**对比文件名称**：2011-11-16_TW201140714A_发明专利_TW201140714A 凹入的半導體基底和相關技術 RECESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATES AND ASSOCIATED TECHNIQUES
**目标专利名称**：具有无源器件的低剖型封装 CN106030782B
**本次调用的模型名称**：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板 <br> **《直接公开》** | 说明书第[0035]段：“封裝組件100包括半導體基底102，半導體基底102是大體上包括諸如矽(Si)之類的半導體材料的基底或內插板(interposer)。” | 对比文件明确公开了作为封装核心支撑结构的“半导体基底102”，其属于“基板”的一种具体类型。本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了“基板”这一技术特征。 |
| **技术特征B**：在所述基板的第一表面中的第一凹陷 <br> **《直接公开》** | 说明书第[0035]段：“依據各種實施方式，所述半導體基底的第二表面A2是凹入的。”<br>说明书第[0079]段：“參見圖7A，描繪了在半導體基底102的第一表面A1中形成一個或更多個溝槽103之後的封裝組件700。” | 对比文件明确公开了在半导体基底102的表面（无论是第一表面A1还是第二表面A2）形成“凹入的”区域或“溝槽”。该“凹入”或“溝槽”结构在物理形态上即为基板表面的凹陷。本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了“在基板表面中的凹陷”这一技术特征。 |
| **技术特征C**：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分 <br> **《直接公开》** | 说明书第[0035]段：“依據各種實施方式，形成一個或更多個過孔104穿過半導體基底102。所述一個或更多個過孔104提供半導體基底102的第一表面A1和第二表面A2之間的電通路。”<br>说明书第[0079]-[0085]段：描述了形成沟槽103（未贯穿），沉积导电材料形成过孔104，然后通过凹入第二表面A2来暴露过孔104。 | 对比文件详细描述了贯穿半导体基底102的“过孔104”的形成过程（例如图7A-7G）。这些过孔从基底的一个表面延伸到相对表面，必然穿过基板的实体部分（即非凹陷部分）。虽然对比文件未使用“非凹陷部分”的表述，但本领域技术人员能够毫无疑义地理解，为了实现电通路功能，导电过孔必须穿过基板的实体材料部分，这必然包括“非凹陷部分”。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征D**：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端 <br> **《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件公开了穿基板通孔（过孔104）和基板表面的凹陷（凹入表面或沟槽103），但并未描述或暗示这些过孔在第一表面的端部必须位于“毗邻所述第一凹陷的区域中”。该特征限定了通孔端部与凹陷之间特定的相对位置关系。对比文件中通孔和凹陷的形成是各自独立的工艺步骤，没有给出将通孔端部特意设置在毗邻凹陷区域的技术启示或结构性描述。因此，该特征既未被直接公开，也无法从对比文件公开的内容中合理推断出来（隐含公开）。 |
| **技术特征E**：其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器 <br> **《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件中的过孔104主要用于提供垂直方向的电互连通路，将再分布层106与封装互连结构114连接起来。尽管对比文件在第[0043]段泛泛提及组件可包括“电感器”，但通篇没有记载任何关于将两个或更多穿基板通孔在基板第二表面上通过导体连接起来以形成“嵌入式电感器”的具体结构、配置或技术启示。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出这一特定的、用于形成电感器的通孔连接结构。 |
| **技术特征F**：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷 <br> **《未公开》** | 说明书第[0049]段：“在所述一個或更多個再分佈層106上形成諸如一個或更多個焊料球或焊料柱之類的一個或更多個封裝互連結構114以進一步路由一個或更多個裸片108的電信號。”<br>图7L, 8A等显示了封装互连结构114。 | 对比文件公开了“封装互连结构114”（如焊料球），并描述了其与再分布层106的耦合关系。然而，对比文件并未描述这些互连结构被“包括在”基板表面的“凹陷内”。在对比文件的附图（如7L, 8A）和描述中，互连结构114通常是附着在再分布层106的暴露焊盘上，而该再分布层位于基板表面或模塑胶表面上方，并非位于基板材料本体形成的凹陷空腔内。因此，该特征未被直接公开。虽然基板有凹入表面，但互连结构并未被描述为容纳于其中，故也无法合理推断为隐含公开。 |
