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对比文件列表
2000-10-13_发明专利_JP2000286125A Laminated electronic component_+++A_B_C_D_F_G_J_L+++.docx
2026-02-23 17:31
2007-06-21_发明申请_US20070139151A1 Amplifier output filter having planar inductor_+++A_B_C_D_G_L+++.docx
2026-02-23 17:31
2008-07-24_发明申请_US20080174396A1 TRANSFORMERS AND BALUNS_+++A_B_C_I_K_d_g_j_l_n_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2009-06-11_发明申请_US20090146770A1 PLANAR-LIKE INDUCTOR COUPLING STRUCTURE_+++A_B_I_K_L+++.docx
2026-02-23 17:31
2009-06-18_发明申请_US20090153282A1 ELECTRONIC COMPONENT AND PRODUCTION METHOD THEREOF_+++A_B_D_c_g_i_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2012-06-14_发明申请_US20120146741A1 TRANSFORMER WITH BYPASS CAPACITOR_+++A_K_L_O_b_c+++.docx
2026-02-23 17:31
2012-07-24_发明授权_US08227851B2 Semiconductor device_+++A_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2012-10-16_发明授权_US08289118B2 Stacked inductor_+++A_B_C_d_g_i_k+++.docx
2026-02-23 17:31
2013-06-17_发明专利_JP2013120924A Common mode filter with multi spiral layer structure and method of manufacturing the same_+++A_B_C_L_i+++.docx
2026-02-23 17:31
2013-06-20_发明专利_JP2013122940A Common mode filter with multi spiral layer structure and method of manufacturing the same_+++A_B_C_L_n_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2013-10-24_发明申请_US20130278374A1 COIL ASSEMBLY COMPRISING PLANAR COIL_+++A_b_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2013-11-07_发明申请_US20130293482A1 TRANSPARENT THROUGH-GLASS VIA_+++A_B_D_E_O_c_g_h_l+++.docx
2026-02-23 17:31
2014-02-06_发明申请_US20140035702A1 HYBRID FILTER INCLUDING LC- AND MEMS-BASED RESONATORS_+++A_L_O+++.docx
2026-02-23 17:31
2014-08-14_发明申请_US20140225702A1 MULTILAYER INDUCTOR AND POWER SUPPLY CIRCUIT MODULE_+++A_B_j_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2014-08-28_发明申请_US20140240072A1 VERTICAL-COUPLING TRANSFORMER WITH AN AIR-GAP STRUCTURE_+++A_B_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2014-09-18_发明申请_US20140266494A1 INTEGRATION OF A REPLICA CIRCUIT AND A TRANSFORMER ABOVE A DIELECTRIC SUBSTRATE_+++K_a_b_d_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2014-11-06_发明申请_US20140327510A1 ELECTRONIC DEVICE HAVING ASYMMETRICAL