对比文件名称：2004-09-30_JP2004273622A_发明专利_JP2004273622A Method for manufacturing connector substrate
目标专利名称：具有无源器件的低剖型封装CN106030782B
本次调用模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：《直接公开》 | 【００４２】厚みが例えば６２５μｍ程度の**シリコン基板１０（半導体基板）**を用意し | 对比文件明确公开了“硅基板（半导体基板）”（参见【0042】段），其作为承载后续无源器件（电容器）和互连结构的支撑体。目标专利说明书【0006】段指出基板可以是“玻璃、半导体或有机基板”。因此，对比文件公开的“半导体基板”（硅基板）是目标专利所述基板的一种具体类型，二者作用相同，均为封装结构的支撑基础。本领域技术人员可直接毫无疑义地得出。 |
| 技术特征B：在所述基板的第一表面中的第一凹陷《未公开》 | （未明确记载） | 对比文件描述了在基板（硅基板10）上形成“トレンチホール１０ａ”（沟槽/通孔10a）和最终的“貫通孔１１ａ”（通孔11a）（参见【0051】、【0069】段）。这些通孔是贯穿基板的，其目的主要是为了填充导电体形成垂直互连。目标专利中的“第一凹陷”是形成在基板第一表面（面向电路板表面）的盲孔或凹槽，用于容纳互连体（如焊球）以降低整体封装高度（参见说明书【0011】、【0025】段）。对比文件未描述这种为降低剖面高度而设的、仅存在于单侧表面的凹陷结构。因此，对比文件既未直接公开，也无法隐含公开此特征。 |
| 技术特征C：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分《隐含公开》 | 【００５１】シリコン基板１０を…エッチングすることにより、深さが例えば１５０μｍ程度の**トレンチホール１０ａ**を形成する。…第１絶縁膜１２の開口部１２ａとシリコン基板１０のトレンチホール１０ａとにより構成される**孔１１**が得られる。<br>【００６９】孔１１はシリコン基板１０の素子形成面から背面に貫通する**貫通孔１１ａ**となる。 | 对比文件公开了在基板（硅基板10）上形成“孔11”，最终成为贯穿基板的“贯通孔11a”（参见【0051】、【0069】段）。这些孔从基板的一侧（元件形成面）延伸到对侧（背面），即延伸穿过基板。虽然对比文件未明确区分“凹陷部分”和“非凹陷部分”，但其描述的“孔”或“贯通孔”本身即是通过蚀刻基板材料形成的，在未形成凹陷的基板区域中穿过。本领域技术人员可以理解，为实现垂直电连接，形成此类贯穿基板的通孔是常规技术手段。因此，对比文件隐含公开了“延伸穿过基板的穿基板通孔”这一技术特征。 |
| 技术特征D：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端《未公开》 | （未明确记载） | 该技术特征限定了穿基板通孔的第一端位于“第一表面中毗邻第一凹陷的区域中”。如前述，对比文件未公开目标专利中定义的“第一凹陷”。因此，通孔端部与凹陷之间的这种空间位置关系在对比文件中不存在，也无法从对比文件的内容中合理推断得出。 |
| 技术特征E：，其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器《未公开》 | （未明确记载） | 对比文件主要描述了在基板上形成电容器（キャパシタＱ）以及用于连接该电容器的垂直互连（导电体34填充的贯通孔11a）（参见【0044】、【0070】段）。全文未提及任何通过基板表面的导体将两个或多个穿基板通孔连接起来以形成“嵌入式电感器”的结构、方法或目的。电感器与电容器是功能不同的无源器件，对比文件的技术方案聚焦于集成电容器，并未公开或暗示形成电感器的内容。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征F：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷《未公开》 | （未明确记载） | 目标专利的“第一互连”（如焊球）是设置在基板第一表面的凹陷内、用于与外部电路板进行电连接或机械连接的独立结构（参见说明书【0011】段）。对比文件中，与外部连接的功能由从基板背面露出的“導電体３４”的端面（接続端子３４ａ）直接承担（参见【0070】段），并未描述在基板表面设置独立的“互连”结构（如焊球、金属柱）并将其容纳于凹陷中。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征G：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一。《未公开》 | 【００４９】金属膜をフォトリソグラフィ法でパターニングすることにより**配线２２ａ，２２ｂ，２２ｃ**を形成する。…配線２２ｂはコンタクトホール２０ａを介してキャパシタＱの下部電極１４に接続される。 | 对比文件公开了在基板表面（具体是层间绝缘膜20上）形成图案化的金属配线（22a, 22b, 22c），这些配线用于连接电容器电极等元件（参见【0049】段），其功能可视为一种重分布层（RDL）。然而，该重分布层的配置目的与目标专利不同。目标专利的重分布层是用于将“凹陷内的互连”电耦合至“穿基板通孔”（参见特征G）。而对比文件中，重分布层（配线）是用于连接“电容器”与“穿基板通孔内的导电体”（参见【0070】段），且如前所述，对比文件既无“凹陷内的互连”，也未明确公开为形成电感器而设置的特定穿基板通孔。因此，对比文件中的重分布层在结构、连接对象和作用上均与目标专利不同，本领域技术人员无法从中得出目标专利特征G的技术方案。 |
