好的，作为一名经验丰富的资深专利代理师，我将严格遵循您的要求，对目标专利权利要求的技术特征与对比文件进行严谨、细致的比对分析。
**对比文件名称：** 2005-10-27_JP2005532673A_发明专利_JP2005532673A Vertical structure diode and a method of manufacturing the same
**目标专利名称：** 1807一种制作氮化物半导体器件的方法CN102640258B
**本次调用的模型名称：** 深度思考模型（DeepSeek-R1）
### 特征比对表格
| 第一栏：技术特征描述及公开性判断结果 | 第二栏：对比文件原文引用 | 第三栏：公开性论述 |
| 技术特征A：其特征在于，所述方法包括，在第一支撑衬底上形成氮化镓外延层，所述氮化镓外延层被用作降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层<br><br>**《隐含公开》** | 引用段落[2]：<br>“缓冲层１２０を透過性基板１００、好ましくはサファイア基板上に形成する。”<br>【译文】在透光性基板100，优选为蓝宝石基板上形成缓冲层120。<br><br>引用段落[2]：<br>“緩衝層１２０は、１、２、又は３つの層で形成されてよい。例えば、緩衝層１２０はＶＰＥ法によって成長させたｎ型ＧａＮ層だけを持ってもよい。”<br>【译文】缓冲层120可以由1层、2层或3层构成。例如，缓冲层120可以仅具有通过VPE法生长的n型GaN层。<br><br>引用段落[2]：<br>“緩衝層が２つの場合には、第一の層であるＧａＮ層１１０をＶＰＥ法等によりサファイア基板上に成長させ、第二の層であるｎ型ＧａＮ層１２０をＶＰＥ法等によりＧａＮ層１１０上に成長させる。”<br>【译文】缓冲层为两层的情况下，通过VPE法等在蓝宝石基板上生长第一层即GaN层110，通过VPE法等在GaN层110上生长第二层即n型GaN层120。 | 本领域技术人员公知，在异质衬底（如蓝宝石）上生长GaN时，首先形成缓冲层的主要目的就是为了降低衬底与后续外延层之间的晶格失配和热膨胀系数差异，从而获得高质量的晶体。对比文件明确公开了在蓝宝石基板（第一支撑衬底）上形成缓冲层120，该缓冲层可以包括GaN层110和/或n型GaN层120。这些层本质上就是氮化镓外延层，并且其形成位置和功能（作为后续外延生长的底层）与目标专利的GaN外延层高度一致。虽然对比文件未明确以文字表述其“用作降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层”，但这层结构在异质外延中的固有作用对于本领域技术人员来说是公知常识，是隐含在缓冲层这一概念中的。因此，此技术特征被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征B：在所述氮化镓外延层上形成第二支撑衬底<br><br>**对比文件未公开** | 引用段落[2]：<br>“図６Ａに示すように、サファイア基板１００を好ましくはレーザリフトオフ法により他の層から分離する。”<br>【译文】如图6A所示，优选通过激光剥离法将蓝宝石基板100与其他层分离。<br><br>引用段落[2]：<br>“図８に示すように、透過性導電層２２０をｐ型ＧａＮ層１８０上に形成する。...ｎ型電極５００を緩衝層１２０の底部に形成する。”<br>【译文】如图8所示，在p型GaN层180上形成透明导电层220。...在缓冲层120的底部形成n型电极500。 | 对比文件公开的技术方案是在去除蓝宝石基板100后，在露出的缓冲层120底部直接形成n型电极500，作为支撑和电极。整个过程中，并未在氮化镓外延层（如缓冲层120）上形成一个独立的、与第一支撑衬底（蓝宝石）功能类似的“第二支撑衬底”。对比文件中的n型电极500虽然位于底部，但其主要功能是提供电接触和反射光，而不是作为处理晶圆或支撑衬底。目标专利中的第二支撑衬底120具有明确的物理支撑和便于处理的功能，并且其厚度和材料（如金属）与电极不同。因此，对比文件既未直接公开，也未隐含公开该项技术特征。 |
| 技术特征C：在所述氮化镓外延层的整个侧面以及所述第二支撑衬底的侧面和上表面上形成钝化层<br><br>**对比文件未公开** | 对比文件全文未提及“钝化层”、“保护层”、“涂层”或与之等效的、在去除基板过程中用于保护外延层侧面的结构。对比文件在去除蓝宝石基板（图6A）时，未描述任何用于保护其他层（如缓冲层120、n型GaN层140、有源层160等）侧面的掩膜或保护层。 | 对比文件在去除蓝宝石基板时，采用的是激光剥离工艺。该工艺通过激光照射基板与外延层的界面使其分解，从而分离基板。在此过程中，对比文件没有公开任何保护器件侧壁或背面的钝化层结构。而目标专利明确要求为了保护外延层和第二支撑衬底免受蚀刻剂影响，需要在它们的整个侧面和上表面形成钝化层，这是目标专利的一个关键发明点。对比文件既未直接描述也未暗示任何此类结构或步骤。因此，此项技术特征未被对比文件公开。 |
| 技术特征D：通过使用所述钝化层作为掩膜蚀刻所述第一支撑衬底<br><br>**对比文件未公开** | 引用段落[2]：<br>“図６Ａに示すように、サファイア基板１００を好ましくはレーザリフトオフ法により他の層から分離する。”<br>【译文】如图6A所示，优选通过激光剥离法将蓝宝石基板100与其他层分离。 | 由于对比文件未公开形成钝化层（技术特征C），因此也就不存在使用该钝化层作为掩膜来蚀刻第一支撑衬底（蓝宝石基板）的步骤。对比文件明确采用激光剥离法来去除蓝宝石基板，这是一种物理/热分解过程，而非使用掩膜进行的选择性湿蚀刻。目标专利的核心在于使用钝化层作为掩膜进行湿法蚀刻，这与对比文件的激光剥离工艺在原理和步骤上完全不同。因此，此项技术特征未被对比文件公开。 |
