对比文件：2011-06-16_US2011141428A_发明申请_US20110141428A1 PROCESS FOR PRODUCING SPACER FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS, INK FOR SPACER FORMATION, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARTUS AND PROCESS FOR MANUFACTURING
目标专利：1585基板CN110770646B
本次调用模型：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **特征A：包括：基础层。《直接公开》** | [0043]“在基板23的主面23a上设置有间隔物11…”。(Substrate 23)全文中多次出现。 | 对比文件明确公开了基板（substrate）作为支撑间隔物的基础层，与目标专利中基础层承载间隔物作用完全相同。本领域技术人员可直接、毫无疑义地确定该特征被公开。 |
| **特征B：和设置在所述基础层上的复数个间隔物。《直接公开》** | [0043]“间隔物11…设置在基板23的主面23a上”。[0094]“以150μm的间隔…打印墨水1”形成多个间隔物。 | 对比文件不仅公开了单个间隔物，还通过喷墨打印以固定间隔在基板上形成多个间隔物，用于保持液晶层间隙。这与目标专利的基础层上设置复数个间隔物完全对应，因此直接公开。 |
| **特征C：每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物。《未公开》** | 对比文件未明确间隔物为半球形。图1、2示意图未标注半球形；说明书仅称间隔物由树脂层构成，未限定形状。[0048]提及间隔物可被“适当压平（直径/高度=10-30）”，实施例中比值6-16，呈扁平状，非半球形。 | 对比文件未从结构上将间隔物限定为半球形，其实施例中的间隔物高度与直径比值远小于半球形所需的约0.5，因此本领域技术人员无法直接或合理推断出间隔物具有半球形部分。该特征未公开。 |
| **特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分。《未公开》** | 对比文件未提及“半球形部分”。 | 由于特征C未公开，本特征作为其定义性描述也未被公开。对比文件无相关内容。 |
| **特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹。《未公开》** | 对比文件未涉及截面曲率。 | 对比文件未给出间隔物截面曲率的任何数值或概念，本特征未公开。 |
| **特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物。《未公开》** | [0056]-[0058]描述了双层结构（树脂层20+22），但该结构是两次打印形成的层叠，并非一体构成的柱状部分加半球形部分。 | 对比文件未公开柱状间隔物的概念，其间隔物形状与目标专利的柱状+半球形结构不同。本特征未公开。 |
| **特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且中相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20％或更小。《未公开》** | [0045]“间隔物11的高度H优选为1-10μm”；表3实施例间隔物高度为2.8-6.2μm。未涉及半球形部分高度和面积比率。 | 对比文件仅公开总高度范围为1-10μm，与5-20μm部分重叠但未明确是半球形部分高度，且未公开面积比率。本特征未公开。 |
| **特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小。《未公开》** | [0094]以150μm的间隔打印；[0075]优选等间距设置。未计算标准偏差。 | 对比文件采用固定间隔排列，但未定义标准间距P，更未计算区域间隔物数量的标准偏差。本特征未公开。 |
| **特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示。《未公开》** | 对比文件无任何关于间距分布图的内容。 | 对比文件未公开间距呈正态分布，实施例为等间距，不符合分布图概念。本特征未公开。 |
| **特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上。《未公开》** | 对比文件无相关记载。 | 同特征I，未公开。 |
| **特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且中所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1。《未公开》** | 对比文件无相关记载。 | 未公开任何关于分布图参数（半高宽、最大高度）的信息。 |
| **特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹。《未公开》** | 对比文件未描述截面轨迹的曲率值。 | 对比文件未公开轨迹中是否存在平直部分，未公开。 |
| **特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内。《未公开》** | 表3实施例中间隔物直径为31-44μm（整体直径）。 | 对比文件公开的是整个间隔物的直径，而非半球形部分宽度，且未明确半球形部分。本特征未公开。 |
| **特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分。《未公开》** | 对比文件未提及底部形状。 | 未公开间隔物底部具有渐缩部分或特定曲率特征。 |
| **特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且中形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形。《未公开》** | [0076]“间隔物10形成在设置于基板3b上的配向层17b上”。 | 对比文件是间隔物形成在配向膜之上，而非配向膜覆盖间隔物。且未描述配向膜顶部形状。本特征未公开。 |
| **特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小。《未公开》** | 对比文件未涉及配向膜覆盖间隔物的结构。 | 基于特征O未公开，此特征也未被公开。 |
| **特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹。《未公开》** | 对比文件无相关记载。 | 同上，未公开。 |
| **特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内。《未公开》** | 对比文件未公开配向膜形成在间隔物上。 | 未公开配向膜高度。 |
| **特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内。《未公开》** | 对比文件未公开相关宽度。 | 同上，未公开。 |
| **特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时。《未公开》** | 对比文件未涉及选择间隔物形成图形。 | 对比文件未公开该选择行为。 |
| **特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时。《未公开》** | 对比文件未涉及闭合图形。 | 未公开。 |
| **特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物。《未公开》** | 对比文件未涉及闭合图形内部条件。 | 未公开。 |
| **特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同。《未公开》** | 对比文件实施例中等间距排列（150μm），所有边长相同。 | 对比文件公开的是规则等间距排列，所有间隔物之间的距离相等，与本特征要求“至少一者不同”相反。本特征未公开。 |
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