| **技术特征G**：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一 <br> **《直接公开》** | 说明书第[0039]段：“在半導體基底102上形成一個或更多個再分佈層106以路由耦合至半導體基底102的所述一個或更多個裸片108的電信號。舉例而言，所述一個或更多個再分佈層106在所述一個或更多個裸片108和所述一個或更多個過孔104之間可提供電路由。”<br>说明书第[0081]段：“參見圖7D，描繪了在佈置於半導體基底102的第一表面A1上的所述電介質膜105上形成一個或更多個再分佈層106之後的封裝組件700。所述一個或更多個再分佈層106電耦合至所述一個或更多個過孔104。” | 对比文件明确公开了在基板第一表面A1上形成的“再分布层106”，其作用包括在裸片108和过孔104之间提供电路由。同时，对比文件也公开了封装互连结构114耦合至再分布层106（如第[0049]段，图7L）。因此，再分布层106客观上起到了将互连结构114（相当于“第一互连”）电耦合至过孔104（相当于“第一穿基板通孔之一”）的作用。本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器 <br> **《未公开》** | 说明书第[0043]段：“舉例而言，所述組件可包括過濾器組件、電阻器、電感器、功率放大器、電容器或經封裝的IC。” | 对比文件仅在列举可能集成的组件时提到了“电容器”，但完全没有描述任何关于电容器“毗邻基板对向的第二表面”的具体位置关系，更没有提及任何“第二穿基板通孔”（即从凹陷延伸的较短通孔）的存在及其与电容器的耦合关系。该特征是目标专利中一个具体的结构组合，对比文件未提供任何相关的技术启示。因此，既非直接公开，也无法隐含公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔 <br> **《未公开》** | 无对应内容。 | 该特征是对技术特征E中“嵌入式电感器”的进一步限定。由于技术特征E（形成嵌入式电感器的核心结构）未被对比文件公开，因此该从属特征I也未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器 <br> **《未公开》** | 无对应内容。 | 同特征I，该特征依附于未被公开的技术特征E，因此也未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球 <br> **《未公开》** | 关于基板：说明书第[0035]段明确指出基底是“半导体材料”，如硅(Si)。<br>关于互连：说明书第[0049]段公开了“焊料球”。 | 对比文件明确限定其基底为“半导体基底”，例如硅，并未提及“玻璃基板”。虽然“焊球”这一互连类型被公开，但基板材料这一限定条件未被公开。本领域技术人员无法从半导体基底的描述中毫无疑义地得出或合理推断出“玻璃基板”。因此，该组合特征未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱 <br> **《直接公开》** | 关于基板：说明书第[0035]段：“半導體基底102，...是大體上包括諸如矽(Si)之類的半導體材料的基底”。<br>关于互连：说明书第[0049]段：“在所述一個或更多個再分佈層106上形成諸如一個或更多個焊料球或**焊料柱**之類的一個或更多個封裝互連結構114”。 | 对比文件明确公开了基板是“半导体基底”，即半导体基板。同时，公开了互连结构包括“焊料柱”，焊料柱是金属柱的一种典型形式。本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了“基板包括半导体基板，并且第一互连包括金属柱”这一技术特征。 |
| **技术特征M**：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球 <br> **《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件通篇未提及“有机基板”。其基板被明确描述为半导体材料。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球 <br> **《未公开》** | 无对应内容。 | 同特征M，未被公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷 <br> **《直接公开》** | 说明书第[0079]段：“在半導體基底102的第一表面A1中形成**一個或更多個**溝槽103”。（强调“多个”） | 对比文件在描述形成沟槽（即凹陷）时，使用了“一个或更多个”的表述，并附图示出了多个沟槽。本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了在基板表面存在多个凹陷（包括“第二凹陷”）的技术方案。 |
| **技术特征P**：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球 <br> **《未公开》** | 说明书第[0049]段描述了封装互连结构114用于路由电信号。 | 对比文件公开的封装互连结构114（如焊球）均被描述为用于“路由电信号”，即具有电功能。对比文件没有描述任何仅用于机械紧固而无电功能的互连结构，也没有将这种互连与特定的凹陷相关联。该特征是一个具有特定功能限定的结构，未被对比文件公开。 |
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