THROUGH GLASS VIAS_+++A_B_O_d_l_m+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-03-05_发明申请_US20150061813A1 VARYING THICKNESS INDUCTOR_+++A_B_O_l+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-03-05_发明申请_WO2015030976A1 VARYING THICKNESS INDUCTOR_+++O_a_b_c_d_g_l+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-03-11_发明公开_EP2844612A1 TRANSPARENT THROUGH - GLASS CONDUCTIVE VIA IN A TRANSPARENT SUBSTRATE_+++B_E_O_a_d_l+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-04-21_发明授权_US09009951B2 Method of fabricating an electromagnetic component_+++A_B_C+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-05-11_发明专利_JPWO2013108862A1 コイル部品_+++A_B_C_D_G_e_f_h+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-05-14_发明申请_US20150130579A1 MULTI SPIRAL INDUCTOR_+++A_B_K_L_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-05-26_发明授权_US09041152B2 Inductor with magnetic material_+++A_K_b_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-09-01_发明授权_US09123982B2 Directional coupler integrated by CMOS process_+++A_B_D_I_k_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-10-20_发明授权_US09165706B2 Coil component_+++D_F_G_a_b_c_e_h_j+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-11-04_发明公开_CN105027236A 具有气隙结构的垂直耦合变压器_+++A_B_L_M_O_i_k+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-11-10_发明公开_KR1020150125974A 에어-갭 구조체를 갖는 수직-커플링 변압기_+++A_B_i_k_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-01-06_发明公开_EP2962312A1 A VERTICAL-COUPLING TRANSFORMER WITH AN AIR-GAP STRUCTURE_+++A_B_k_l_m_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-07-28_发明专利_JP2016522566A エアギャップ構造を有する垂直結合トランス_+++A_B_I_K_L_M_O+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-08-24_发明授权_CN104011812B 线圈部件_+++A_B_C_D_F_G_e_h+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-08-30_发明授权_US09431473B2 Hybrid transformer structure on semiconductor devices_+++A_b_c_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
weixianzai_+++I_J_L_O_a_b_c_f+++.docx
2026-02-23 17:31
2000-10-13_发明专利_JP2000286125A Laminated electronic component_+++A_B_C_D_F_G_J_L+++.docx

目标专利名称:高性能电感器CN108140467B

对比文件名称:2000-10-13_发明专利_JP2000286125A Laminated electronic component

本次调用的模型名称:DeepSeek-R1

