**对比文件名称**：2003-11-20_US2003214233A_发明申请_US20030214233A1 Light emitting diode
**目标专利名称**：1294有利于背后照明的LED广角发射透镜CN101160670B
**模型名称**：DeepSeek
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括具有中心轴的LED电路小片<br>《直接公开》 | [0037] “a flip chip-type light emitting element is mounted on the bottom of the cup 12a.” 翻译：一种倒装芯片型发光元件安装在杯12a的底部。 | 对比文件明确公开了“发光元件”（即LED电路小片），该元件必然具有几何中心轴，本领域技术人员能够毫无疑义地确定其中心轴的存在，因此技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B**：相对于LED电路小片固定的透镜<br>《隐含公开》 | [0040] “The whole assembly has been sealed with an external resin 29 to form a shell-shaped light emitting diode 10.” 翻译：整个组件被外部树脂29密封以形成外壳型发光二极管10。 | 外壳型（shell-shaped）发光二极管通常包含透镜，外部树脂29形成透镜形状并固定于发光元件上方，本领域技术人员可以合理推断出该树脂层构成透镜，因此技术特征B被隐含公开。 |
| **技术特征C**：该透镜使LED电路小片发出的光折射<br>《隐含公开》 | 基于技术特征B的隐含公开，透镜必然对通过的光线产生折射。 | 由于透镜本身的光学性质，当光线通过透镜时必然发生折射，本领域技术人员能够从透镜的隐含公开中合理推断出折射功能，因此技术特征C被隐含公开。 |
| **技术特征D**：从而使得峰值强度出现在偏离中心轴50-80度的范围内<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件全文未涉及任何关于峰值强度角度分布的数据或描述，更未提及50-80度的范围，因此技术特征D未被公开。 |
| **技术特征E**：使得沿着中心轴的强度在峰值强度的5%到33%之间<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件没有提及中心轴强度与峰值强度的比值关系，也没有任何关于光强相对比例的数值范围，因此技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F**：其中该透镜包括密封LED电路小片的第一透镜<br>《未公开》 | 对比文件存在直接覆盖发光元件的树脂层，如[0040]的树脂层24（低浓度荧光粉层）或[0063]的内树脂层62。 | 上述树脂层具有荧光粉或光导散射功能，并非独立的第一透镜，且未描述为透镜，因此技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G**：围绕该第一透镜和LED电路小片的辅透镜<br>《未公开》 | 对比文件存在外树脂层63或外部树脂29，但无第一透镜。 | 由于第一透镜未被公开，围绕其的辅透镜也未能被公开，因此技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H**：该辅透镜具有在第一透镜与辅透镜之间形成空气间隙的中空部分<br>《未公开》 | 对比文件中的各树脂层之间为直接接触，无空气间隙。 | 内树脂层与外树脂层之间没有间隙，中空部分和空气间隙均未公开，因此技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I**：该间隙生成使光远离中心轴弯曲的折射界面<br>《未公开》 | 无空气间隙，故无相关界面。 | 由于缺乏空气间隙，不存在对应的折射界面，因此技术特征I未被公开。 |
| **技术特征J**：其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未提供任何关于峰值角度位置的信息，更未提及70-80度的具体范围，因此技术特征J未被公开。 |
| **技术特征K**：其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内<br>《未公开》 | 同技术特征J。 | 同技术特征J。 |
| **技术特征L**：沿着中心轴的强度为峰值强度的5-15%<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件没有记载中心轴强度与峰值强度的具体比值，更未限定5-15%的范围，因此技术特征L未被公开。 |
| **技术特征M**：其中该辅透镜包括非球面外表面<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未描述任何透镜或树脂层的表面为非球面，因此技术特征M未被公开。 |
| **技术特征N**：和非球面圆顶形内表面<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未提及任何内表面为非球面圆顶形，因此技术特征N未被公开。 |
| **技术特征O**：其中该辅透镜包括具有用于减少中心轴附近的光强度的全内反射(TIR)部分的非球面外表面<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未涉及全内反射（TIR）结构或减少中心轴光强的设计，因此技术特征O未被公开。 |
| **技术特征P**：其中该第一透镜为半球形<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未描述第一透镜的形状，更未限定为半球形，因此技术特征P未被公开。 |
| **技术特征Q**：其中该第一透镜为直接模制在LED电路小片上的透镜<br>《未公开》 | 对比文件中的树脂层通过填充或涂覆形成，未提及直接模制。 | 对比文件没有公开直接模制在芯片上的透镜，因此技术特征Q未被公开。 |
| **技术特征R**：密封了该LED电路小片<br>《直接公开》 | [0063] “A transparent binder is coated onto the periphery of the light emitting element 61 to form an inner resin layer 62.” 翻译：透明粘合剂涂覆在发光元件61的周边以形成内树脂层62。 | 内树脂层62直接覆盖并密封了发光元件，从而实现了密封LED电路小片的功能，因此技术特征R被直接公开。 |
| **技术特征S**：其中该间隙为圆顶形空气间隙<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件没有空气间隙，更未提及圆顶形形状，因此技术特征S未被公开。 |
| **技术特征T**：其中该第一透镜为硅树脂；并且辅透镜为塑料<br>《未公开》 | [0041] 提到硅树脂（silicone resin）作为树脂材料，但未指定为第一透镜；辅透镜塑料未提及。 | 对比文件未将硅树脂明确对应为第一透镜，也未公开辅透镜为塑料，因此技术特征T未被公开。 |
| **技术特征U**：进一步包括次级载具<br>《直接公开》 | [0080] “Zener diode 80 is disposed in the inner surface of a concave cup... The light emitting element 84 is connected in parallel to the upper surface of a Zener diode 80 through a gold ball bump 84a.” 翻译：齐纳二极管80设置在凹杯的内表面…发光元件84通过金球凸点84a并联连接到齐纳二极管80的上表面。 | 齐纳二极管80作为发光元件的承载基板，起到了次级载具的作用，因此技术特征U被直接公开。 |
| **技术特征V**：其上安装了LED电路小片<br>《直接公开》 | [0037] “a flip chip-type light emitting element is mounted on the bottom of the cup 12a.” 翻译：倒装芯片型发光元件安装在杯12a的底部。 | 发光元件直接安装在杯底或齐纳二极管上，即实现了LED电路小片的安装，因此技术特征V被直接公开。 |
| **技术特征W**：印刷电路板<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件使用引线框架而非印刷电路板，因此技术特征W未被公开。 |
| **技术特征X**：其上安装了次级载具<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开次级载具安装在印刷电路板上，因此技术特征X未被公开。 |
| **技术特征Y**：其中该透镜直接接触该印刷电路板<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件的透镜（外部树脂29）接触的是引线框架，而非印刷电路板，因此技术特征Y未被公开。 |
| **技术特征Z**：围绕该次级载具<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开任何围绕次级载具的结构，因此技术特征Z未被公开。 |
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**公开性代码输出**（直接公开大写，隐含公开小写）：
<<<A>>><<<R>>><<<U>>><<<V>>><<<b>>><<<c>>>