对比文件名称：2008-09-04_JP2008203854A_发明专利_JP2008203854A Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
目标专利名称：1585基板CN110770646B
本次调用的模型名称：DeepSeek-Chat（大型语言模型）
## 特征比对表格
| 技术特征描述（含公开性判断） | 对比文件原文引用（含中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：基础层<br>《直接公开》 | 对比文件[2]（発明の詳細な説明）：**「液晶表示装置１はカラーフィルター２とこれに対向するＴＦＴ等の対向基板３から構成されており、カラーフィルターは、ガラス基板４上に…」**（第1図説明部分）<br>译文：液晶显示装置1由彩色滤光片2和与其相对的TFT等对向基板3构成，彩色滤光片在玻璃基板4上… | 对比文件明确公开了作为基础层的玻璃基板（ガラス基板4），该玻璃基板是支撑间隔物及其他层的基础，与目标专利中基础层（例如玻璃基础层）作用完全相同，均为承载后续结构的基础。本领域技术人员可直接且无疑义地确定该技术特征。 |
| 技术特征B：和设置在所述基础层上的复数个间隔物<br>《直接公开》 | 对比文件[2]：**「透明電極膜上には光硬化性樹脂膜からなるスペーサー９が設けられる。」**<br>译文：在透明电极膜上设置有由光固化性树脂膜构成的间隔物9。<br>对比文件[2]：**「スペーサーは、４画素に１個、１画素に１個のごとく、適宜配置される。」**<br>译文：间隔物被适当地配置，例如每4个像素一个或每1个像素一个。 | 对比文件明确公开了在基础层（玻璃基板上的透明电极膜）上设置复数个间隔物（スペーサー9），且其配置方式为均匀分布，具有支撑上下基板的功能。这与目标专利的间隔物设置在基础层上的结构和功能完全一致。本领域技术人员可直接无疑义地确定。 |
| 技术特征C：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物<br>《隐含公开》 | 对比文件[2]：**「現像により形成されるスペーサーの形状は、その高さが２μｍ〜１０μｍの、例えば台形状とされ、また、その端部は丸みを帯びた球状、角ばった矩形状等に形成される。」**<br>译文：通过显影形成的间隔物形状，其高度为2μm～10μm，例如梯形，并且其端部形成为带有圆角的球状、棱角矩形状等。<br>对比文件[2]：**「球状とすることにより配向膜形成後に行なうラビング工程での配向等への影響を低減するために効果的である。」**<br>译文：通过采用球状，可以有效降低在形成配向膜后的摩擦取向工序中对取向等的影响。 | 对比文件明确记载间隔物的端部（即顶部）为“丸みを帯びた球状”（带有圆角的球状），该描述意味着间隔物顶部具有弯曲的曲面形状，即包含半球形部分。并且说明这种形状可减少对取向处理的影响，与目标专利中半球形部分实现均匀取向处理的目的高度一致。尽管对比文件未使用“半球形”一词，但本领域技术人员根据“球状端部”结合其有益效果的描述，完全能够合理推断出该间隔物在顶部具有半球形部分。因此，技术特征C被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分<br>《隐含公开》 | 同特征C引用内容。 | 基于特征C的隐含公开，对比文件所描述的“丸みを帯びた球状”端部自然包含弯曲形状，该弯曲形状部分即为间隔物顶部的半球形部分。本领域技术人员可合理推断出该弯曲部分属于间隔物整体的一部分，且与目标专利中的半球形部分定义一致。因此，技术特征D被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹<br>《未公开》 | 对比文件全文未涉及任何关于曲率数值（如“最大曲率150mm⁻¹”）或截面轨迹曲率范围的描述。 | 对比文件仅定性描述了间隔物端部为“球状”，但未给出任何定量曲率参数，更没有限定最大曲率≤150mm⁻¹。本领域技术人员无法从对比文件中的内容直接或合理推断出该特定的曲率数值范围。因此，技术特征E未被对比文件公开（既非直接也非隐含）。 |
| 技术特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物<br>《隐含公开》 | 对比文件[2]：**「現像により形成されるスペーサーの形状は、その高さが２μｍ〜１０μｍの、例えば台形状とされ、また、その端部は丸みを帯びた球状…」**<br>译文：通过显影形成的间隔物形状，其高度为2μm～10μm，例如梯形，并且其端部形成为带有圆角的球状… | 对比文件记载的间隔物整体为梯形（即柱状），顶部端部为球状（半球形部分）。梯形主体部分具有明显高于球状端部的高度（柱状部分远大于半球形部分）。本领域技术人员可合理推断出该间隔物由柱状主体和顶部的半球形端部构成，且柱状部分的高度高于半球形部分的高度。这与目标专利中“具有高于半球形部分的高度的柱状间隔物”实质上相同。因此，技术特征F被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20％或更小<br>《未公开》 | 对比文件[2]：**「スペーサーの高さが２μｍ〜１０μｍ」**<br>译文：间隔物的高度为2μm～10μm。<br>对比文件[2]：**「スペーサーの密度は、体積密度で０．１％〜５％、好ましくは０．３％〜２％であり…表面積密度としては、５０〜２０００μｍ²／ｍｍ²、好ましくは５００〜１０００μｍ²／ｍｍ²とするとよい。」**<br>译文：间隔物的密度以体积密度计为0.1%～5%，优选0.3%～2%；以表面积密度计为50～2000μm²/mm²，优选500～1000μm²/mm²。 | 对比文件公开的间隔物高度为2～10μm，但该高度是间隔物整体高度，并非“半球形部分”的高度，且上限10μm小于目标专利要求的5～20μm的下限5μm，本领域技术人员不能确定半球形部分高度是否落入5～20μm。对比文件公开的体积密度0.1%～5%（体积比）本可转换为面积比率，但其对应的是体积密度，而目标专利要求“被间隔物占据的面积比率”，通常面积比率更小时体密度更低，但并非直接公开且转换需额外假设。更重要的是，特征G要求“半球形部分高度在5μm至20μm”和“面积比率20%或更小”两个条件同时满足，对比文件在第一条件上明显不同且未公开半球形部分高度，因此整体技术特征G未被对比文件公开（既非直接也非隐含）。 |
