好的，作为一位经验丰富的资深专利代理师，我将严格按照您的要求，深入评估对比文件 US20150109553A1 对于目标专利 CN110770646B 各项技术特征的公开情况。
首先，请明确本评估涉及的文件和模型：
- **对比文件**：2015-04-23_US2015109553A_发明申请_US20150109553A1 DISPLAY DEVICE
- **目标专利**：1585基板CN110770646B
- **本次调用的模型**：DeepSeek-V2
以下为详细的特征比对表格及分析论述。
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（已翻译为中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基础层** <br> **《直接公开》** | **段落[0037]**：“作为第一基板11，例如可以使用玻璃基板、陶瓷基板、石英基板或蓝宝石基板等。” | 对比文件明确公开了作为承载结构的“第一基板11”，其功能与目标专利中的“基础层”完全相同，均为后续元件提供支撑基础。本领域技术人员从中可以直接地、毫无疑义地确定该技术特征。 |
| **技术特征B：和设置在所述基础层上的复数个间隔物** <br> **《直接公开》** | 1. **段落[0014]**：“可替代地，显示装置可以进一步包括与第一基板重叠的第二基板、在第一基板和第二基板之间的晶体管和有机绝缘膜，并且在有机绝缘膜和第二基板之间不设置液晶层。在这种情况下，所述有机绝缘膜**用作间隔物**，用于保持第一基板和第二基板之间的空间。” <br> 2. **段落[0068]**：“此外，在本实施例所示的晶体管10中，**隔离的有机绝缘膜31**与无机绝缘膜30上的氧化物半导体膜19a重叠。” | 对比文件明确教导了“有机绝缘膜31”可以作为“间隔物（spacer）”，用于维持两个基板之间的间隙。同时，“隔离的（isolated）”揭示了该有机绝缘膜是分立的、离散的多个结构，即构成“复数个间隔物”。这些间隔物设置在第一基板（基础层）上。本领域技术人员可以毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征C：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物** <br> **《未公开》** | 对比文件未记载。 | 对比文件全文及附图中，有机绝缘膜（间隔物）的形成方式为光刻工艺，其截面形状通常为矩形或梯形，并未公开或暗示其顶部具有“半球形部分”。 |
| **技术特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分** <br> **《未公开》** | 对比文件未记载。 | 基于特征C未被公开，本特征自然也未被公开。对比文件中不存在对间隔物包含弯曲形状部分的任何描述。 |
| **技术特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm-1或更小的轨迹** <br> **《未公开》** | 对比文件未记载。 | 对比文件未涉及任何关于间隔物曲率的概念或数值限定。 |
| **技术特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物** <br> **《未公开》** | 对比文件未记载。 | 对比文件未公开间隔物具有半球形部分，也未公开其总高度高于半球形部分高度的柱状结构。 |
| **技术特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且中相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20%或更小** <br> **《未公开》** | 对比文件未记载。 | 对比文件仅公开了有机绝缘膜（间隔物）的厚度在0.5μm至10μm范围内（段落[0069]），但该厚度是对应于整个间隔物的高度，而非“半球形部分的高度”。对比文件未提及半球形部分，也未公开间隔物所占面积比率。 |
| **技术特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小** <br> **《未公开》** | 对比文件未记载。 | 对比文件未对间隔物的排列密度、标准间距及均匀性提出任何量化要求。 |
| **技术特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示** <br> **《未公开》** | 对比文件未记载。 | 对比文件未涉及任何关于间隔物间距分布统计的概念。 |
| **技术特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上** <br> **《未公开》** | 对比文件未记载。 | 对比文件未公开任何形式的分布图或统计图表。 |
| **技术特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且中所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1** <br> **《未公开》** | 对比文件未记载。 | 对比文件未公开任何关于分布图半高宽或最大高度的数值特征。 |
| **技术特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm-1的轨迹** <br> **《未公开》** | 对比文件未记载。 | 对比文件未公开间隔物截面轨迹的概念，更未涉及曲率为0的特征。 |
| **技术特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内** <br> **《未公开》** | 对比文件未记载。 | 基于特征C未被公开，本特征自然也未被公开。对比文件未对间隔物（有机绝缘膜）的宽度进行范围限定。 |
| **技术特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分** <br> **《未公开》** | 对比文件未记载。 | 对比文件未公开间隔物底部具有任何特定的渐缩形状。 |
| **技术特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且中形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形** <br> **《未公开》** | 对比文件公开了配向膜形成在间隔物上，但未公开其顶部形状。 | 对比文件段落[0195]：“配向膜33形成在公共电极29、氮化绝缘膜27和有机绝缘膜31上。” 即对比文件公开了“配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上”这一部分。然而，对比文件中的有机绝缘膜（间隔物）顶部并非半球形，因此形成在其上的配向膜顶部也不可能具有半球形。该特征的其余部分未被公开。 |
| **技术特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm-1或更小** <br> **《未公开》** | 对比文件未记载。 | 基于特征O未被公开，本特征自然也未被公开。 |
| **技术特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm-1的轨迹** <br> **《未公开》** | 对比文件未记载。 | 基于特征O未被公开，本特征自然也未被公开。 |
| **技术特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内** <br> **《未公开》** | 对比文件未记载。 | 对比文件未对配向膜在间隔物上的高度进行任何限定。 |
| **技术特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内** <br> **《未公开》** | 对比文件未记载。 | 对比文件未对配向膜在间隔物上的宽度进行任何限定。 |
| **技术特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时** <br> **《未公开》** | 对比文件未记载。 | 对比文件未涉及任何关于间隔物几何排列的规则，例如通过连接间隔物形成三角形、四边形或六边形。 |
| **技术特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时** <br> **《未公开》** | 对比文件未记载。 | 对比文件未公开任何关于闭合图形的概念。 |
| **技术特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物** <br> **《未公开》** | 对比文件未记载。 | 对比文件未公开闭合图形的构成规则。 |
| **技术特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同** <br> **《未公开》** | 对比文件未记载。 | 对比文件未公开间隔物间距具有不规则性（边长不同）的排列方式。 |
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