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对比文件列表
2000-10-13_发明专利_JP2000286125A Laminated electronic component_+++A_B_C_D_F_G_J_L+++.docx
2026-02-23 17:31
2007-06-21_发明申请_US20070139151A1 Amplifier output filter having planar inductor_+++A_B_C_D_G_L+++.docx
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2008-07-24_发明申请_US20080174396A1 TRANSFORMERS AND BALUNS_+++A_B_C_I_K_d_g_j_l_n_o+++.docx
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2009-06-11_发明申请_US20090146770A1 PLANAR-LIKE INDUCTOR COUPLING STRUCTURE_+++A_B_I_K_L+++.docx
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2009-06-18_发明申请_US20090153282A1 ELECTRONIC COMPONENT AND PRODUCTION METHOD THEREOF_+++A_B_D_c_g_i_l_o+++.docx
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2012-06-14_发明申请_US20120146741A1 TRANSFORMER WITH BYPASS CAPACITOR_+++A_K_L_O_b_c+++.docx
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2012-07-24_发明授权_US08227851B2 Semiconductor device_+++A_o+++.docx
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2012-10-16_发明授权_US08289118B2 Stacked inductor_+++A_B_C_d_g_i_k+++.docx
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2013-06-17_发明专利_JP2013120924A Common mode filter with multi spiral layer structure and method of manufacturing the same_+++A_B_C_L_i+++.docx
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2013-06-20_发明专利_JP2013122940A Common mode filter with multi spiral layer structure and method of manufacturing the same_+++A_B_C_L_n_o+++.docx
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2013-10-24_发明申请_US20130278374A1 COIL ASSEMBLY COMPRISING PLANAR COIL_+++A_b_o+++.docx
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2013-11-07_发明申请_US20130293482A1 TRANSPARENT THROUGH-GLASS VIA_+++A_B_D_E_O_c_g_h_l+++.docx
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2014-02-06_发明申请_US20140035702A1 HYBRID FILTER INCLUDING LC- AND MEMS-BASED RESONATORS_+++A_L_O+++.docx
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2014-08-14_发明申请_US20140225702A1 MULTILAYER INDUCTOR AND POWER SUPPLY CIRCUIT MODULE_+++A_B_j_l_o+++.docx
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2014-08-28_发明申请_US20140240072A1 VERTICAL-COUPLING TRANSFORMER WITH AN AIR-GAP STRUCTURE_+++A_B_l_o+++.docx
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2014-09-18_发明申请_US20140266494A1 INTEGRATION OF A REPLICA CIRCUIT AND A TRANSFORMER ABOVE A DIELECTRIC SUBSTRATE_+++K_a_b_d_l_o+++.docx
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2014-11-06_发明申请_US20140327510A1 ELECTRONIC DEVICE HAVING ASYMMETRICAL THROUGH GLASS VIAS_+++A_B_O_d_l_m+++.docx
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2015-03-05_发明申请_US20150061813A1 VARYING THICKNESS INDUCTOR_+++A_B_O_l+++.docx
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2015-03-05_发明申请_WO2015030976A1 VARYING THICKNESS INDUCTOR_+++O_a_b_c_d_g_l+++.docx
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2015-03-11_发明公开_EP2844612A1 TRANSPARENT THROUGH - GLASS CONDUCTIVE VIA IN A TRANSPARENT SUBSTRATE_+++B_E_O_a_d_l+++.docx
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2015-04-21_发明授权_US09009951B2 Method of fabricating an electromagnetic component_+++A_B_C+++.docx
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2015-05-11_发明专利_JPWO2013108862A1 コイル部品_+++A_B_C_D_G_e_f_h+++.docx
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2015-05-14_发明申请_US20150130579A1 MULTI SPIRAL INDUCTOR_+++A_B_K_L_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-05-26_发明授权_US09041152B2 Inductor with magnetic material_+++A_K_b_l_o+++.docx
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2015-09-01_发明授权_US09123982B2 Directional coupler integrated by CMOS process_+++A_B_D_I_k_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-10-20_发明授权_US09165706B2 Coil component_+++D_F_G_a_b_c_e_h_j+++.docx
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2015-11-04_发明公开_CN105027236A 具有气隙结构的垂直耦合变压器_+++A_B_L_M_O_i_k+++.docx
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2015-11-10_发明公开_KR1020150125974A 에어-갭 구조체를 갖는 수직-커플링 변압기_+++A_B_i_k_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-01-06_发明公开_EP2962312A1 A VERTICAL-COUPLING TRANSFORMER WITH AN AIR-GAP STRUCTURE_+++A_B_k_l_m_o+++.docx
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2016-07-28_发明专利_JP2016522566A エアギャップ構造を有する垂直結合トランス_+++A_B_I_K_L_M_O+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-08-24_发明授权_CN104011812B 线圈部件_+++A_B_C_D_F_G_e_h+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-08-30_发明授权_US09431473B2 Hybrid transformer structure on semiconductor devices_+++A_b_c_l_o+++.docx
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weixianzai_+++I_J_L_O_a_b_c_f+++.docx
2026-02-23 17:31
2014-08-14_发明申请_US20140225702A1 MULTILAYER INDUCTOR AND POWER SUPPLY CIRCUIT MODULE_+++A_B_j_l_o+++.docx