| 技术特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小<br>《未公开》 | 对比文件仅提及间隔物“适当配置”（例如每4像素1个），但全文未涉及“标准间距P”、“标准偏差”等统计参数。 | 对比文件完全没有公开间隔物的间距分布统计特征，特别是有关标准偏差≤2的严格限定。本领域技术人员无法从对比文件中间隔物配置的一般性描述中推理出该定量关系。因此，技术特征H未被对比文件公开。 |
| 技术特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示<br>《未公开》 | 对比文件未提及“正态分布图”或类似概念。 | 对比文件没有公开间隔物间距的分布形式，尤其没有采用正态分布图来描述间距分布。本领域技术人员无法从对比文件推断出该特征。因此，技术特征I未被公开。 |
| 技术特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上<br>《未公开》 | 对比文件未涉及任何正态分布图或坐标定义。 | 对比文件未提供任何关于间隔物间距分布的统计图表或坐标系的描述。本领域技术人员无法获得此特征。因此，技术特征J未被公开。 |
| 技术特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1<br>《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未提及比率总和、半高宽或最大高度等分布参数。因此，技术特征K未被公开。 |
| 技术特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹<br>《未公开》 | 对比文件描述端部为“丸みを帯びた球状”（带有圆角的球状），未提及平坦部分（曲率0）。 | 对比文件的间隔物端部为球状，通常球状曲面连续，不包含曲率为0的直线部分。本领域技术人员不能从对比文件推断出存在平坦顶端。因此，技术特征L未被公开。 |
| 技术特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内<br>《未公开》 | 对比文件未给出半球形部分的任何宽度数值；提及的像素尺寸（20μm×40μm）与间隔物宽度无直接关联。 | 对比文件没有公开间隔物半球形部分的宽度范围。本领域技术人员无法确定该参数。因此，技术特征M未被公开。 |
| 技术特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分<br>《未公开》 | 对比文件[2]：**「例えば台形状とされ」**（例如梯形）……梯形侧边为直线，非弯曲。 | 对比文件描述的间隔物形状为梯形（台形），其侧面为直线，不具有弯曲（曲率中心在外）的渐缩形状。本领域技术人员无法从对比文件获得该弯曲渐缩部分。因此，技术特征N未被公开。 |
| 技术特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形<br>《隐含公开》 | 对比文件[2]：**「カラーフィルターと対向基板の液晶と接するそれぞれの面には配向膜１２が形成されており」**<br>译文：在彩色滤光片和对向基板的与液晶接触的各面上形成有配向膜12。<br>图1中配向膜12覆盖包括间隔物9在内的表面。<br>对比文件[2]：**「球状とすることにより配向膜形成後に行なうラビング工程での配向等への影響を低減するために効果的である。」**<br>译文：通过采用球状，可以有效降低在形成配向膜后的摩擦取向工序中对取向等的影响。 | 对比文件明确公开了配向膜12形成在彩色滤光片（含基础层和间隔物）上。由于间隔物端部为球状（半球形），配向膜覆盖后必然顺应间隔物的表面形状，从而在间隔物上形成半球形顶部。对比文件还特意指出球状端部有利于后续摩擦取向，间接确认了配向膜顶部为半球形。本领域技术人员完全可以合理推断出“形成在间隔物上的配向膜的顶部具有半球形”。因此，技术特征O被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小<br>《未公开》 | 对比文件未涉及配向膜顶部曲率的任何数值。 | 对比文件未规定配向膜顶部半球形的曲率范围，本领域技术人员无法从对比文件获得该曲率参数。因此，技术特征P未被公开。 |
| 技术特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹<br>《未公开》 | 同特征L，配向膜顶部形状追随间隔物，但间隔物端部为球状，配向膜顶部不应有平坦部分（曲率0）。 | 对比文件未暗示配向膜顶部存在平坦区域，本领域技术人员不能推断出曲率为0的轨迹。因此，技术特征Q未被公开。 |
| 技术特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内<br>《未公开》 | 对比文件仅给出间隔物高度2～10μm，未专门给出配向膜高度。 | 对比文件未公开配向膜的高度数值范围。本领域技术人员无法推断。因此，技术特征R未被公开。 |
| 技术特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内<br>《未公开》 | 对比文件未给出配向膜的宽度。 | 对比文件未公开配向膜宽度。因此，技术特征S未被公开。 |
| 技术特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时<br>《未公开》 | 对比文件未涉及通过选择间隔物形成多边形的方式。 | 对比文件无相关内容。因此，技术特征T未被公开。 |
| 技术特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时<br>《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件无相关内容。因此，技术特征U未被公开。 |
| 技术特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物<br>《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件无相关内容。因此，技术特征V未被公开。 |
| 技术特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同<br>《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件无相关内容。因此，技术特征W未被公开。 |
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