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对比文件列表
1993-05-25_US5214308A_发明授权_US5214308A Substrate for packaging a semiconductor device_+++A_b+++.docx
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1993-10-29_None_发明专利_JPH05283595A Manufacture of lead frame material_+++A+++.docx
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1997-06-20_None_发明专利_JPH09162527A Printed board for mounting bga thereon_+++A_B_F_O_m+++.docx
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1998-06-26_None_发明专利_JPH10173296A Manufacture of printed wiring board_+++A_B_F_M_N+++.docx
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1998-12-22_None_发明专利_JPH10340929A Wiring board for mounting electronic part_+++A_B_F_K_M_N_c_g+++.docx
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2000-03-03_JP2000068399A_发明专利_JP2000068399A Semiconductor device_+++A_B_C_D_F_M_N_O_g+++.docx
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2000-08-29_US6111309A_发明授权_US6111309A Semiconductor device_+++A_B_C_F_G+++.docx
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2002-09-27_JP2002280490A_发明专利_JP2002280490A Circuit board and its manufacturing method as well as semiconductor device using the same_+++A_F_G_c_o+++.docx
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2003-05-27_US6569604B_发明授权_US06569604B1 Blind via formation in a photoimageable dielectric material_+++A_C_F_O_b_d_g_k_m+++.docx
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2004-02-26_US2004036170A_发明申请_US20040036170A1 Double bumping of flexible substrate for first and second level interconnects_+++A_B_C_D_F_G_O+++.docx
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2004-03-18_JP2004087737A_发明专利_JP2004087737A Printed wiring board for evaluation_+++A_C_K_g+++.docx
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2004-07-22_JP2004207542A_发明专利_JP2004207542A Package for storing light emitting element and light emitting device_+++A_B+++.docx
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2004-09-30_JP2004273622A_发明专利_JP2004273622A Method for manufacturing connector substrate_+++A_H+++.docx
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2005-02-02_CN1574349A_发明公开_CN1574349A 大规模集成电路封装_+++A_C_G_M_N_b+++.docx
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2005-10-06_JP2005274338A_发明专利_JP2005274338A Combustion pressure sensor_+++A+++.docx
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2008-04-30_JP4082220B_发明专利_JP4082220B2 Wiring board, a method of manufacturing a semiconductor module and semiconductor module_+++A_b_c_k_l_m_n_o+++.docx
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2009-01-07_JP4205919B_发明专利_JP4205919B2 Address of the plasma display panel - reset in display simultaneous driving method method_+++A+++.docx
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2009-07-02_US2009166396A_发明申请_US20090166396A1 MICROBALL ATTACHMENT USING SELF-ASSEMBLY FOR SUBSTRATE BUMPING_+++A_B_F_o+++.docx
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2009-07-02_US2009166846A_发明申请_US20090166846A1 PASS-THROUGH 3D INTERCONNECT FOR MICROELECTRONIC DIES AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS_+++A_C_g_l+++.docx
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2009-10-01_JP2009224567A_发明专利_JP2009224567A Structure, printed circuit board_+++A_C_J_e_i+++.docx
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2010-04-27_US7704796B_发明授权_US07704796B2 Semiconductor device and method of forming recessed conductive vias in saw streets_+++A_B_F_O_g+++.docx
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2011-06-23_JP2011124382A_发明专利_JP2011124382A Printed wiring board, printed wiring board unit, and electronic device_+++A_B_F_M_N_o+++.docx
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2011-07-21_JP2011142203A_发明专利_JP2011142203A Substrate and wiring method for substrate_+++A_B_O+++.docx
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2011-08-04_US2011186960A_发明申请_US20110186960A1 TECHNIQUES AND CONFIGURATIONS FOR RECESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATES_+++A_F_G_l+++.docx
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2011-08-04_US2011186998A_发明申请_US20110186998A1 RECESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATES_+++A_B_L_O_c_d_f_g+++.docx
