对比文件名称：2008-05-13_US7371597B_发明授权_US07371597B2 Diode having vertical structure and method of manufacturing the same
目标专利名称：1807一种制作氮化物半导体器件的方法CN102640258B
本次调用的模型名称：AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其特征在于，所述方法包括，在第一支撑衬底上形成氮化镓外延层，所述氮化镓外延层被用作降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层。**《直接公开》** | [0032]“缓冲层120形成在透明衬底100上，有利地是蓝宝石衬底。缓冲层120最终取代蓝宝石衬底100的功能，可以形成为一层、两层或三层。例如，缓冲层120可以只有通过VPE生长的n-GaN层。对于两层缓冲层，第一层GaN层110通过VPE生长在蓝宝石衬底上，第二层n-GaN层120通过VPE生长在GaN层110上。” | 对比文件明确公开了在蓝宝石衬底（第一支撑衬底）上形成GaN缓冲层（GaN层110或n-GaN层120），该缓冲层用于提供后续外延生长的基础，其作用即降低晶格失配和热膨胀系数差别，与目标专利中氮化镓外延层的功能相同。因此，本领域技术人员可以直接确定该特征被公开。 |
| **技术特征B**：在所述氮化镓外延层上形成第二支撑衬底。**未公开** | 无（对比文件未公开相关内容） | 对比文件在形成缓冲层后，直接在其上形成n-GaN层、有源层等，并未形成额外的第二支撑衬底。本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得到该特征。 |
| **技术特征C**：在所述氮化镓外延层的整个侧面以及所述第二支撑衬底的侧面和上表面上形成钝化层。**未公开** | 无 | 对比文件未公开任何钝化层，也未公开第二支撑衬底，因此未公开。 |
| **技术特征D**：通过使用所述钝化层作为掩膜蚀刻所述第一支撑衬底。**未公开** | 无 | 对比文件采用激光剥离去除第一支撑衬底，未使用钝化层作为掩膜进行蚀刻，因此未公开。 |
| **技术特征E**：去除所述钝化层从而露出所述第二支撑衬底和所述氮化镓外延层。**未公开** | 无 | 对比文件没有钝化层和第二支撑衬底，因此未公开。 |
| **技术特征F**：去除所述钝化层后，在所述氮化镓外延层的外露表面上形成单晶氮化镓层。**未公开** | 无 | 对比文件在去除蓝宝石衬底后，没有进一步生长单晶氮化镓层，而是直接形成电极，因此未公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述钝化层由液体搪瓷、特氟龙、石蜡和聚酯中的至少一种制成。**未公开** | 无 | 对比文件未公开任何钝化层及其材料。 |
| **技术特征H**：其特征在于，所述方法进一步包括，形成所述钝化层后进行固化工艺。**未公开** | 无 | 对比文件未公开钝化层及固化工艺。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述第一支撑衬底包括氧化物衬底、碳化物衬底和硅衬底中的任意一种。**《直接公开》** | [0032]“透明衬底100，有利地是蓝宝石衬底。” | 对比文件明确公开第一支撑衬底为蓝宝石衬底，属于氧化物衬底，因此直接公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，通过湿蚀刻工艺选择性地蚀刻所述第一支撑衬底。**未公开** | 无 | 对比文件采用激光剥离去除衬底，未提及湿蚀刻工艺，因此未公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述钝化层用醇溶剂去除。**未公开** | 无 | 对比文件未公开钝化层及其去除方法。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述第二支撑衬底由与所述第一支撑衬底相同的材料或者由包含金属的导电材料制成。**未公开** | 无 | 对比文件未公开第二支撑衬底，因此未公开。 |
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