对比文件名称：WO2017086590A1 METHOD FOR PREPARING COLUMN SPACER
目标专利名称：1585基板CN110770646B
本次调用的模型名称：DeepSeek-Chat
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括基础层（直接公开） | [227]：“将实施例4中获得的感光树脂组合物在玻璃基板上使用旋转涂布机涂布，然后在80℃下预烘烤150秒以形成涂膜。” | 对比文件明确公开了在玻璃基板（基础层）上制造柱状间隔物，基板相当于本申请的基础层，因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：和设置在所述基础层上的复数个间隔物（隐含公开） | [3]：“在液晶显示器（LCD）的液晶单元中采用使用感光树脂组合物形成的间隔物，以恒定保持上下透明基板之间的间隙。” [227]：“...获得黑色柱状间隔物。” | 对比文件公开了在基板上形成间隔物（柱状间隔物）。虽然未明确数量，但本领域技术人员公知在液晶显示器件中需要多个间隔物以均匀保持盒间隙，且对比文件的方法可用于制造多个间隔物。因此，本领域技术人员根据对比文件的内容能够合理推出在基础层上设置有复数个间隔物，故隐含公开。 |
| 技术特征C：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物（未公开） | 对比文件未记载间隔物顶部具有半球形部分。 | 对比文件涉及柱状间隔物，其形状由光刻工艺形成，未描述顶部呈半球形。目标专利的半球形间隔物是为了配向膜均匀处理，对比文件无此教导。因此未公开。 |
| 技术特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分（未公开） | 对比文件未记载半球形部分及弯曲形状。 | 同特征C，对比文件未公开任何半球形部分或弯曲形状特征。 |
| 技术特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹（未公开） | 对比文件未记载曲率参数。 | 对比文件未涉及间隔物顶部截面的曲率，更未公开任何曲率数值范围。 |
| 技术特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物（未公开） | 对比文件公开了柱状间隔物，但未公开具有半球形部分。 | 对比文件虽然公开了柱状间隔物，但未公开该柱状间隔物包含半球形部分，也未公开半球形部分高度与总高度的关系。因此未公开。 |
| 技术特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20％或更小（未公开） | 对比文件表2显示间隔物部分厚度(A)约为3.1μm，远小于5μm；未提及间隔物面积比率。 | 对比文件没有公开半球形部分高度（其间隔物部分厚度小），也没有公开间隔物占据面积比率。因此未公开。 |
| 技术特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小（未公开） | 对比文件未记载标准间距、标准偏差等统计参数。 | 对比文件没有涉及间隔物布置的统计均匀性标准，没有提及标准偏差。 |
| 技术特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示（未公开） | 对比文件未提及间隔正态分布图。 | 对比文件未涉及间隔物间距的分布表示。 |
| 技术特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上（未公开） | 对比文件未记载间隔正态分布图。 | 对比文件未涉及间隔物间距分布的描述方法。 |
| 技术特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1（未公开） | 对比文件未记载间隔正态分布图的半高宽、最大高度等参数。 | 对比文件未公开任何与间隔正态分布图相关的特征。 |
| 技术特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹（未公开） | 对比文件未记载轨迹包括曲率0部分。 | 对比文件未公开半球形部分或其轨迹，故未公开该特征。 |
| 技术特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内（未公开） | 对比文件间隔物部分的宽度为14μm（第一图案直径），但未公开半球形部分的宽度。 | 对比文件虽然公开了间隔物部分的宽度，但该宽度是针对柱状间隔物整体，而非半球形部分宽度。由于半球形部分未被公开，故该特征未公开。 |
| 技术特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分（未公开） | 对比文件未记载间隔物底部渐缩部分。 | 对比文件没有描述间隔物底部的渐缩形状，没有相关的截面轨迹。 |
| 技术特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形（未公开） | 对比文件未提及配向膜。 | 对比文件整体未涉及配向膜及其形成，因此未公开。 |
| 技术特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小（未公开） | 对比文件未提及配向膜。 | 对比文件未公开配向膜，故未公开该特征。 |
| 技术特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹（未公开） | 对比文件未提及配向膜。 | 对比文件未公开配向膜，故未公开该特征。 |
| 技术特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内（未公开） | 对比文件未提及配向膜高度。 | 对比文件未公开配向膜，故未公开。 |
| 技术特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内（未公开） | 对比文件未提及配向膜宽度。 | 对比文件未公开配向膜，故未公开。 |
| 技术特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时（未公开） | 对比文件未提及任选选择间隔物形成几何图形。 | 对比文件没有讨论间隔物的选择及几何排列约束。 |
| 技术特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时（未公开） | 对比文件未提及闭合图形。 | 对比文件未涉及间隔物排列形成特定闭合图形。 |
| 技术特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物（未公开） | 对比文件未提及。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同（未公开） | 对比文件未提及边长差异。 | 对比文件未公开。 |
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