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2011-08-31_CN102169841A_发明公开_CN102169841A 凹入的半导体基底和相关技术_+++A_C_G_k_l+++.docx
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2011-08-31_CN102169842A_发明公开_CN102169842A 用于凹陷的半导体基底的技术和配置_+++A_C_G_f_l+++.docx
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2011-11-10_US2011271562A_发明申请_US20110271562A1 Tiltable Bucket Attachment_+++A_a+++.docx
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2011-11-16_TW201140713A_发明专利_TW201140713A 用於凹陷的半導體基底的技術和配置 TECHNIQUES AND CONFIGURATIONS FOR RECESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATES_+++A_G_l+++.docx
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2011-11-16_TW201140714A_发明专利_TW201140714A 凹入的半導體基底和相關技術 RECESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATES AND ASSOCIATED TECHNIQUES_+++A_B_C_G_L_O+++.docx
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2011-11-16_TW201140768A_发明专利_TW201140768A 凹陷的半導體基底 RECESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATES_+++A_B_F_G_L_O_c_d_p+++.docx
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2011-11-17_WO2011097089A_发明申请_WO2011097089A2 RECESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATES_+++A_B_L_O_f_g+++.docx
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2012-08-30_US2012217289A_发明申请_US20120217289A1 Flux Composition and Techniques for Use Thereof_+++A+++.docx
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2012-09-19_CN102687255A_发明公开_CN102687255A 凹陷半导体衬底_+++A_B_F_G_L_O_c+++.docx
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2012-10-10_CN102723306A_发明公开_CN102723306A 一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法_+++A_B_C_d_e_i+++.docx
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2012-10-18_US2012261787A_发明申请_US20120261787A1 PASSIVE DEVICES FABRICATED ON GLASS SUBSTRATES, METHODS OF MANUFACTURE AND DESIGN STRUCTURES_+++A_C_K_e_g_h_i_j+++.docx
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2012-12-17_KR1020120135897A_发明公开_KR1020120135897A 리세스된 반도체 기판_+++A_B_G_L_O+++.docx
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2013-01-31_US2013026609A_发明申请_US20130026609A1 PACKAGE ASSEMBLY INCLUDING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH STRESS RELIEF STRUCTURE_+++A_B_F_c_g+++.docx
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2013-05-23_WO2013072775A_发明申请_WO2013072775A2 PACKAGE ASSEMBLY INCLUDING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH STRESS RELIEF STRUCTURE_+++A_B_F_O_c_d_g_p+++.docx
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2013-06-01_TW201322418A_发明专利_TW201322418A 包括具有應力消除結構的半導體基板的封裝組裝_+++A_B_F_O_c_g+++.docx
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2013-10-07_JP2013538010A_发明专利_JP2013538010A Integrated passive components and power amplifier_+++A_C_K_g+++.docx
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2014-04-09_EP2717282A_发明公开_EP2717282A1 VARIABLE CAPACITANCE CAPACITOR_+++A+++.docx
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2014-05-08_US2014124961A_发明申请_US20140124961A1 TECHNIQUES AND CONFIGURATIONS FOR RECESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATES_+++A_F_G_L_b_c_o_p+++.docx
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2014-06-12_US2014159850A_发明申请_US20140159850A1 INDUCTOR FORMED IN SUBSTRATE_+++A_J_K_M_N+++.docx
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2014-10-08_CN102723306B_发明授权_CN102723306B 一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法_+++A_B_C_e_g_i+++.docx
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2015-03-04_CN102687255B_发明授权_CN102687255B 凹陷半导体衬底_+++A_B_L_O+++.docx
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2015-07-02_JP2013219182A_发明专利_JP2013219182A5 JP2013219182A5 - Printed circuit board and the printed circuit board_+++A_B+++.docx
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2018-05-09_JP6318540B_发明专利_JP6318540B2 磁気記録媒体_+++A+++.docx
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US2004184219A1_Description_20260223_1512_+++A_B_C_O_d_h+++.docx
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未完成_+++A_E_I_b_c_d_f_g_k_o+++.docx
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US2003205799A1_Description_20260223_1511_+++A+++.docx

