对比文件名称：2018-05-09_JP6318540B_发明专利_JP6318540B2 磁気記録媒体
目标专利名称：203具有无源器件的低剖型封装CN106030782B
模型名称：本次评估由深度思考模型执行。
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板<br>**《直接公开》** | [0012]段：<br>“非磁性支持体1は、例えば、可撓性を有する長尺状のフィルムである。非磁性支持体1の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィン類、セルローストリアセテート、セルロースダイアセテート、セルロースブチレートなどのセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミドイミドなどのプラスチック、アルミニウム合金、チタン合金などの軽金属、アルミナガラスなどのセラミックなどを用いることができる。”<br>译文：非磁性支持体1例如是具有柔性的长尺寸薄膜。作为非磁性支持体1的材料，例如可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯等聚酯类、聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃类、纤维素三乙酸酯、纤维素二乙酸酯、纤维素丁酸酯等纤维素衍生物、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯等乙烯基树脂、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺等塑料、铝合金、钛合金等轻金属、氧化铝玻璃等陶瓷等。 | 对比文件明确公开了“非磁性支持体1”，其作为承载磁性层（3）和非磁性层（2）的基础结构，其作用是为磁性记录媒体提供物理支撑。在目标专利中，基板的作用同样是作为封装结构的物理支撑体，用于承载无源器件（如电感器、电容器）、互连结构和重分布层。尽管两者应用领域不同（磁性记录 vs. 集成电路封装），但“基板”或“支持体”作为承载其他功能层的底层基础结构，其基本作用和结构位置是相同的。本领域技术人员能够毫无疑义地认为对比文件中的“非磁性支持体”公开了目标专利权利要求中的“基板”这一技术特征。因此，技术特征A被**直接公开**。 |
| **技术特征B**：在所述基板的第一表面中的第一凹陷<br>**《未公开》** | 无 | 对比文件全文涉及磁性记录媒体，其结构由非磁性支持体及涂覆于其上的非磁性层、磁性层等组成，均为平面层状结构。说明书中未描述在基板（非磁性支持体）表面形成任何凹陷结构。本领域技术人员无法从磁性粉末、结合剂、溶剂、涂层工艺等内容中推理出在基板表面形成用于容纳互连的凹陷。因此，技术特征B既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征C**：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分<br>**《未公开》** | 无 | 对比文件描述的是多层涂布形成的薄膜结构（非磁性层、磁性层），并未涉及任何穿透基板（非磁性支持体）的通孔结构。本领域技术人员无法从磁性记录媒体的成分、涂层方法或评价参数中，合理推断出存在延伸穿过基板的穿基板通孔。因此，技术特征C既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征D**：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端<br>**《未公开》** | 无 | 由于对比文件未公开任何“凹陷”（技术特征B）和“穿基板通孔”（技术特征C），因此自然也未能公开穿基板通孔的端部位置这一特征。因此，技术特征D既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征E**：其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器<br>**《未公开》** | 无 | 对比文件未公开任何穿基板通孔，更未公开通过基板相对表面上的导体将多个通孔耦合以形成电感器的结构。其内容完全围绕磁性粉末的性能、涂层工艺和磁记录特性，与形成嵌入式电感器的电路结构无关。因此，技术特征E既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征F**：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷<br>**《未公开》** | 无 | 对比文件未公开任何“凹陷”（技术特征B），也未公开任何“互连”结构（如焊球、金属柱）。其内容是关于磁记录介质的制造，不涉及将封装电连接到外部电路板的互连部件。因此，技术特征F既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征G**：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一<br>**《未公开》** | 无 | 对比文件未公开“重分布层”这一结构。其描述的表面层是磁性层或非磁性层，用于磁记录功能，而非用于重新分布电路连接。同时，由于也未公开“互连”（技术特征F）和“穿基板通孔”（技术特征C），因此更不可能公开将两者电耦合的重分布层。因此，技术特征G既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器<br>**《未公开》** | 无 | 对比文件未公开任何电容器结构，也未公开任何电耦合至电容器的穿基板通孔。其改进点在于磁性层的磁特性以改善信噪比，与集成无源器件（如电容器）的封装结构无关。因此，技术特征H既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔<br>**《未公开》** | 无 | 由于对比文件未公开任何“嵌入式电感器”（技术特征E）和“第一穿基板通孔”（技术特征C），因此自然也未能公开关于电感器具体组成的这一特征。因此，技术特征I既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器<br>**《未公开》** | 无 | 同理，对比文件未公开任何嵌入式电感器，因此无法公开存在多个嵌入式电感器的特征。因此，技术特征J既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球<br>**《未公开》** | [0012]段提到了“アルミナガラスなどのセラミック”（氧化铝玻璃等陶瓷）。 | 对比文件[0012]段公开了非磁性支持体的材料可包括“氧化铝玻璃等陶瓷”，这相当于公开了“基板包括玻璃基板”这一部分。然而，技术特征K是一个并列技术特征，要求同时满足“基板包括玻璃基板”和“第一互连包括焊球”。对比文件完全没有公开任何“焊球”或类似结构的互连部件。因此，技术特征K作为一个整体技术方案（玻璃基板+焊球互连）并未被对比文件公开。玻璃基板部分虽被公开，但焊球部分未被公开，且两者在对比文件中不存在关联，本领域技术人员无法从磁性记录媒体的内容中推断出在玻璃基板上设置焊球互连。因此，技术特征K既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱<br>**《未公开》** | 无 | 对比文件未公开基板材料为半导体基板（如硅），也未公开任何金属柱互连结构。因此，技术特征L既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征M**：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球<br>**《未公开》** | [0012]段提到了“ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミドイミドなどのプラスチック”（聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺等塑料）。 | 对比文件[0012]段公开了非磁性支持体的材料可包括多种塑料，例如聚碳酸酯、聚酰亚胺等，这些属于有机材料，相当于公开了“基板包括有机基板”这一部分。然而，与技术特征K同理，技术特征M要求同时满足“有机基板”和“焊球互连”。对比文件未公开任何焊球结构。因此，技术特征M作为一个整体技术方案并未被公开。有机基板部分虽被公开，但焊球部分未被公开，且两者在对比文件中无关联。因此，技术特征M既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球<br>**《未公开》** | [0012]段提到了“ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミドイミドなどのプラスチック”（聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺等塑料）。 | 此特征与技术特征M的文字描述完全相同。基于相同的理由，对比文件仅公开了有机基板部分，未公开焊球部分。因此，技术特征N作为一个整体技术方案也未被公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷<br>**《未公开》** | 无 | 对比文件未公开任何凹陷结构，因此自然没有第一凹陷、第二凹陷之分。因此，技术特征O既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征P**：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球<br>**《未公开》** | 无 | 对比文件未公开任何凹陷（技术特征O）和任何互连（包括仅具机械功能的焊球）。因此，技术特征P既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
### 结论
根据对比文件JP6318540B2公开的内容，仅技术特征A（基板）被直接公开。其余技术特征（B至P）均未在对比文件中被直接或隐含公开。因此，在回答的结尾仅插入对应技术特征A被直接公开的代码。
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