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对比文件列表
2000-10-13_发明专利_JP2000286125A Laminated electronic component_+++A_B_C_D_F_G_J_L+++.docx
2026-02-23 17:31
2007-06-21_发明申请_US20070139151A1 Amplifier output filter having planar inductor_+++A_B_C_D_G_L+++.docx
2026-02-23 17:31
2008-07-24_发明申请_US20080174396A1 TRANSFORMERS AND BALUNS_+++A_B_C_I_K_d_g_j_l_n_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2009-06-11_发明申请_US20090146770A1 PLANAR-LIKE INDUCTOR COUPLING STRUCTURE_+++A_B_I_K_L+++.docx
2026-02-23 17:31
2009-06-18_发明申请_US20090153282A1 ELECTRONIC COMPONENT AND PRODUCTION METHOD THEREOF_+++A_B_D_c_g_i_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2012-06-14_发明申请_US20120146741A1 TRANSFORMER WITH BYPASS CAPACITOR_+++A_K_L_O_b_c+++.docx
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2012-07-24_发明授权_US08227851B2 Semiconductor device_+++A_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2012-10-16_发明授权_US08289118B2 Stacked inductor_+++A_B_C_d_g_i_k+++.docx
2026-02-23 17:31
2013-06-17_发明专利_JP2013120924A Common mode filter with multi spiral layer structure and method of manufacturing the same_+++A_B_C_L_i+++.docx
2026-02-23 17:31
2013-06-20_发明专利_JP2013122940A Common mode filter with multi spiral layer structure and method of manufacturing the same_+++A_B_C_L_n_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2013-10-24_发明申请_US20130278374A1 COIL ASSEMBLY COMPRISING PLANAR COIL_+++A_b_o+++.docx
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2013-11-07_发明申请_US20130293482A1 TRANSPARENT THROUGH-GLASS VIA_+++A_B_D_E_O_c_g_h_l+++.docx
2026-02-23 17:31
2014-02-06_发明申请_US20140035702A1 HYBRID FILTER INCLUDING LC- AND MEMS-BASED RESONATORS_+++A_L_O+++.docx
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2014-08-14_发明申请_US20140225702A1 MULTILAYER INDUCTOR AND POWER SUPPLY CIRCUIT MODULE_+++A_B_j_l_o+++.docx
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2014-08-28_发明申请_US20140240072A1 VERTICAL-COUPLING TRANSFORMER WITH AN AIR-GAP STRUCTURE_+++A_B_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2014-09-18_发明申请_US20140266494A1 INTEGRATION OF A REPLICA CIRCUIT AND A TRANSFORMER ABOVE A DIELECTRIC SUBSTRATE_+++K_a_b_d_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2014-11-06_发明申请_US20140327510A1 ELECTRONIC DEVICE HAVING ASYMMETRICAL THROUGH GLASS VIAS_+++A_B_O_d_l_m+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-03-05_发明申请_US20150061813A1 VARYING THICKNESS INDUCTOR_+++A_B_O_l+++.docx
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2015-03-05_发明申请_WO2015030976A1 VARYING THICKNESS INDUCTOR_+++O_a_b_c_d_g_l+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-03-11_发明公开_EP2844612A1 TRANSPARENT THROUGH - GLASS CONDUCTIVE VIA IN A TRANSPARENT SUBSTRATE_+++B_E_O_a_d_l+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-04-21_发明授权_US09009951B2 Method of fabricating an electromagnetic component_+++A_B_C+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-05-11_发明专利_JPWO2013108862A1 コイル部品_+++A_B_C_D_G_e_f_h+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-05-14_发明申请_US20150130579A1 MULTI SPIRAL INDUCTOR_+++A_B_K_L_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-05-26_发明授权_US09041152B2 Inductor with magnetic material_+++A_K_b_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-09-01_发明授权_US09123982B2 Directional coupler integrated by CMOS process_+++A_B_D_I_k_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-10-20_发明授权_US09165706B2 Coil component_+++D_F_G_a_b_c_e_h_j+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-11-04_发明公开_CN105027236A 具有气隙结构的垂直耦合变压器_+++A_B_L_M_O_i_k+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-11-10_发明公开_KR1020150125974A 에어-갭 구조체를 갖는 수직-커플링 변압기_+++A_B_i_k_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-01-06_发明公开_EP2962312A1 A VERTICAL-COUPLING TRANSFORMER WITH AN AIR-GAP STRUCTURE_+++A_B_k_l_m_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-07-28_发明专利_JP2016522566A エアギャップ構造を有する垂直結合トランス_+++A_B_I_K_L_M_O+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-08-24_发明授权_CN104011812B 线圈部件_+++A_B_C_D_F_G_e_h+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-08-30_发明授权_US09431473B2 Hybrid transformer structure on semiconductor devices_+++A_b_c_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
weixianzai_+++I_J_L_O_a_b_c_f+++.docx
2026-02-23 17:31
2012-07-24_发明授权_US08227851B2 Semiconductor device_+++A_o+++.docx

