剥离，而非湿蚀刻工艺。因此，技术特征J未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述钝化层用醇溶剂去除。<br>《未公开》 | 对比文件未公开钝化层及其去除方法。 | 对比文件没有钝化层，因此没有用醇溶剂去除钝化层的步骤。技术特征K未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述第二支撑衬底由与所述第一支撑衬底相同的材料或者由包含金属的导电材料制成。<br>《未公开》 | 对比文件未公开第二支撑衬底，因此无相关材料记载。 | 对比文件没有第二支撑衬底，因此未公开其材料。技术特征L未被公开。 |
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