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:包括:第一弯曲金属板【0017段】フェライトシート20には、積層体11の中央部においてはコイルを形成するコイル導体パターン30が形成されており<br>【0018段】コイル導体パターン30は、図2及び図3に示すように、所定幅の略コ字状のパターンに形成されている。<br>【0036段】図8に示すように、この積層インダクタ10'は、コイルの磁束の方向が外部電極13を結ぶ方向と直交するようにコイル導体パターン30'を形成している。对比文件公开了由导电膏(例如Ag膏)形成的“コイル導体パターン”(线圈导体图案)30,其被描述为“略コ字状”(大致コ字形)的图案(见0018段),用于形成螺旋线圈。该线圈导体图案是弯曲的导电层,相当于目标专利中形成电感器导电路径的“弯曲金属板”。其作用是形成电感器的线圈部分,与目标专利中第一弯曲金属板的作用相同。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
**技术特征B**:第二弯曲金属板,在所述第一弯曲金属板下方、并且与所述第一弯曲金属板实质上垂直对准【0017段】この積層体11は、絶縁シートである複数のフェライトシート20を外部電極を結ぶ方向(図2では紙面上下方向)に積層圧着し、これを焼成して形成されている。 フェライトシート20には、積層体11の中央部においてはコイルを形成するコイル導体パターン30が形成されており<br>【0018段】隣り合うフェライトシート20に形成された各コイル導体パターン30は、コ字形状の開口方向が相対的に90°回転するように形成されている。 これにより、コイル導体パターン30は、外部電極13を結ぶ方向を軸として螺旋状に導通接続し、内部電極12のコイル部を形成する。对比文件公开了由多个绝缘片(铁氧体片20)堆叠而成的多层结构(见0017段)。每层铁氧体片上形成有线圈导体图案30。相邻层的线圈导体图案通过通孔40连接,从而形成螺旋线圈(见0018段)。因此,必然存在位于第一层线圈导体图案(对应于特征A)下方的第二层线圈导体图案。由于这些层是在垂直方向(纸面上下方向)上堆叠的,下层图案与上层图案在垂直方向上是自然对准的,以形成连续的螺旋路径。这构成了在“第一弯曲金属板下方”且“实质上垂直对准”的第二弯曲金属板(即第二层导体图案)。其作用是作为螺旋线圈的一部分,与目标专利中第二弯曲金属板的作用相同。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
**技术特征C**:第三弯曲金属板,在所述第二弯曲金属板下方、并且与所述第二弯曲金属板实质上垂直对准【0017段】この積層体11は、絶縁シートである複数のフェライトシート20を外部電極を結ぶ方向(図2では紙面上下方向)に積層圧着し、これを焼成して形成されている。<br>【0018段】コイル導体パターン30は…このスルーホール40を介して下層のシートに形成されているコイル導体パターン30…と接続する。 また、コイル導体パターン30の他端部は、上層のシートに形成されたスルーホール40…を介して当該上層のシートに形成されたコイル導体パターン30…と接続する。<br>图2明确显示了三层或更多层带有导体图案30的片材。对比文件明确教导了多层堆叠结构以形成螺旋线圈(见0017段)。图2的分解图清晰地显示了至少三层带有线圈导体图案30的铁氧体片20。根据0018段的描述,线圈导体图案通过通孔40逐层连接。因此,必然存在位于第二层线圈导体图案(对应于特征B)下方的第三层线圈导体图案。同样,由于是垂直堆叠,第三层图案与第二层图案在垂直方向上是自然对准的。这构成了在“第二弯曲金属板下方”且“实质上垂直对准”的第三弯曲金属板(即第三层导体图案)。其作用同样是作为螺旋线圈的组成部分。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
**技术特征D**:第一伸长过孔,在所述第一弯曲金属板与所述第二弯曲金属板之间垂直对准【0018段】コイル導体パターン30の一端部にはスルーホール40が形成されており、このスルーホール40を介して下層のシートに形成されているコイル導体パターン30又は引出導体パターン31と接続する。<br>【0020段】スルーホール40は、図3に示すように、前記コイル導体パターン30に被覆されるように当該コイル導体パターン30よりも小さい幅の長孔形状に穿孔されている。 この長孔形状としては、例えば長方形や楕円形や長円形である。对比文件公开了“スルーホール40”(通孔40),其被描述为“長孔形状”(长孔形状),例如长方形、椭圆形或长圆形(见0020段)。该通孔40用于连接相邻层(例如,第一层和第二层)的线圈导体图案30(见0018段)。通孔40在垂直方向上穿过绝缘片(铁氧体片20),将上下两层的导体图案连接起来,因此它位于这两层图案之间并且是垂直对准的。这构成了连接第一层和第二层导体图案(即第一和第二弯曲金属板)的“伸长过孔”。其作用是提供层间电连接,与目标专利中第一伸长过孔的作用相同。