**对比文件名称**:2012-07-24_发明授权_US08227851B2 Semiconductor device

**目标专利名称**:139高性能电感器CN108140467B

**本次调用模型名称**:DeepSeek-R1

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### **特征比对表格**

技术特征描述与公开性判断对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:包括第一弯曲金属板<br>**判断结果**:《直接公开》说明书第[0038]段:“a conductive film 403 functioning as an antenna provided above the element group 402 ... The conductive film 403 functioning as an antenna is provided in the shape of a coil”。对比文件明确公开了作为天线的导电薄膜403,其形状为线圈(coil)。线圈形状的导电薄膜必然具有弯曲的结构,这构成了“弯曲金属板”。其作用是作为天线用于无线通信。目标专利中的第一弯曲金属板(如第一弯曲金属板210)同样是导电的弯曲结构,作为电感器的一部分用于传导电流。两者均为导电的弯曲金属结构,作用均为形成电磁通路。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件直接公开了“第一弯曲金属板”这一技术特征。
**技术特征B**:第二弯曲金属板,在所述第一弯曲金属板下方、并且与所述第一弯曲金属板实质上垂直对准<br>**判断结果**:《未公开》说明书第[0038]段:“a conductive film 404 to be a dummy pattern placed so as to surround the conductive film 403”。<br>图1A, 4A, 4B。对比文件公开了导电薄膜404作为虚拟图案,包围着作为天线的导电薄膜403。从附图(如图1A)可以看出,导电薄膜403和404基本位于同一平面或层上,导电薄膜404是围绕在导电薄膜403外侧的环形结构,而非位于其“下方”。说明书和附图均未描述或显示导电薄膜404在导电薄膜403“下方”且与之“垂直对准”。两者是平面上的并列或环绕关系,而非垂直堆叠关系。因此,对比文件没有公开“在下方且垂直对准”的第二弯曲金属板。
**技术特征C**:第三弯曲金属板,在所述第二弯曲金属板下方、并且与所述第二弯曲金属板实质上垂直对准<br>**判断结果**:《未公开》无相关描述。对比文件中仅描述了导电薄膜403(天线)和导电薄膜404(虚拟图案),未提及或显示存在第三层弯曲金属板。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征D**:第一伸长过孔,在所述第一弯曲金属板与所述第二弯曲金属板之间垂直对准<br>**判断结果**:《未公开》说明书第[0100]段提及形成接触孔以连接导电薄膜和晶体管,例如“a contact hole to expose the conductive film 752 is formed”。<br>说明书第[0099]段:“the conductive film 765 becomes a connection part with the conductive film functioning as an antenna”。对比文件描述了用于连接不同层导体的“接触孔”或“过孔”(如连接导电薄膜765与天线导电薄膜766a-766d)。然而,这些过孔是用于连接集成电路(晶体管)与天线,或者连接不同金属层(如用于形成天线),其作用是实现电连接。目标专利的“第一伸长过孔”特指在两个垂直堆叠且对准的“弯曲金属板”(即电感器的上下层线圈)之间起导电耦合作用的过孔,且具有特定的“伸长”形状和高宽比。对比文件既未描述在两个垂直对准的弯曲金属板(线圈层)之间存在过孔,也未描述该过孔是“伸长”形的。因此,对比文件未公开此特征。
**技术特征E**:所述第一伸长过孔被配置为将所述第一弯曲金属板导电耦合到所述第二弯曲金属板、并且具有至少2比1的所述第一伸长过孔的长度与高度的横纵比<br>**判断结果**:《未公开》无相关描述。对比文件未描述连接两个垂直对准的弯曲金属板的过孔,更未提及此类过孔具有“至少2:1的长度与高度的横纵比”。目标专利中该特征的核心在于过孔的“伸长”形状及特定高宽比,旨在降低电阻、提高Q因子。对比文件中的过孔(接触孔)为常规形状,未提及任何关于其高宽比的限定。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征F**:所述第一伸长过孔实质上遵循所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板的曲线<br>**判断结果**:《未公开》无相关描述。对比文件中未描述任何过孔遵循弯曲金属板(线圈)的曲线。其过孔(接触孔)通常是垂直的直线连接。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征G**:以及第二伸长过孔,在所述第二弯曲金属板与所述第三弯曲金属板之间垂直对准<br>**判断结果**:《未公开》无相关描述。对比文件中未公开第三弯曲金属板,因此更不存在连接第二与第三弯曲金属板的“第二伸长过孔”。该技术特征未被公开。
**技术特征H**:,所述第二伸长过孔被配置为将所述第二弯曲金属板导电耦合到所述第三弯曲金属板、并且具有至少2比1的长度与高度的横纵比<br>**判断结果**:《未公开》无相关描述。