对比文件的名称:US2003205799A1_Description_20260223_1511

目标专利的名称:具有无源器件的低剖型封装CN106030782B

本次调用的模型名称:GPT-4

根据目标专利说明书及权利要求书,以及对比文件US2003205799A1的说明书内容,现进行技术特征比对分析如下:

### 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A:包括:基板** <br> **《直接公开》**[0002] ... a substrate or chip carrier 105.对比文件[0002]段明确公开了“substrate or chip carrier”(基板或芯片载体),其作用是作为承载芯片(100)和焊球(106)的载体。这与目标专利中作为封装核心结构并承载无源器件、穿基板通孔和互连的“基板”作用相同,均为提供机械支撑和电气互连的平台。本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了“基板”这一技术特征。
**技术特征B:在所述基板的第一表面中的第一凹陷** <br> **《未公开》**[0032] ... a carrier pallet 310 ... includes a plurality of recesses 311 in the first surface 312 ...对比文件[0032]段公开了载体托盘(carrier pallet)的第一表面上有多个凹陷(recesses),用于在组装过程中定位和容纳焊球。然而,该“凹陷”位于一个独立的、临时性的**载体托盘**上,并非位于目标专利权利要求中限定的**基板**的第一表面中。目标专利的凹陷是封装结构的一部分,用于永久性地降低封装高度(见说明书[0011], [0026], [0029]段)。两者作用(临时工艺夹具 vs. 永久封装结构)和位置(独立托盘 vs. 基板本体)完全不同。因此,对比文件未公开“在所述基板的第一表面中的第一凹陷”。
**技术特征C:多个第一穿基板通孔,所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分,** <br> **《未公开》**无对比文件全文未提及任何“穿基板通孔(through-substrate vias)”结构。其描述的基板(105, 305)是用于芯片互连和承载BGA焊球的载体,未涉及形成嵌入式电感器等无源器件所需的穿过基板的垂直互连结构。因此,对比文件未公开此特征。
**技术特征D:所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端** <br> **《未公开》**无此特征描述了穿基板通孔在基板第一表面的端部位置关系。由于对比文件未公开“第一穿基板通孔”(特征C),因此更不可能公开这些通孔端部与“第一凹陷”(特征B,也未公开)之间的位置关系。因此,对比文件未公开此特征。
**技术特征E:,其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器** <br> **《未公开》**无对比文件全文未提及“嵌入式电感器(embedded inductor)”,也未描述通过基板第二表面上的导体将多个穿基板通孔耦合以形成电感器的结构。目标专利此特征是实现其核心目的——在降低封装高度的同时保持电感值——的关键结构(见说明书[0007], [0011], [0026]段)。对比文件未公开此特征。
**技术特征F:所述器件的第一互连,所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷** <br> **《未公开》**[0032] A solder ball 306 is positioned in each recess of the pallet 310 ... <br> [0033] ... so that contact terminals or pads 309 on the second surface 308 of the chip carrier are in intimate contact with the solder 306.对比文件公开了焊球(306)被放置在托盘(310)的凹陷(311)内。然而,这些焊球最终是**被耦合至基板(305)的第二表面(308)上的接触焊盘(309)**,而不是被耦合至“第一凹陷”(即,托盘上的凹陷)本身。在目标专利中,“第一互连”(如焊球)是被**直接耦合至基板第一表面上的凹陷**(通过重分布层焊盘等,见说明书[0011], [0025]段),该凹陷是封装基板的一部分。对比文件中托盘上的凹陷是临时定位工具,焊球并不永久性地“耦合”到它,而是通过再流焊转移到基板上。两者作用(临时定位 vs. 永久电气/机械连接结构)和耦合对象(基板焊盘 vs. 基板凹陷)不同。因此,对比文件未公开此特征。
**技术特征G:以及在所述基板的第一表面上的重分布层,其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一。** <br> **《未公开》**无对比文件提到了基板(芯片载体)上有接触焊盘(3071, 309),用于连接芯片凸块(301)和BGA焊球(306),但并未提及“重分布层(redistribution layer, RDL)”这一特定结构,尤其没有描述其被配置用于将互连电耦合至“穿基板通孔”。目标专利的重分布层是实现凹陷内互连与穿基板通孔之间电气连接的关键(见说明书[0011], [0025]段)。对比文件未公开此特征。
**技术特征H:其特征在于,进一步包括:电容器,所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面,其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器。** <br> **《未公开》**无对比文件全文未提及任何“电容器(capacitor)”集成在基板上,也未提及“第二穿基板通孔”。