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
**技术特征E**:所述第一伸长过孔被配置为将所述第一弯曲金属板导电耦合到所述第二弯曲金属板、并且具有至少2比1的所述第一伸长过孔的长度与高度的横纵比【0020段】スルーホール40は…長孔形状に穿孔されている。 この長孔形状としては、例えば長方形や楕円形や長円形である。<br>【0032段】…スルーホール40の形状が160μmx300μmの長円である積層インダクタ10…<br>(通孔40的形状为160μm x 300μm的长圆形)对比文件明确公开了通孔40为“长孔形状”,并给出了具体实施例尺寸:160μm x 300μm的长圆形(见0032段)。这里“長円”指椭圆或长圆形,其长轴为300μm,短轴为160μm。通孔40的“长度”可理解为沿长轴方向的尺寸(300μm)。通孔的“高度”即其穿过绝缘片(铁氧体片20)的深度,即片材的厚度。虽然对比文件未明确给出片材厚度,但在多层陶瓷元件(MLCC/MLI)制造领域,单层陶瓷生片的典型厚度在几十微米量级(例如10-100μm)。为了使通孔起到可靠的垂直互连作用,其高度必然等于或略大于单层厚度。因此,对于一个160μm x 300μm的长圆形通孔,其长度(300μm)与高度(例如,假设典型厚度为40-80μm)的纵横比很容易达到或超过2:1。本领域技术人员基于对比文件公开的“长孔形状”及其具体尺寸,结合公知的片材厚度范围,能够毫无疑义地推断出该通孔具有至少2:1的长度与高度纵横比。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
**技术特征F**:所述第一伸长过孔实质上遵循所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板的曲线【0035段】また、図7に示すように、導体パターン30を曲線状のパターンに形成するとともに、スルーホール40をこれに沿うように曲線状に形成してもよい。<br>(此外,如图7所示,也可以将导体图案30形成为曲线状图案,并且将通孔40也形成为沿其延伸的曲线状。)<br>图7显示了弯曲的导体图案和沿其延伸的曲线状通孔。对比文件在0035段明确教导了可以将导体图案30形成为曲线状,并且将通孔40也形成为沿着该曲线状图案延伸的曲线状(“これに沿うように曲線状に形成”)。这直接公开了过孔(通孔40)可以遵循其上下所连接的导体图案(即第一和第二弯曲金属板)的曲线形状。其作用是与弯曲的导体路径相匹配,实现连接。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
**技术特征G**:以及第二伸长过孔,在所述第二弯曲金属板与所述第三弯曲金属板之间垂直对准【0018段】コイル導体パターン30は…このスルーホール40を介して下層のシートに形成されているコイル導体パターン30…と接続する。 また、コイル導体パターン30の他端部は、上層のシートに形成されたスルーホール40…を介して当該上層のシートに形成されたコイル導体パターン30…と接続する。<br>(线圈导体图案30…经由该通孔40与形成在下层片材上的线圈导体图案30…连接。此外,线圈导体图案30的另一端部经由形成在上层片材上的通孔40…与形成在该上层片材上的线圈导体图案30…连接。)对比文件描述了多层堆叠的螺旋线圈结构,其中每一层的线圈导体图案30都通过通孔40与相邻层的导体图案连接(见0018段)。既然存在第三弯曲金属板(特征C),那么连接第二层和第三层导体图案(即第二和第三弯曲金属板)的通孔就必然存在。这个通孔同样是“长孔形状”的通孔40(见0020段),其作用是在第二和第三层之间提供垂直的电连接。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
**技术特征H**:所述第二伸长过孔被配置为将所述第二弯曲金属板导电耦合到所述第三弯曲金属板、并且具有至少2比1的长度与高度的横纵比【0018段】コイル導体パターン30は…このスルーホール40を介して下層のシートに形成されているコイル導体パターン30…と接続する。<br>【0020段】スルーホール40は…長孔形状に穿孔されている。 この長孔形状としては、例えば長方形や楕円形や長円形である。<br>【0032段】…スルーホール40の形状が160μmx300μmの長円である積層インダクタ10…对比文件明确说明所有用于连接相邻层线圈导体图案30的通孔都是“长孔形状”的スルーホール40(见0020段),并给出了具体尺寸示例(160μm x 300μm,见0032段)。连接第二层和第三层导体图案的通孔(即第二伸长过孔)必然也是这种“长孔形状”的通孔40。基于与特征E相同的推理,本领域技术人员能够合理推断,该通孔同样具有至少2:1的长度与高度纵横比。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
**技术特征I**:其中所述第一弯曲金属板、所述第二弯曲金属板和所述第三弯曲金属板中的每一个由多层金属构成。对比文件未提及线圈导体图案30由“多层金属”构成。