理由同特征G和E,该技术特征未被公开。
**技术特征I**:,其中所述第一弯曲金属板、所述第二弯曲金属板和所述第三弯曲金属板中的每一个由多层金属构成。<br>**判断结果**:《未公开》说明书第[0041]段描述了导电薄膜可由多种金属或其化合物形成,但未提及单个导电薄膜(如403或404)本身由“多层金属”构成。对比文件描述了导电薄膜可以由单种或多种金属材料形成,或通过多层工艺(如溅射、CVD)形成,但这属于材料选择或工艺步骤,并未明确教导或暗示单个“弯曲金属板”(如天线线圈403)是由“多层金属”层叠构成的复合结构。目标专利中该特征强调每个金属板本身具有多层结构(如说明书第[0038]段提及图4中的每个弯曲金属层可由通过中间金属层连接的顶部和底部金属层构成),以改善性能。对比文件没有公开这样的具体结构。
**技术特征J**:其中所述第一伸长过孔完全位于由所述第一弯曲金属板的内侧边缘和外侧边缘限定的垂直周界内。<br>**判断结果**:《未公开》无相关描述。对比文件未描述“第一伸长过孔”,因此也就无从谈起其是否位于第一弯曲金属板边缘限定的垂直周界内。该技术特征未被公开。
**技术特征K**:其中所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板是八角形的。<br>**判断结果**:《未公开》说明书及附图中的导电薄膜403(天线)显示为圆形线圈形状(如第[0038]段“in the shape of a coil”,图1A)。对比文件公开的天线是线圈形状,从附图判断为圆形或近似圆形,并未描述为“八角形”。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征L**:其中所述电感器器件包括射频(RF)前端模块、滤波器或功率放大器(PA)中的一项。<br>**判断结果**:《隐含公开》说明书第[0002]-[0004]段描述了该半导体设备可用于RFID标签,进行无线数据收发。说明书第[0180]段列举了电子装置包括“a mobile phone”。对比文件公开的半导体设备是一种RFID标签,其核心功能包含通过天线(导电薄膜403)进行射频(RF)无线通信。RFID标签本身通常包含射频前端电路(用于信号的接收、发送和处理)。虽然对比文件未明确将其部件称为“RF前端模块”,但其描述的具备无线通信功能的器件(RFID)必然包含实现该功能所需的射频前端电路模块。本领域技术人员知晓,RFID标签是射频通信设备的一种具体应用形式,其内部包含实现射频通信功能的基本模块。因此,可以合理推断对比文件隐含公开了该器件包含“射频(RF)前端模块”。对于“滤波器或功率放大器(PA)”,对比文件没有明确提及,但一个完整的射频通信电路很可能包含这些组件以实现信号筛选和放大,然而这种推断不够直接和必然。考虑到隐含公开判断标准宽松,为避免遗漏,可以认为对比文件隐含公开了该器件是用于射频通信的装置,可能包含相关模块,但最直接相关的是“RF前端模块”。
**技术特征M**:进一步包括位于所述第一弯曲金属板与所述第二弯曲金属板之间的无芯衬底。<br>**判断结果**:《未公开》说明书第[0039]段提及衬底401可以是玻璃、石英、陶瓷、金属、塑料(如PET、PEN、PES)等。未提及“无芯”(coreless)特性。目标专利中的“无芯衬底”特指不包括增加刚性的“芯”绝缘层的衬底,使其更薄(如说明书第[0027]段)。对比文件列举了多种可能的衬底材料,但均未描述其具有“无芯”这一特定结构特征。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征N**:其中所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板具有相同的长度。<br>**判断结果**:《未公开》无相关描述。对比文件未对导电薄膜403和404的“长度”进行比较或描述。从附图看,作为虚拟图案的导电薄膜404是包围天线的环形,其形状与天线线圈不同,长度概念不明确,且显然与内部线圈的长度不同。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征O**:其中所述电感器器件被包含到选自以下组的设备中,所述组包括:音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、移动电话、智能手机、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器、机动车辆中的汽车设备、RF前端模块、滤波器或PA。<br>**判断结果**:《隐含公开》说明书第[0192]-[0193]段:“The electronic apparatuses include ... a television set ... a mobile phone, and the like.” 第[0180]段也提及移动电话。对比文件明确列举了其半导体设备(RFID标签)可应用于“移动电话”(mobile phone)等电子设备中。目标专利权利要求中列举的设备列表包含“移动电话、智能手机”。因此,对比文件直接公开了电感器器件(在对比文件中为包含天线的半导体设备)可被包含在“移动电话”中。对于列表中的其他设备,如音乐播放器、平板电脑等,对比文件第[0192]段以“电子设备”概括,并举例电视和手机。本领域技术人员可以理解,RFID技术可广泛应用于各种电子设备以实现识别、跟踪等功能。因此,在宽松的隐含公开判断标准下,可以合理推断对比文件中的半导体设备有可能被包含在目标专利所列的多种电子设备中。

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