目标专利此特征描述了集成无源器件的另一实施例(见说明书[0027]段)。对比文件未公开此特征。
**技术特征I:其特征在于,所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔。** <br> **《未公开》**无此特征是对特征E中“嵌入式电感器”构成的进一步限定。由于对比文件未公开“嵌入式电感器”(特征E)和“第一穿基板通孔”(特征C),因此必然未公开此限定特征。
**技术特征J:其特征在于,所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器。** <br> **《未公开》**无此特征是对嵌入式电感器数量的进一步限定。由于对比文件未公开“嵌入式电感器”(特征E),因此必然未公开此限定特征。
**技术特征K:其特征在于,所述基板包括玻璃基板,并且其中所述第一互连包括焊球。** <br> **《未公开》**[0051] ... the chip carrier substrate is a composite or laminate polymer ... However, the invention is not limited to plastic BGA packages, but is applicable to ceramic, to flex tape or other substrate materials ...对比文件[0051]段提及了基板可以是复合/层压聚合物、陶瓷、柔性带等材料,但**未提及“玻璃基板”**。虽然对比文件公开了使用焊球作为互连,但这是在未公开核心特征(B, C, E, F, G等)的前提下,对可选材料的描述。由于核心结构未被公开,此选择性特征(玻璃基板+焊球)的组合未被公开。
**技术特征L:其特征在于,所述基板包括半导体基板,并且其中所述第一互连包括金属柱。** <br> **《未公开》**[0051] (同上)对比文件提及了多种基板材料,但**未明确提及“半导体基板”**。同时,对比文件主要使用“焊球(solder ball)”作为互连,[0008]段提到了“金属柱(metal column)”作为替代的互连概念,但并未将其与“半导体基板”组合限定。由于核心结构未被公开,此选择性特征(半导体基板+金属柱)的组合未被公开。
**技术特征M:其特征在于,所述基板包括有机基板,并且其中所述第一互连包括焊球。** <br> **《未公开》**[0051] ... the chip carrier substrate is a composite or laminate polymer ...对比文件[0051]段提及了基板可以是“composite or laminate polymer”(复合或层压聚合物),这可以对应于“有机基板”。同时,对比文件公开了使用焊球作为互连。然而,此特征是在从属权利要求中,其引用的前序部分(即独立权利要求)的所有技术特征(A-G)构成了一个完整的技术方案。由于对比文件未公开独立权利要求的多个核心特征(B, C, E, F, G等),即使其可能隐含了“有机基板”和“焊球”的概念,也**不能认为其公开了将此特定材料与互连类型应用于目标专利所要求保护的特定封装结构(具有凹陷、穿基板通孔、嵌入式电感器、重分布层耦合等)中**。因此,对比文件未公开此特征。
**技术特征N:其特征在于,所述基板包括有机基板,并且其中所述第一互连包括焊球。** <br> **《未公开》**(同特征M)此特征与特征M的限定相同。基于与特征M相同的理由,对比文件未公开此特征。
**技术特征O:其特征在于,进一步包括:在所述基板的第一表面中的第二凹陷** <br> **《未公开》**[0032] ... a carrier pallet 310 ... includes a plurality of recesses 311 ...对比文件公开了托盘上有多个凹陷。然而,如特征B所述,这些凹陷位于**载体托盘**上,而非目标专利权利要求限定的**基板**的第一表面中。目标专利的“第二凹陷”是封装基板上的另一结构(见说明书[0036]段,图3A中凹陷214d),用于容纳仅具机械功能的互连。对比文件托盘上的凹陷是用于组装时定位所有焊球,这些焊球都具有电功能。两者位置、作用和所属部件均不同。因此,对比文件未公开此特征。
**技术特征P:以及所述器件的第二互连,所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷,其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球。** <br> **《未公开》**[0032] A solder ball 306 is positioned in each recess of the pallet 310 ...对比文件公开了每个托盘的凹陷内都放置有焊球(306)。然而,这些焊球在完成组装后,全部用于将BGA封装**电连接**至下一级互连(如印刷线路板),如背景技术[0002]段所述。目标专利中“仅具有机械功能”的焊球(见说明书[0036]段)是一个特殊的、不具有电连接功能的互连。对比文件未公开这种仅具机械功能的焊球,也未公开其被容纳在“基板第一表面的第二凹陷”内。因此,对比文件未公开此特征。

### 总结与代码输出

综上所述,对比文件US2003205799A1仅直接公开了技术特征A(基板)。对于其他技术特征(B至P),对比文件均未公开,无论是直接公开还是隐含公开。对比文件的核心是描述一种使用带凹陷的托盘来简化BGA封装组装工艺的方法,其“凹陷”位于临时性工艺托盘上,且完全不涉及目标专利的核心发明点——在基板本身上设置凹陷以降低封装高度、并通过重分布层将凹陷内的互连耦合至穿基板通孔以形成嵌入式电感器等无源器件结构。

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权利要求与技术特征
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