**对比文件名称**:2014-08-14_发明申请_US20140225702A1 MULTILAYER INDUCTOR AND POWER SUPPLY CIRCUIT MODULE

**目标专利名称**:高性能电感器CN108140467B

**本次调用模型名称**:DeepSeek

作为资深专利代理师,我将严格依据目标专利说明书对权利要求的解释,结合对比文件内容,对技术特征进行逐一比对和公开性判断。

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:包括:第一弯曲金属板<br>**《直接公开》**对比文件说明书第[0057]-[0064]段详细描述了形成线圈导体的“loop-like line-shaped conductors” 121, 122, 123, 124, 125。例如,“The loop-like line-shaped conductor 121 is formed on the top surface side of the magnetic layer 103.”对比文件公开了由多个环形线形导体(loop-like line-shaped conductors)堆叠形成的螺旋线圈导体。这些“线形导体”本质上就是导电的金属板,并且由于其形成螺旋形状,因此是“弯曲”的。本领域技术人员能够毫无疑义地认识到,这些螺旋线形导体即对应于目标专利中的“弯曲金属板”。因此,技术特征A被对比文件直接公开。
**技术特征B**:第二弯曲金属板,在所述第一弯曲金属板下方、并且与所述第一弯曲金属板实质上垂直对准<br>**《直接公开》**同上。对比文件第[0057]段指出,线形导体121, 122, 123, 124, 125通过层间连接导体141, 142, 143, 144连接,“forming a single spiral having an axis that extends in the stacking direction”。图1和图2清晰地展示了这些导体在多层体中沿堆叠方向(垂直方向)上下对准排列。对比文件明确公开了多个环形线形导体在堆叠方向上彼此上下排列(例如,导体121在导体122上方),并通过垂直的层间连接导体连接,共同构成一个轴线沿堆叠方向延伸的螺旋线圈。这完全公开了“在第一弯曲金属板下方并且与其垂直对准的第二弯曲金属板”这一特征。因此,技术特征B被对比文件直接公开。
**技术特征C**:第三弯曲金属板,在所述第二弯曲金属板下方、并且与所述第二弯曲金属板实质上垂直对准<br>**《未公开》**对比文件中的线圈导体由线形导体121-125(对应5层)构成(参见第[0057]段)。在线圈导体最下层(导体125)之下,是用于布线的线形导体132(第[0070]段)和外部连接导体161/162,并非作为电感线圈一部分的第三层“弯曲金属板”。目标专利中的“第三弯曲金属板”(如图4中的430)是与第一、第二弯曲金属板共同构成堆叠共螺旋电感器的又一个线圈层。对比文件中的电感器线圈部分仅由121-125这组导体构成,其最下层导体125之下是用于将线圈端部引出至底部电极的布线导体(132)和连接导体(152, 153),该布线导体132的功能和结构不同于作为线圈本体的“弯曲金属板”。对比文件既未明确公开也未隐含教导在线圈下方再设置一个作为线圈部分的第三弯曲金属板。因此,技术特征C未被公开。
**技术特征D**:第一伸长过孔,在所述第一弯曲金属板与所述第二弯曲金属板之间垂直对准<br>**《未公开》**对比文件公开了连接相邻线形导体的“interlayer connection conductors” 141, 142, 143, 144(第[0057]段)。例如,“the other end of the line-shaped conductor 121 is connected to an upper end of the interlayer connection conductor 141, which penetrates through the insulator layer 103.”对比文件确实公开了在相邻导体层之间有垂直的“层间连接导体”(过孔)。然而,目标专利的“第一伸长过孔”特指其“长度与高度的横纵比至少为2:1”的过孔(见特征E)。对比文件未描述其层间连接导体的横纵比,根据本领域公知常识及附图(图2)所示,这些连接导体通常为圆柱形或近似方形截面,其高度(层厚)与平面尺寸(直径或边长)通常处于同一量级,远未达到“伸长”所定义的至少2:1的纵横比。因此,对比文件未公开“伸长过孔”这一特定结构,技术特征D未被直接公开。