| 技术特征E：去除所述钝化层从而露出所述第二支撑衬底和所述氮化镓外延层<br><br>**对比文件未公开** | 对比文件全文未提及“钝化层”、“保护层”、“涂层”或与之等效的结构。因此，不存在关于去除该层的描述。 | 由于技术特征C和D均未被公开，作为其后续步骤的技术特征E自然也未被公开。对比文件无此步骤，因此此项技术特征未被对比文件公开。 |
| 技术特征F：去除所述钝化层后，在所述氮化镓外延层的外露表面上形成单晶氮化镓层<br><br>**对比文件未公开** | 引用段落[2]：<br>“図８に示すように、透過性導電層２２０をｐ型ＧａＮ層１８０上に形成する。...ｎ型電極５００を緩衝層１２０の底部に形成する。”<br>【译文】如图8所示，在p型GaN层180上形成透明导电层220。...在缓冲层120的底部形成n型电极500。 | 对比文件在去除基板后，是在露出的外延层（缓冲层）上直接形成电极（n型电极500），目的是完成垂直结构的LED器件。而目标专利的技术特征F是在去除基板和钝化层后，在露出的GaN外延层上继续生长一层新的单晶GaN层，目的是获得高质量的单晶GaN衬底。两者的目的和后续步骤完全不同。对比文件虽然没有生长单晶GaN层，但本领域技术人员在阅读对比文件后，可能会想到在去除基板后的GaN层上生长同质层，但对比文件本身未给出任何技术启示或教导，因此不能认定为隐含公开。此项技术特征未被对比文件公开。 |
| 技术特征G：其特征在于，所述钝化层由液体搪瓷、特氟龙、石蜡和聚酯中的至少一种制成。<br><br>**对比文件未公开** | 对比文件全文未提及“钝化层”、“保护层”、“涂层”或与之等效的结构。因此，未提及任何关于其材料组成的描述。 | 由于对比文件未公开钝化层，因而也未公开构成钝化层的具体材料。此项技术特征未被对比文件公开。 |
| 技术特征H：其特征在于，所述方法进一步包括，形成所述钝化层后进行固化工艺。<br><br>**对比文件未公开** | 对比文件全文未提及“钝化层”、“保护层”、“涂层”或与之等效的结构。因此，未提及任何关于形成该层后的“固化工艺”的描述。 | 由于对比文件未公开钝化层，因而也未公开形成钝化层后进行固化工艺这一步骤。此项技术特征未被对比文件公开。 |
| 技术特征I：其特征在于，所述第一支撑衬底包括氧化物衬底、碳化物衬底和硅衬底中的任意一种。<br><br>**《直接公开》** | 引用段落[2]：<br>“図３に示すように、緩衝層１２０を透過性基板１００、好ましくはサファイア基板上に形成する。”<br>【译文】如图3所示，在透光性基板100，优选为蓝宝石基板上形成缓冲层120。<br><br>引用段落[2]：<br>“サファイア基板１００を好ましくはレーザリフトオフ法により他の層から分離する。”<br>【译文】优选通过激光剥离法将蓝宝石基板100与其他层分离。 | 对比文件明确且反复地公开了其基板为“蓝宝石（Al₂O₃）基板”，而蓝宝石是氧化铝，属于“氧化物衬底”。因此，对比文件直接公开了技术特征I中“氧化物衬底”这一具体选项。本领域技术人员可以从对比文件中毫无疑义地得出该技术特征。 |
| 技术特征J：其特征在于，通过湿蚀刻工艺选择性地蚀刻所述第一支撑衬底。<br><br>**对比文件未公开** | 引用段落[2]：<br>“図６Ａに示すように、サファイア基板１００を好ましくはレーザリフトオフ法により他の層から分離する。”<br>【译文】如图6A所示，优选通过激光剥离法将蓝宝石基板100与其他层分离。 | 对比文件明确公开了其去除第一支撑衬底（蓝宝石基板）的方法是“激光剥离法”，这是一种利用激光照射使材料分解的物理方法，而非化学的“湿蚀刻工艺”。两者在原理和实现方式上完全不同。因此，此项技术特征未被对比文件公开。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述钝化层用醇溶剂去除。<br><br>**对比文件未公开** | 对比文件全文未提及“钝化层”、“保护层”、“涂层”或与之等效的结构。因此，未提及任何关于去除该层所使用的溶剂。 | 由于对比文件未公开钝化层，因而也未公开去除钝化层所使用的醇溶剂及其具体方法。此项技术特征未被对比文件公开。 |
| 技术特征L：其特征在于，所述第二支撑衬底由与所述第一支撑衬底相同的材料或者由包含金属的导电材料制成。<br><br>**对比文件未公开** | 对比文件未公开“第二支撑衬底”这一概念。对比文件在去除蓝宝石基板后，在露出的缓冲层底部形成的是n型电极500，其材料为“Ｔｉ／Ａｌ、Ｃｒ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｕ”等，这些是金属，但其功能是电极，而非支撑衬底。 | 由于对比文件未公开技术特征B中的“第二支撑衬底”，因此其具体材料构成也就无从谈起。对比文件中的n型电极500虽然由金属制成，但其作用并非如目标专利中的第二支撑衬底那样提供物理支撑，而是作为电极。因此，此项技术特征未被对比文件公开。 |
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