对比文件名称：2017-05-29_KR1020170058845A_发明公开_KR1020170058845A 컬럼 스페이서의 제조방법
目标专利名称：1585基板CN110770646B
调用的模型名称：deepseek-chat
以下是特征比对表格：
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译为中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括基础层<br>**《直接公开》** | 对比文件[0169]：“유리 기판 상에”，即“在玻璃基板上”。 | 对比文件明确公开在玻璃基板（基础层）上形成间隔物，本领域技术人员可以直接且毫无疑义地确定该特征被公开。 |
| 技术特征B：和设置在所述基础层上的复数个间隔物<br>**《隐含公开》** | 对比文件[0144]：“通过进行涂膜形成步骤、曝光步骤、显影步骤和热处理步骤，可以制造所需的柱状间隔物。”及[0169]说明在基板上形成间隔物。 | 对比文件虽未明确使用“复数个”表述，但本领域技术人员在LCD制造中通常形成多个间隔物，且其方法可重复形成多个间隔物；结合[0144]“形成所需图案”的教导，合理推断出基板上设置多个间隔物，因此隐含公开。 |
| 技术特征C：每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物 | 无 | 对比文件公开的柱状间隔物（column spacer）为柱状结构，顶部平坦（参见图5），未描述任何半球形部分，也未提及半球形间隔物。本领域技术人员无法从对比文件得出该特征。 |
| 技术特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分 | 无 | 对比文件未公开半球形部分，故无法对应包含弯曲形状的部分。 |
| 技术特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹 | 无 | 对比文件未涉及截面曲率的概念或参数。 |
| 技术特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物 | 无 | 对比文件间隔物为整体柱状，无半球形部分与柱状部分的高度区分。 |
| 技术特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20％或更小 | 无（高度不符，面积比率未提及） | 对比文件表2中间隔部厚度（A）约3.1μm，不在5-20μm范围；且未公开间隔物面积占比。 |
| 技术特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小 | 无 | 对比文件未讨论间隔物排列的间距、标准偏差或区域内的数量分布。 |
| 技术特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示 | 无 | 对比文件未提及间距分布或统计图表。 |
| 技术特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上 | 无 | 对比文件未涉及正态分布图的坐标定义。 |
| 技术特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1 | 无 | 对比文件未涉及半高宽、最大高度等参数。 |
| 技术特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹 | 无 | 对比文件未公开半球形部分，故其轨迹特征不适用。 |
| 技术特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内 | 无（宽度值虽近似但对应对象不同） | 对比文件间隔部宽度为14μm，但该宽度对应的是柱状间隔部整体，而非半球形部分宽度；且对比文件未公开半球形部分。 |
| 技术特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分 | 无 | 对比文件在间隔部与矩阵部之间形成凹槽（参见图5），但未描述该凹槽的截面曲率特性，且“渐缩部分”的具体形状与目标专利不同。 |
| 技术特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形 | 无 | 对比文件完全不涉及配向膜。 |
| 技术特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小 | 无 | 对比文件未公开配向膜及其曲率。 |
| 技术特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹 | 无 | 对比文件未公开配向膜及其轨迹。 |
| 技术特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内 | 无 | 对比文件未公开配向膜高度。 |
| 技术特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内 | 无 | 对比文件未公开配向膜宽度。 |
| 技术特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时 | 无 | 对比文件未讨论间隔物选择形成闭合图形。 |
| 技术特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时 | 无 | 对比文件未涉及此类条件。 |
| 技术特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物 | 无 | 对比文件未涉及闭合图形内部条件。 |
| 技术特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同 | 无 | 对比文件未涉及边长差异。 |
根据上述比对：
- 对比文件直接公开了技术特征A。
- 对比文件隐含公开了技术特征B。
其他技术特征（C至W）均未被直接公开或隐含公开。
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