**技术特征E**:所述第一伸长过孔被配置为将所述第一弯曲金属板导电耦合到所述第二弯曲金属板、并且具有至少2比1的所述第一伸长过孔的长度与高度的横纵比<br>**《未公开》**同上。对比文件未提及层间连接导体的纵横比。如特征D论述所述,对比文件虽然公开了用于连接相邻导体层的过孔,但完全没有提及该过孔具有“至少2:1的长度与高度的横纵比”这一核心特征。该特征是目标专利为了降低过孔电阻、提高Q因子而提出的关键创新点。对比文件既未明确记载,本领域技术人员也无法从对比文件的内容中毫无疑义地得出或合理推断出这一具体尺寸比例要求。因此,技术特征E未被公开。
**技术特征F**:所述第一伸长过孔实质上遵循所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板的曲线<br>**《未公开》**对比文件附图显示,层间连接导体(如141-144)位于螺旋导体的内侧拐角处,是垂直贯穿各层的点状或短柱状结构(图1,图2)。目标专利的“伸长过孔”被描述为“实质上遵循所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板的曲线”(见说明书第[0032]段,图2B),即过孔在平面上是长条弯曲形状,沿着金属板的路径延伸。对比文件中的层间连接导体是垂直的、位于螺旋导体特定连接点处的通孔,其平面形状和尺寸并未被描述为沿着螺旋导体的曲线延伸。两者在结构和功能上存在本质差异。因此,技术特征F未被公开。
**技术特征G**:以及第二伸长过孔,在所述第二弯曲金属板与所述第三弯曲金属板之间垂直对准<br>**《未公开》**由于技术特征C(第三弯曲金属板)未被公开,因此连接第二与第三弯曲金属板的“第二伸长过孔”在对比文件中没有存在的基础。对比文件中的层间连接导体154连接的是最下层线圈导体125和底部电极161,并非连接两个线圈层。该特征依赖于未被公开的“第三弯曲金属板”。对比文件中不存在与“第三弯曲金属板”对应的结构,因此也不可能存在连接该结构的“第二伸长过孔”。因此,技术特征G未被公开。
**技术特征H**:所述第二伸长过孔被配置为将所述第二弯曲金属板导电耦合到所述第三弯曲金属板、并且具有至少2比1的长度与高度的横纵比<br>**《未公开》**同上。该特征同样依赖于技术特征C和G。由于对比文件未公开“第三弯曲金属板”和“第二伸长过孔”,因此该特征中关于过孔配置和纵横比的限定也无从谈起。因此,技术特征H未被公开。
**技术特征I**:其中所述第一弯曲金属板、所述第二弯曲金属板和所述第三弯曲金属板中的每一个由多层金属构成<br>**《未公开》**对比文件中描述线形导体(如121)时,未提及其本身由“多层金属”构成。它们是在单层基板(如磁性层103)上形成的导体图形。目标专利说明书第[0038]段明确指出,图4中的第一、第二、第三弯曲金属板410, 420, 430“每一个可以由多层金属构成。例如,每个弯曲金属层可以由通过中间金属层连接的顶部金属层和底部金属层构成。” 这指的是每个“板”本身是一个复合多层结构。对比文件中的线形导体是单层导体图形,没有公开这种每个导体板自身具有多层金属的复合结构。因此,技术特征I未被公开。
**技术特征J**:其中所述第一伸长过孔完全位于由所述第一弯曲金属板的内侧边缘和外侧边缘限定的垂直周界内<br>**《隐含公开》**对比文件图2(A)显示,连接上层布线导体131和下层布线导体132的层间连接导体152,位于螺旋线圈导体121-125所围成的内侧区域内。第[0079]段也指出:“an interlayer connection conductor ... is formed inside the group of loop-like line-shaped conductors, that is, inside the coil conductor.”目标专利的特征J限定了过孔位于弯曲金属板边缘所限定的垂直投影范围内。对比文件中的层间连接导体152设置在线圈导体(由线形导体121-125构成)的内侧区域。当从上方向下看(垂直投影)时,导体152的位置必然位于最外层线圈导体(例如121)的内侧边缘所限定的周界之内。虽然对比文件的导体152不是“伸长过孔”,但其“位于线圈内侧”这一位置特征,与本领域技术人员根据目标专利特征J所能理解的位置要求是相同的。因此,可以认为对比文件隐含公开了“过孔位于由最外层导体边缘限定的垂直周界内”这一位置关系特征。
**技术特征K**:其中所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板是八角形的<br>**《未公开》**对比文件未描述线形导体或螺旋线圈的具体平面形状为“八角形”。说明书和附图显示的是矩形多层体和螺旋形导体。