对比文件的名称：2011-04-21_JP2011081318A_发明专利_JP2011081318A Liquid crystal display device and display device incorporating touch sensors, and electronic equipment
目标专利的名称：1585基板CN110770646B
本次调用的模型名称：DeepSeek-Chat
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基础层（直接公开）** | 对比文件第1实施方式记载：“画素基板10は、ガラス基板11上にTFT12や信号線等を含む表示駆動回路が配設されたもの”；“対向基板20は、ガラス基板21上に、カラーフィルタ層22、オーバーコート層23および対向電極24がこの順に配設されたもの”。（参见说明书第[002]段，背景技术及实施例部分） | 对比文件公开了液晶显示装置由画素基板10和対向基板20构成，两者均包含玻璃基板（11、21）作为基础层，该玻璃基板相当于目标专利中的基础层，因此直接公开。 |
| **技术特征B：和设置在所述基础层上的复数个间隔物（直接公开）** | 对比文件第1实施方式记载：“スペーサ31は、画素基板10と対向基板20との間に配設されている。...複数のギャップ制御部G1が配置され、各ギャップ制御部G1は複数のスペーサ31からなる”。（参见说明书第[002]段，具体实施方式部分） | 对比文件明确公开了在基板（画素基板10或対向基板20）上设置多个间隔物31，这些间隔物构成间隙控制结构体，属于设置在基础层上的复数个间隔物，直接公开。 |
| **技术特征C：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物（未公开）** | 对比文件记载：“各スペーサ31は、例えば柱状の構造物であり、例えば感光性樹脂よりなる”。（参见说明书第[002]段，具体实施方式部分） | 对比文件仅公开柱状间隔物，未描述顶部形状，未提及半球形部分或半球形间隔物。本领域技术人员无法从对比文件直接或毫无疑义地得到该形状，也不存在合理推断的依据，因此未公开（不满足直接或隐含公开）。 |
| **技术特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分（未公开）** | 对比文件引用如上特征C所示。 | 特征D是特征C的进一步限定，由于特征C未公开，半球形部分无基础，对比文件亦未公开任何弯曲形状的半球形部分，因此未公开。 |
| **技术特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹（未公开）** | 对比文件无相关描述。 | 对比文件未涉及任何曲率定义或数值限定，更未公开150mm⁻¹的具体曲率值，因此未公开。 |
| **技术特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物（未公开）** | 对比文件记载：“各スペーサ31は、例えば柱状の構造物”。（参见说明书第[002]段） | 对比文件未公开间隔物包含半球形部分及柱状部分，亦未公开半球形部分高度低于整体的高度关系，因此未公开。 |
| **技术特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且中相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20％或更小（未公开）** | 对比文件记载：“各スペーサ31の断面直径は、例えば１μｍ〜５０μｍである。”（参见说明书第[002]段）；关于面积比率，对比文件仅提及“開口率を向上させる”而无具体数值。 | 对比文件公开的是间隔物断面直径范围，并非半球形部分高度；且未公开间隔物占据基础层的面积比率具体数值（20%或更小），本领域技术人员无法唯一确定该范围，因此未公开。 |
| **技术特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小（未公开）** | 对比文件无相关描述。 | 对比文件未提及标准间距P、正方形区域选择方法、标准偏差等统计参数，也未公开任何关于间隔物数量标准偏差的限定，因此未公开。 |
| **技术特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示（未公开）** | 对比文件无相关描述。 | 对比文件未公开间隔物的间距分布由正态分布图表示，未涉及正态分布图的任何定义或使用，因此未公开。 |
| **技术特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上（未公开）** | 对比文件无相关描述。 | 对比文件未公开任何关于正态分布图的坐标轴表示，因此未公开。 |
| **技术特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且中所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1（未公开）** | 对比文件无相关描述。 | 对比文件未公开比率总和为1，也未公开半高宽（FWHM）和最大高度的具体数值范围，因此未公开。 |
| **技术特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹（未公开）** | 对比文件无相关描述。 | 对比文件未公开任何关于轨迹曲率为0（即线性部分）的内容，因此未公开。 |
| **技术特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内（未公开）** | 对比文件记载：“各スペーサ31の断面直径は、例えば１μｍ〜５０μｍである。”（参见说明书第[002]段） | 对比文件公开的是柱状间隔物的断面直径范围（1-50μm），并非特指半球形部分的宽度；且对比文件未公开半球形间隔物，无法从中直接或隐含得到半球形部分宽度，因此未公开。 |
| **技术特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分（未公开）** | 对比文件无相关描述。 | 对比文件未公开间隔物底部具有渐缩部分及其曲率特性，因此未公开。 |
| **技术特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且中形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形（未公开）** | 对比文件记载：“これらの画素電極14および対向電極24の液晶層30側の面には、液晶の配向制御を行う配向膜（図示せず）が形成されている。”（参见说明书第[002]段） | 对比文件公开配向膜仅形成在电极上，未公开配向膜形成在间隔物上，更未公开间隔物上的配向膜顶部具有半球形形状，因此未公开。 |
| **技术特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小（未公开）** | 对比文件无相关描述。 | 对比文件未公开配向膜顶部的形状及曲率，因此未公开。 |
| **技术特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹（未公开）** | 对比文件无相关描述。 | 对比文件未公开配向膜顶部轨迹包含曲率为0的部分，因此未公开。 |
| **技术特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内（未公开）** | 对比文件无相关描述。 | 对比文件未公开形成在间隔物上的配向膜高度，因此未公开。 |
| **技术特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内（未公开）** | 对比文件无相关描述。 | 对比文件未公开形成在间隔物上的配向膜宽度，因此未公开。 |
| **技术特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时（未公开）** | 对比文件无相关描述。 | 对比文件未公开任意选择间隔物形成特定数量集合的条件，因此未公开。 |
| **技术特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时（未公开）** | 对比文件无相关描述。 | 对比文件未公开通过选择间隔物形成特定闭合图形的条件，因此未公开。 |
| **技术特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物（未公开）** | 对比文件无相关描述。 | 对比文件未公开闭合图形内部不含其他间隔物的限制，因此未公开。 |
| **技术特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同（未公开）** | 对比文件无相关描述。 | 对比文件未公开闭合图形边长彼此不同的特征，因此未公开。 |
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