对比文件的名称：2015-05-05_US9025125B_发明授权_US09025125B2 Display device and light barrier element
目标专利的名称：1585基板CN110770646B
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **特征A：包括：基础层** <br>《直接公开》 | [0058] “液晶屏障30包括玻璃等透明基板33A和33B，在它们之间包封液晶层34。” | 对比文件明确公开了透明基板（33A、33B），该基板相当于目标专利中的基础层，用于承载间隔物。因此技术特征A被直接公开。 |
| **特征B：和设置在所述基础层上的复数个间隔物** <br>《直接公开》 | [0062] “多个间隔物36设置在透明基板33A与33B之间（竖立或固定于基板上）……间隔物由光刻胶等树脂制成，被模制成柱状，例如圆柱状。” | 对比文件直接公开了多个间隔物36，这些间隔物设置（固定）在基板（基础层）上。因此技术特征B被直接公开。 |
| **特征C：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物** <br>未公开 | [0062] “间隔物被模制成柱状（columnar shape），例如圆柱状（cylindrical shape）。” | 对比文件中的间隔物为圆柱形柱状，其顶部可能为平面或圆角，但未形成半球形部分；目标专利的半球形间隔物具有独特的半球形顶部，对比文件未披露该结构。因此未公开。 |
| **特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分** <br>未公开 | 无相关公开内容 | 该特征限定半球形部分是包含弯曲形状的部分，由于对比文件不具备半球形部分，因此未公开。 |
| **特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹** <br>未公开 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开半球形截面轨迹及其曲率参数。因此未公开。 |
| **特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物** <br>未公开 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开间隔物包含半球形部分，更未涉及半球形部分与柱状部分的高度关系。因此未公开。 |
| **特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且中相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20％或更小** <br>《隐含公开》 | [0062] “间隔物直径约5 μm至30 μm。”<br>[0095] “间隔物的排列密度（面积密度）分别为0.70%、1.07%、1.00%。” | 对比文件公开了间隔物的面积密度远小于20%（0.70‑1.07%），部分公开了“面积比率20%或更小”这一内容。虽然半球形部分的高度未公开，但本领域技术人员有动机将该面积比率条件与其他现有技术（如间隔物成型方法）结合以形成完整的技术方案。根据极其宽松的隐含公开标准，本特征被隐含公开。 |
| **特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小** <br>未公开 | [0070] “多个间隔物36在基板表面的部分或全部区域中随机（非周期性或不规则）排列。” | 对比文件仅笼统公开随机排列，未定义标准间距P，未提供正方形区域选取方法和标准偏差的具体数值。本领域技术人员无法直接或推导出该定量条件。因此未公开。 |
| **特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示** <br>未公开 | 无相关公开内容 | 对比文件未提及间隔正态分布图的概念。因此未公开。 |
| **特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上** <br>未公开 | 无相关公开内容 | 基于特征I，对比文件未公开此类分布图的具体定义。因此未公开。 |
| **特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且中所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1** <br>未公开 | 无相关公开内容 | 对比文件未涉及比率总和、半高宽、最大高度等参数。因此未公开。 |
| **特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹** <br>未公开 | 无相关公开内容 | 该特征以半球形部分的存在为前提，对比文件不具备半球形部分，故未公开。 |
| **特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内** <br>《隐含公开》 | [0062] “间隔物的直径（X‑Y平面内的圆形尺寸）例如约为5 μm至30 μm。” | 对比文件公开了圆柱形间隔物的横向尺寸（直径）范围为5‑30μm，该范围落入目标专利半球形部分宽度范围（2‑40μm）内，构成部分公开。本领域技术人员可合理推断在相应的半球形间隔物中同样采用此类宽度范围。根据宽松隐含标准，本特征被隐含公开。 |
| **特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分** <br>未公开 | 无相关公开内容 | 对比文件未对间隔物底部形状进行任何特殊描述。因此未公开。 |
| **特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且中形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形** <br>未公开 | [0060] “在透明电极层35A、35B的液晶层侧表面上设置取向膜（未图示）。” | 对比文件仅提及电极层上的取向膜，未明确定义该膜是否形成在间隔物上，更未描述间隔物上配向膜的顶部呈半球形。因此未公开。 |
| **特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小** <br>未公开 | 无相关公开内容 | 基于特征O未公开。 |
| **特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹** <br>未公开 | 无相关公开内容 | 基于特征O未公开。 |
| **特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内** <br>未公开 | 无相关公开内容 | 基于特征O未公开。 |
| **特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内** <br>未公开 | 无相关公开内容 | 基于特征O未公开。 |
| **特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时** <br>未公开 | 无相关公开内容 | 对比文件仅公开随机排列，未引导本领域技术人员任意选择三个、四个或六个间隔物作为特定几何图形的顶点。因此未公开。 |
| **特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时** <br>未公开 | 无相关公开内容 | 对比文件未提及通过选定间隔物形成三角形、四边形或六边形闭合图形。因此未公开。 |
| **特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物** <br>未公开 | 无相关公开内容 | 对比文件未对闭合图形内部的间隔物存在与否作出任何限定。因此未公开。 |
| **特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同** <br>未公开 | 无相关公开内容 | 对比文件虽随机排列可能导致边长差异，但并未以三角形的边长差异作为技术手段或技术特征进行描述，本领域技术人员不能直接或隐含得出该特征。因此未公开。 |
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