**对比文件名称**：2014-06-12_US2014159850A_发明申请_US20140159850A1 INDUCTOR FORMED IN SUBSTRATE
**目标专利名称**：具有无源器件的低剖型封装CN106030782B
**模型名称**：DeepSeek-R1
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板 <br> **《直接公开》** | “FIG. 1 is a cross section schematic view of an **organic substrate 100** having multiple layers.” (说明书第[0011]段) | 对比文件明确公开了“有机基板100”，其是器件（例如电感器157、158）的载体和组成部分。本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件中的“基板”公开了本专利中的“基板”。因此，技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B**：在所述基板的第一表面中的第一凹陷 <br> **《未被公开》** | 未找到相关描述。 | 对比文件全文未提及在基板表面形成任何“凹陷”（recess, cavity, dent）结构。其互连结构（如焊球）直接位于基板表面，如工艺步骤中描述的“second level interconnect layer surface finish and pad formation”（说明书第[0018]段）。目标专利中的“凹陷”是其实现低剖型封装的核心结构，用于容纳互连件以降低整体高度。对比文件未公开此特征。 |
| **技术特征C**：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分，<br> **《未被公开》** | “vertical interconnect 167”（说明书第[0014]段），“forming a conductive vertical interconnect through the second dielectric layer”（说明书第[0017]段） | 对比文件公开了“垂直互连”（vertical interconnect）167等，其延伸穿过介电层（如140，130）。然而，目标专利中的“第一穿基板通孔”特指**延伸穿过整个基板**的通孔（见说明书[0027]段：“从基板的第一侧延伸到对向的第二侧”）。对比文件的垂直互连167仅穿过部分介电层（如层140），其下方还有超薄核心（ultra-thin core 110）及更多介电层，并未构成贯穿整个基板厚度的通孔。二者结构、形成方式和作用（连接不同层导体以形成线圈匝）均不同。因此，对比文件未公开“延伸穿过所述基板的非凹陷部分”的“第一穿基板通孔”。 |
| **技术特征D**：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端 <br> **《未被公开》** | 未找到相关描述。 | 由于对比文件未公开“凹陷”（特征B），因此自然也不存在穿基板通孔“在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端”这一位置关系特征。该特征未被公开。 |
| **技术特征E**：其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器 <br> **《未被公开》** | “Inductor 157 includes a first partial turn indicated at 165 and 166...vertical interconnect 167 to a second partial turn indicated with ends 170, 171”（说明书第[0013]-[0014]段） | 对比文件确实公开了嵌入式电感器（如157），其由位于不同介电层上的水平导体（partial turn）通过垂直互连（vertical interconnect）连接而成（说明书第[0014]段）。然而，目标专利的“嵌入式电感器”是由**一对（或更多）穿基板通孔**通过在**基板的第二表面上的导体**连接而形成的（见说明书[0007]，[0026]段），其电流通路是垂直穿过基板、在第二表面横向连接、再垂直穿回。对比文件的电感器是由位于**不同水平层面**（不同介电层）的**水平导体**通过**垂直互连**串联形成的螺旋线圈结构，其电流主要在多个水平层间蜿蜒。两者形成电感器的结构、路径和方式存在本质区别。对比文件未公开“通过所述基板的相对第二表面上的导体”连接两个穿基板通孔以形成电感器的技术方案。 |
| **技术特征F**：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷 <br> **《未被公开》** | “fine line formation using fine size solder balls to couple to a die and package”（说明书第[0018]段） | 对比文件提及了“焊球”（solder balls）作为互连。然而，目标专利的“第一互连”是“被包括在所述第一凹陷内”的（特征B）。由于对比文件未公开任何“凹陷”，其焊球是直接形成或放置在基板表面焊盘上的（如说明书第[0018]段“pad formation”），并未被容纳在凹陷内。因此，技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G**：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一。<br> **《未被公开》** | “conductor patterns 125,126, dielectric layers 130, 131, conductor patterns 135,136”（说明书第[0011]段） | 对比文件公开了在基板表面或介电层上形成的导体图案（conductor patterns），这些图案可以起到电气连接和重分布的作用。然而，目标专利的“重分布层”具有特定的配置目的：**将位于凹陷内的第一互连电耦合至第一穿基板通孔**（见说明书[0011]，[0025]段）。由于对比文件既未公开“凹陷”（特征B），也未公开“第一穿基板通孔”（特征C），其导体图案（如125, 135）的作用主要是形成电感器的部分线圈匝（partial turn），而非实现目标专利中所述特定结构的耦合。因此，对比文件未公开被配置用于实现目标专利所述特定连接关系的“重分布层”。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器。<br> **《未被公开》** | 未找到相关描述。 | 对比文件全文未提及任何“电容器”结构，更未提及电容器毗邻基板第二表面并由穿基板通孔耦合。因此，技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔。<br> **《未被公开》** | 参见技术特征E的引用。 | 尽管对比文件的嵌入式电感器包含多个垂直互连（vertical interconnects），但如前所述（特征C、E），这些“垂直互连”并非目标专利定义的“第一穿基板通孔”（贯穿整个基板）。因此，基于目标专利对“第一穿基板通孔”的定义，对比文件未公开使用至少两个“第一穿基板通孔”来形成电感器。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器。<br> **《直接公开》** | “two multiple turn inductors 157, 158”（说明书第[0012]段） | 对比文件图1和说明书第[0012]段明确记载了基板100上有两个电感器157和158。这直接公开了“嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器”。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球。<br> **《直接公开》** | “In one embodiment, the core 110 is formed of glass reinforced resin.” (说明书第[0011]段); “fine size solder balls”（说明书第[0018]段） | 对比文件明确公开了基板核心（core）可由“玻璃增强树脂”（glass reinforced resin）制成，这是一种包含玻璃的基板材料，公开了“玻璃基板”的特征。同时，对比文件也公开了使用“焊球”（solder balls）作为互连（第一互连）。虽然对比文件的焊球未被容纳在凹陷中，但“第一互连包括焊球”这一材料/类型特征已被直接公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱。<br> **《未被公开》** | 未找到相关描述。 | 对比文件未提及基板为“半导体基板”（如硅），也未提及互连为“金属柱”。其基板材料描述为有机材料（如玻璃增强树脂），互连提及焊球。因此，技术特征L未被公开。 |
| **技术特征M**：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。<br> **《直接公开》** | “organic substrate 100”（说明书第[0011]段）；“fine size solder balls”（说明书第[0018]段） | 对比文件明确且直接地公开了“有机基板100”以及“焊球”。因此，技术特征M被直接公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。<br> **《直接公开》** | 同技术特征M。 | 此特征与技术特征M完全相同，基于相同理由，被对比文件直接公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷<br> **《未被公开》** | 未找到相关描述。 | 同技术特征B，对比文件未公开任何“凹陷”结构。因此，“第二凹陷”也未被公开。 |
| **技术特征P**：以及<br>所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球。<br> **《未被公开》** | 未找到相关描述。 | 由于对比文件未公开“第二凹陷”（特征O），且未提及仅具机械紧固功能的互连，因此技术特征P未被公开。 |
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