| 技术特征H：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器。《直接公开》 | 【００４４】下部電極１４、キャパシタ用高誘電体膜１６及び上部電極１８により構成される**キャパシタＱ**を形成する。<br>【００７０】導電体３４の接続端子３４ａは貫通孔１１ａ内に充填された導電体３４及び配線２２ｂを介して**キャパシタＱ**の下部電極１４に電気的に接続される。 | 对比文件明确公开了在基板（硅基板10）上形成的电容器Q（キャパシタＱ）（参见【0044】段）。该电容器形成在基板的“素子形成面”（可对应于目标专利的“第二表面”）上。并且，通过填充在贯通孔11a内的导电体34以及配线22b，该电容器被电耦合至该穿基板通孔（第二穿基板通孔）（参见【0070】段）。这与目标专利特征H“电容器毗邻基板的对向第二表面，第二穿基板通孔电耦合至电容器”的技术方案完全相同，作用均为在封装内集成电容功能。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| 技术特征I：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔。《未公开》 | （未明确记载） | 该特征是对技术特征E中“嵌入式电感器”的进一步限定。由于技术特征E（嵌入式电感器）本身未被对比文件公开，因此该进一步限定的特征也未被公开。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器。《未公开》 | （未明确记载） | 该特征是对技术特征E中“嵌入式电感器”的进一步限定。由于技术特征E（嵌入式电感器）本身未被对比文件公开，因此该进一步限定的特征也未被公开。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球。《未公开》 | 【００４２】厚みが例えば６２５μｍ程度の**シリコン基板１０（半導体基板）**を用意し | 对比文件明确其基板为“硅基板”（半导体基板），并非玻璃基板（参见【0042】段）。此外，如前所述，对比文件未公开“第一互连”结构，更未公开该互连是“焊球”。因此，该组合特征未被公开。 |
| 技术特征L：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱。《隐含公开（部分）》 | 【００４２】厚みが例えば６２５μｍ程度の**シリコン基板１０（半導体基板）**を用意し | 对比文件直接公开了基板为“硅基板”（半导体基板），这与特征L中“基板包括半导体基板”相符。然而，对比文件并未公开“第一互连包括金属柱”。对比文件中与外部连接的部分是导电体34露出的端面（接続端子３４ａ），其形态更接近于通孔内的填充导体在表面形成的焊盘或凸点，而非独立设置于凹陷内的“金属柱”。虽然“金属柱”作为一种互连形式是本领域公知的，但对比文件本身并未描述或暗示采用这种特定结构。因此，对于“第一互连包括金属柱”这一限定，对比文件未公开。整个技术特征L作为一个整体（半导体基板+金属柱互连）未被公开。 |
| 技术特征M：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。《未公开》 | （未明确记载） | 对比文件未提及使用有机基板，其基板为硅基板（半导体基板）。同时，也未公开“第一互连”为“焊球”。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征N：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。《未公开》 | （未明确记载） | 此特征与技术特征M实质相同，均为“有机基板+焊球互连”。对比文件未公开，理由同技术特征M。 |
| 技术特征O：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷《未公开》 | （未明确记载） | 如技术特征B所述，对比文件未公开目标专利中定义的“凹陷”结构。因此，“第二凹陷”这一特征自然也未被公开。 |
| 技术特征P：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球。《未公开》 | （未明确记载） | 该特征依赖于技术特征O（第二凹陷）的存在。由于对比文件未公开“第二凹陷”，因此“第二凹陷内的第二互连”以及该互连“仅具有机械功能”等具体限定均未被公开。 |
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