对比文件名称：2006-12-12_US7148520B_发明授权_US07148520B2 Diode having vertical structure and method of manufacturing the same
目标专利名称：1807一种制作氮化物半导体器件的方法CN102640258B
本次调用的模型名称：DeepSeek Chat
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：在第一支撑衬底上形成氮化镓外延层，所述氮化镓外延层被用作降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层。《直接公开》 | 对比文件第[0031]段：“在透明衬底100上形成缓冲层120，有利地是蓝宝石衬底。缓冲层120可以形成为一层、两层或三层。例如，缓冲层可以仅具有通过VPE生长的n-GaN层。对于两层缓冲层，第一层GaN层110通过VPE生长在蓝宝石衬底上，第二层n-GaN层120通过VPE生长在GaN层110上。” | 对比文件明确公开了在蓝宝石衬底（第一支撑衬底）上形成GaN缓冲层（即氮化镓外延层）。该缓冲层生长在蓝宝石衬底上，用于减少晶格失配和热膨胀系数差异（如背景技术所述，GaN与蓝宝石之间晶格常数和热膨胀系数不同，缓冲层是改善外延质量的标准手段）。目标专利中氮化镓外延层同样用作缓冲层，作用相同。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| 技术特征B：在所述氮化镓外延层上形成第二支撑衬底。《未公开》 | 无对应内容。对比文件仅在p-GaN层（180）上形成透明导电层（220）和p型电极（240）等，这些层厚度薄（通常纳米至微米级），不构成支撑衬底，且未在去除蓝宝石衬底前形成。 | 对比文件未公开在氮化镓外延层上形成第二支撑衬底。目标专利的第二支撑衬底具有50-100μm厚度，用于支撑外延层并在去除第一支撑衬底后作为处理晶片，而对比文件无此结构。本领域技术人员无法从对比文件合理推断出该特征。 |
| 技术特征C：在所述氮化镓外延层的整个侧面以及所述第二支撑衬底的侧面和上表面上形成钝化层。《未公开》 | 无对应内容。对比文件未提及任何钝化层或类似的保护涂层。 | 对比文件未公开任何钝化层，更未公开在外延层和第二支撑衬底的侧面和上表面形成钝化层。目标专利的钝化层用于保护外延层和第二支撑衬底免受蚀刻剂影响，对比文件使用激光剥离法去除蓝宝石衬底，无需此类保护层。因此，技术特征C未被公开。 |
| 技术特征D：通过使用所述钝化层作为掩膜蚀刻所述第一支撑衬底。《未公开》 | 对比文件第[0035]段：“蓝宝石衬底100优选通过激光剥离法与其他层分离。其他合适的技术也可用于分离蓝宝石衬底100与其他层。” | 对比文件公开的是激光剥离法分离蓝宝石衬底，并未使用钝化层作为掩膜进行蚀刻。目标专利使用钝化层作为掩膜进行湿蚀刻或干蚀刻，对比文件没有教导或暗示使用钝化层掩膜来蚀刻第一支撑衬底。因此，技术特征D未被公开。 |
| 技术特征E：去除所述钝化层从而露出所述第二支撑衬底和所述氮化镓外延层。《未公开》 | 无对应内容。对比文件未涉及钝化层及其去除步骤。 | 由于对比文件未公开钝化层和第二支撑衬底，因此不存在去除钝化层露出这些结构的步骤。技术特征E未被公开。 |
| 技术特征F：去除所述钝化层后，在所述氮化镓外延层的外露表面上形成单晶氮化镓层。《未公开》 | 对比文件第[0036]段：“去除衬底100后，缓冲层120下方的层也可通过干蚀刻去除。这一步骤将暴露出n-GaN缓冲层120，该层将电连接到n接触500，如图8所示。” | 对比文件在去除蓝宝石衬底后，暴露的是n-GaN缓冲层，但随后直接形成n接触（电极），并未在暴露的氮化镓外延层上再生长单晶氮化镓层。目标专利在去除钝化层后通过HVPE形成单晶GaN层，对比文件无此步骤。因此，技术特征F未被公开。 |
| 技术特征G：其特征在于，所述钝化层由液体搪瓷、特氟龙、石蜡和聚酯中的至少一种制成。《未公开》 | 无对应内容。对比文件未提及任何钝化层材料。 | 对比文件完全没有涉及钝化层，更未公开钝化层的具体材料。技术特征G未被公开。 |
| 技术特征H：其特征在于，所述方法进一步包括，形成所述钝化层后进行固化工艺。《未公开》 | 无对应内容。对比文件未提及钝化层形成后的固化工艺。 | 对比文件未公开任何钝化层，因此也不存在固化工艺。技术特征H未被公开。 |
| 技术特征I：其特征在于，所述第一支撑衬底包括氧化物衬底、碳化物衬底和硅衬底中的任意一种。《直接公开》 | 对比文件第[0030]段：“蓝宝石衬底已被普遍使用……”，第[0031]段：“在透明衬底100上形成缓冲层120，有利地是蓝宝石衬底。”蓝宝石（Al2O3）属于氧化物衬底。 | 对比文件明确使用蓝宝石（Al2O3）作为第一支撑衬底，其属于氧化物衬底。目标专利要求第一支撑衬底包括氧化物、碳化物、硅衬底中的任意一种，对比文件公开了其中一种（氧化物衬底），因此技术特征I被直接公开。 |
| 技术特征J：其特征在于，通过湿蚀刻工艺选择性地蚀刻所述第一支撑衬底。《未公开》 | 对比文件第[0035]段：“蓝宝石衬底100优选通过激光剥离法与其他层分离。” | 对比文件公开的是激光剥离法，并非湿蚀刻工艺。本领域技术人员无法从对比文件合理推断出使用湿蚀刻选择性地蚀刻第一支撑衬底。因此，技术特征J未被公开。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述钝化层用醇溶剂去除。《未公开》 | 无对应内容。对比文件未涉及钝化层的去除步骤或溶剂。 | 对比文件未公开钝化层，因此也不存在用醇溶剂去除钝化层的步骤。技术特征K未被公开。 |
| 技术特征L：其特征在于，所述第二支撑衬底由与所述第一支撑衬底相同的材料或者由包含金属的导电材料制成。《未公开》 | 无对应内容。对比文件未公开第二支撑衬底。 | 对比文件没有第二支撑衬底，因此未公开其材料。技术特征L未被公开。 |
### 公开性代码总结
根据上述分析，技术特征A和I被对比文件直接公开，其他技术特征未被直接或隐含公开。
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