对比文件的名称：2005-11-02_CN1692499A_发明公开_CN1692499A 基于氮化镓的装置和制造方法
目标专利的名称：1807一种制作氮化物半导体器件的方法CN102640258B
本次调用的模型名称：AI专利评估模型
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：在第一支撑衬底上形成氮化镓外延层，所述氮化镓外延层被用作降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层。公开性判断：未公开 | 对比文件公开了在硅基板上沉积氮化物半导体晶核形成层，该晶核形成层最佳由实质上纯氮化铝（AlN）形成。例如，说明书发明内容部分记载：“将氮化物半导体晶核形成层沉积在硅基板上，晶核形成层最佳是由具有主要由铝组成的金属内容物（最佳为实质上纯氮化铝）的氮化物半导体形成。” | 目标专利明确要求GaN外延层作为缓冲层直接接触第一支撑衬底，而对比文件中的晶核形成层为AlN，并非GaN，且该AlN层的作用为晶核形成而非如目标专利所述的降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层。因此，对比文件未公开此技术特征。 |
| 技术特征B：在所述氮化镓外延层上形成第二支撑衬底。公开性判断：未公开 | 对比文件公开了将过渡载体结合到氮化物结构的上表面，例如，说明书具体实施方式部分记载：“将合并有硅基板10和氮化物结构36的半导体结构与过渡载体42相连接，使得氮化物结构的上表面38承受载体”。 | 对比文件中的载体是临时结合在氮化物结构（含操作结构、缓冲结构等）的上表面，并非形成在GaN外延层上，且载体在后续步骤中被去除，并非永久支撑衬底。目标专利的第二支撑衬底是永久性结构，用于支撑GaN外延层并最终保留。因此，对比文件未公开此技术特征。 |
| 技术特征C：在所述氮化镓外延层的整个侧面以及所述第二支撑衬底的侧面和上表面上形成钝化层。公开性判断：未公开 | 对比文件未提及在氮化物结构的侧面和上表面形成钝化层。在去除基板过程中，对比文件仅使用载体保护上表面，未涉及侧面保护。 | 对比文件没有任何步骤或描述涉及在GaN外延层和第二支撑衬底的整个侧面及上表面形成钝化层，因此未公开此技术特征。 |
| 技术特征D：通过使用所述钝化层作为掩膜蚀刻所述第一支撑衬底。公开性判断：未公开 | 对比文件在去除硅基板时直接使用蚀刻剂，未使用掩膜。例如，说明书具体实施方式部分记载：“通过蚀刻除去基板10，较佳为在70℃使用蚀刻剂如氢氧化钾溶液，例如，20重量％的KOH水溶液，其侵蚀硅基板但没有明显粘附氮化物结构”。 | 对比文件没有使用钝化层作为掩膜，而是直接蚀刻硅基板，利用氮化物结构本身作为蚀刻停止层。因此，未公开本技术特征。 |
| 技术特征E：去除所述钝化层从而露出所述第二支撑衬底和所述氮化镓外延层。公开性判断：未公开 | 对比文件没有形成钝化层，因此没有去除钝化层的步骤。在去除基板后，对比文件暴露氮化物结构的下表面，然后施加基底，并去除载体，但未涉及钝化层。 | 由于对比文件未公开钝化层，故不存在去除钝化层以露出第二支撑衬底和GaN外延层的步骤，未公开此技术特征。 |
| 技术特征F：去除所述钝化层后，在所述氮化镓外延层的外露表面上形成单晶氮化镓层。公开性判断：未公开 | 对比文件在去除基板后，在暴露的下表面上施加基底，例如，说明书具体实施方式部分记载：“将基底44施加到下表面40上。希望该基材为具有良好电绝缘性质的材料，如氮化铝或碳质、类金刚石材料。” | 对比文件在去除基板后并未生长单晶GaN层，而是沉积绝缘基底（如AlN或类金刚石），与目标专利在GaN外延层外露表面上生长单晶GaN层完全不同。因此，未公开本技术特征。 |
| 技术特征G：所述钝化层由液体搪瓷、特氟龙、石蜡和聚酯中的至少一种制成。公开性判断：未公开 | 对比文件仅在肖特基二极管实施例中提及“可形成随意钝化层314”，但未指定材料，且该钝化层是器件的一部分，并非用于去除基板工艺中的保护涂层。 | 对比文件未公开任何具体钝化层材料，更未涉及目标专利限定的液体搪瓷、特氟龙、石蜡或聚酯等材料，因此未公开本技术特征。 |
| 技术特征H：所述方法进一步包括，形成所述钝化层后进行固化工艺。公开性判断：未公开 | 对比文件未提及形成钝化层后的固化工艺。 | 对比文件没有任何关于钝化层固化工艺的描述，未公开本技术特征。 |
| 技术特征I：所述第一支撑衬底包括氧化物衬底、碳化物衬底和硅衬底中的任意一种。公开性判断：《直接公开》 | 对比文件明确使用硅基板作为外延生长衬底，并在背景技术中提及蓝宝石（氧化物）和碳化硅。例如，背景技术部分记载：“高质量硅基板普遍以合理成本得到”；“氮化物半导体最常是在结晶蓝宝石晶圆上生长”；“碳化硅是针对高质量氮化镓生长的较理想材料”。 | 对比文件直接公开了硅基板作为第一支撑衬底，且背景技术中提及蓝宝石和碳化硅，因此目标专利限定的“第一支撑衬底包括氧化物衬底、碳化物衬底和硅衬底中的任意一种”已被对比文件直接公开。 |
| 技术特征J：通过湿蚀刻工艺选择性地蚀刻所述第一支撑衬底。公开性判断：《直接公开》 | 对比文件在去除硅基板时明确使用湿蚀刻工艺，例如，说明书具体实施方式部分（关于图3）记载：“通过蚀刻除去基板10，较佳为在70℃使用蚀刻剂如氢氧化钾溶液，例如，20重量％的KOH水溶液，其侵蚀硅基板但没有明显粘附氮化物结构”。 | 对比文件公开了使用湿蚀刻（KOH溶液）选择性去除硅基板，与目标专利的湿蚀刻工艺相同，因此直接公开了本技术特征。 |
| 技术特征K：所述钝化层用醇溶剂去除。公开性判断：未公开 | 对比文件未提及任何关于钝化层去除的溶剂。 | 由于对比文件未公开钝化层，因此也未公开去除钝化层所用的醇溶剂，未公开本技术特征。 |
| 技术特征L：所述第二支撑衬底由与所述第一支撑衬底相同的材料或者由包含金属的导电材料制成。公开性判断：未公开 | 对比文件中的载体为蓝宝石（氧化物），基底为氮化铝或类金刚石，均非金属材料，且与第一支撑衬底（硅）材料不同。 | 对比文件没有公开与第一支撑衬底相同材料或金属导电材料的第二支撑衬底，因此未公开本技术特征。 |
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