说明书【0025段】描述了使用导电膏(例如以Ag为主成分的金属膏)印刷形成导体图案。这通常意味着单层导电膜。目标专利说明书【0038段】明确说明:“第一弯曲金属板、第二弯曲金属板和第三弯曲金属板中的每一个可以由多层金属构成。例如,每个弯曲金属层可以由通过中间金属层连接的顶部金属层和底部金属层构成。” 这描述了每个“弯曲金属板”本身是一个复合的多层金属结构。对比文件中,线圈导体图案30是通过印刷导电膏形成的,在上下文中应被理解为单层的导电图案,并未公开或暗示每个图案本身由多层金属堆叠构成。因此,对比文件没有公开该技术特征。
**技术特征J**:其中所述第一伸长过孔完全位于由所述第一弯曲金属板的内侧边缘和外侧边缘限定的垂直周界内。【0020段】スルーホール40は、図3に示すように、前記コイル導体パターン30に被覆されるように当該コイル導体パターン30よりも小さい幅の長孔形状に穿孔されている。<br>(通孔40,如图3所示,被穿孔为长孔形状,其宽度小于所述线圈导体图案30,以便被该线圈导体图案30覆盖。)<br>图3显示了通孔40被线圈导体图案30覆盖。对比文件明确记载通孔40的宽度小于线圈导体图案30的宽度,并且被线圈导体图案30覆盖(“被覆されるように”)(见0020段)。这意味着通孔40完全位于覆盖它的上层导体图案(即第一弯曲金属板)的宽度范围之内。由于导体图案30是弯曲的,其宽度方向定义了内侧和外侧边缘。通孔40完全被图案30覆盖,意味着它在垂直投影上完全位于该图案的边缘所限定的区域(垂直周界)内。其作用是确保过孔被上方的金属板完全覆盖,实现可靠连接。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
**技术特征K**:其中所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板是八角形的。对比文件全文未提及线圈导体图案或电感器为“八角形”(octagonal)形状。附图所示的导体图案为大致コ字形或螺旋形,未显示为特定八角形。目标专利说明书【0033段】及权利要求中提到电感器可以是八角形。对比文件并未公开导体图案或电感器整体呈八角形这一具体形状特征。因此,对比文件没有公开该技术特征。
**技术特征L**:其中所述电感器器件包括射频(RF)前端模块、滤波器或功率放大器(PA)中的一项。对比文件【0001段】提及“積層インダクタや積層フィルタ等の積層電子部品”(层叠电感器或层叠滤波器等层叠电子元件)。【0037段】提及“積層フィルタやインダクタアレイなど”(层叠滤波器或电感器阵列等)。对比文件公开了其层叠电子元件可以用于“滤波器”(フィルタ)。滤波器是目标专利特征L中列举的选项(RF前端模块、滤波器或PA)之一。因此,对比文件直接公开了电感器器件可以是滤波器。虽然未明确提及“RF前端模块”或“PA”,但公开“滤波器”已足以覆盖该特征的一个具体下位概念。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
**技术特征M**:进一步包括位于所述第一弯曲金属板与所述第二弯曲金属板之间的无芯衬底。对比文件中使用的绝缘层是“フェライトシート”(铁氧体片)(见【0017段】),这是一种磁性陶瓷材料,通常作为电感器的磁芯材料。目标专利说明书【0027段】明确将“无芯衬底”定义为“不包括增加半导体器件的刚性的‘芯’绝缘层”的衬底,并举例说明无芯衬底比“积聚”衬底薄得多。对比文件中的铁氧体片是电感器的磁芯组成部分,其目的是提供磁通路,这与目标专利中位于金属板之间、主要起绝缘和支撑作用的“无芯衬底”在材料、结构和功能上均不同。目标专利的“无芯衬底”特指一种没有刚性芯层的薄型有机层压板之类的衬底。对比文件没有公开或暗示使用这种“无芯衬底”。因此,对比文件没有公开该技术特征。
**技术特征N**:其中所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板具有相同的长度。对比文件未提及不同层的线圈导体图案30具有“相同的长度”。在螺旋线圈结构中,不同层的导体图案可能具有相似但为了形成螺旋结构而略有差异的形状和长度。目标专利中“相同的长度”可能指两个金属迹线轨道的物理长度相等。对比文件没有描述或暗示不同层的导体图案长度相同。因此,对比文件没有公开该技术特征。
**技术特征O**:其中所述电感器器件被包含到选自以下组的设备中,所述组包括:音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、移动电话、智能手机、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器、机动车辆中的汽车设备、RF前端模块、滤波器或PA。对比文件未提及将所述层叠电子元件(电感器/滤波器)包含到任何具体的终端设备(如移动电话、音乐播放器等)中。该技术特征限定了电感器器件的具体应用场景或最终产品。对比文件仅公开了元件本身(电感器/滤波器),并未将其与任何具体的终端设备相关联。因此,对比文件没有公开该技术特征。

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