目标专利说明书第[0034]段提及电感器(200)可以具有其他形状,诸如八角形,并在权利要求中将其限定为具体特征。对比文件完全没有公开线圈导体或电感器整体呈“八角形”这一具体形状特征。因此,技术特征K未被公开。
**技术特征L**:其中所述电感器器件包括射频(RF)前端模块、滤波器或功率放大器(PA)中的一项<br>**《隐含公开》**对比文件说明书第[0086]-[0097]段,以及图7、图8,详细描述了将所述多层电感器用于“power supply circuit module”(电源电路模块)中,该模块是一个“step down converter”(降压转换器),属于DC-DC转换器。第[0036]段明确:“a DC-DC converter of the present invention includes the above-described multilayer inductor ... the multilayer inductor being used as a converter inductor.”目标专利的特征L限定了电感器器件的应用场合。对比文件明确公开了其多层电感器被用作“转换器电感器(converter inductor)”并集成于“电源电路模块(power supply circuit module)”中,该模块实现降压转换功能。在本领域,用于功率转换的DC-DC转换器是功率放大器(PA)电路的一种常见和典型应用。虽然对比文件未使用“PA”这一术语,但本领域技术人员能够从“converter inductor in a DC-DC converter/power supply circuit module”这一描述中,合理且直接地推断出该电感器可用于功率放大(PA)相关的电路模块中。因此,技术特征L被对比文件隐含公开。
**技术特征M**:进一步包括位于所述第一弯曲金属板与所述第二弯曲金属板之间的无芯衬底<br>**《未公开》**对比文件中的多层体由“magnetic layers”(磁性层)或“insulator layer”(绝缘层)堆叠而成(如第[0054]段)。目标专利的“无芯衬底”是特定类型的衬底,其特点是不包括增加刚性的“芯”绝缘层,因而可以做得更薄(参见说明书第[0027]段)。对比文件虽然公开了导体之间有绝缘/磁性介质层,但并未提及该介质层是“无芯衬底”这一特定类型。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出该衬底为“无芯”结构。因此,技术特征M未被公开。
**技术特征N**:其中所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板具有相同的长度<br>**《未公开》**对比文件中的螺旋线圈导体各圈(121, 122, 123...)由于其螺旋结构,长度通常不相同(内圈短,外圈长)。未提及各导体具有相同长度。目标专利的特征N限定了两个弯曲金属板长度相同。在对比文件公开的螺旋线圈结构中,不同层的环形导体因其螺旋半径不同,其周长(长度)自然不同。对比文件没有教导或暗示可以将不同层的线圈导体制造成相同长度。因此,技术特征N未被公开。
**技术特征O**:其中所述电感器器件被包含到选自以下组的设备中...<br>**《隐含公开》**对比文件第[0097]段提到:“The power supply circuit module 10 receives power supply ... and supplies a stepped down direct current voltage to the load 30.” 虽然未明确列出具体设备,但此类电源电路模块广泛应用于各种电子设备中。目标专利的特征O列举了一系列可能的终端设备。对比文件虽然没有明确列出完全相同的设备列表,但公开了其电感器用于“电源电路模块”,并为“负载”供电。本领域技术人员公知,此类电源管理模块是构成“移动电话”、“智能手机”、“计算机”、“服务器”等现代电子设备的基本组成部分。因此,从对比文件公开的“用于电源电路模块的电感器”出发,本领域技术人员能够合理推断该电感器可以被包含在诸如移动电话、计算机等终端设备中。尽管列表不完全对应,但基于隐含公开判断标准宽松以避免遗漏的原则,可以认为对比文件隐含公开了该特征。

### 结论

根据上述比对分析:

- 技术特征A和B被对比文件**直接公开**。

- 技术特征J、L和O被对比文件**隐含公开**。

- 其余技术特征(C, D, E, F, G, H, I, K, M, N)既未被直接公开,也未被隐含公开。

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