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对比文件列表
2000-10-13_发明专利_JP2000286125A Laminated electronic component_+++A_B_C_D_F_G_J_L+++.docx
2026-02-23 17:31
2007-06-21_发明申请_US20070139151A1 Amplifier output filter having planar inductor_+++A_B_C_D_G_L+++.docx
2026-02-23 17:31
2008-07-24_发明申请_US20080174396A1 TRANSFORMERS AND BALUNS_+++A_B_C_I_K_d_g_j_l_n_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2009-06-11_发明申请_US20090146770A1 PLANAR-LIKE INDUCTOR COUPLING STRUCTURE_+++A_B_I_K_L+++.docx
2026-02-23 17:31
2009-06-18_发明申请_US20090153282A1 ELECTRONIC COMPONENT AND PRODUCTION METHOD THEREOF_+++A_B_D_c_g_i_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2012-06-14_发明申请_US20120146741A1 TRANSFORMER WITH BYPASS CAPACITOR_+++A_K_L_O_b_c+++.docx
2026-02-23 17:31
2012-07-24_发明授权_US08227851B2 Semiconductor device_+++A_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2012-10-16_发明授权_US08289118B2 Stacked inductor_+++A_B_C_d_g_i_k+++.docx
2026-02-23 17:31
2013-06-17_发明专利_JP2013120924A Common mode filter with multi spiral layer structure and method of manufacturing the same_+++A_B_C_L_i+++.docx
2026-02-23 17:31
2013-06-20_发明专利_JP2013122940A Common mode filter with multi spiral layer structure and method of manufacturing the same_+++A_B_C_L_n_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2013-10-24_发明申请_US20130278374A1 COIL ASSEMBLY COMPRISING PLANAR COIL_+++A_b_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2013-11-07_发明申请_US20130293482A1 TRANSPARENT THROUGH-GLASS VIA_+++A_B_D_E_O_c_g_h_l+++.docx
2026-02-23 17:31
2014-02-06_发明申请_US20140035702A1 HYBRID FILTER INCLUDING LC- AND MEMS-BASED RESONATORS_+++A_L_O+++.docx
2026-02-23 17:31
2014-08-14_发明申请_US20140225702A1 MULTILAYER INDUCTOR AND POWER SUPPLY CIRCUIT MODULE_+++A_B_j_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2014-08-28_发明申请_US20140240072A1 VERTICAL-COUPLING TRANSFORMER WITH AN AIR-GAP STRUCTURE_+++A_B_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2014-09-18_发明申请_US20140266494A1 INTEGRATION OF A REPLICA CIRCUIT AND A TRANSFORMER ABOVE A DIELECTRIC SUBSTRATE_+++K_a_b_d_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2014-11-06_发明申请_US20140327510A1 ELECTRONIC DEVICE HAVING ASYMMETRICAL THROUGH GLASS VIAS_+++A_B_O_d_l_m+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-03-05_发明申请_US20150061813A1 VARYING THICKNESS INDUCTOR_+++A_B_O_l+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-03-05_发明申请_WO2015030976A1 VARYING THICKNESS INDUCTOR_+++O_a_b_c_d_g_l+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-03-11_发明公开_EP2844612A1 TRANSPARENT THROUGH - GLASS CONDUCTIVE VIA IN A TRANSPARENT SUBSTRATE_+++B_E_O_a_d_l+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-04-21_发明授权_US09009951B2 Method of fabricating an electromagnetic component_+++A_B_C+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-05-11_发明专利_JPWO2013108862A1 コイル部品_+++A_B_C_D_G_e_f_h+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-05-14_发明申请_US20150130579A1 MULTI SPIRAL INDUCTOR_+++A_B_K_L_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-05-26_发明授权_US09041152B2 Inductor with magnetic material_+++A_K_b_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-09-01_发明授权_US09123982B2 Directional coupler integrated by CMOS process_+++A_B_D_I_k_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-10-20_发明授权_US09165706B2 Coil component_+++D_F_G_a_b_c_e_h_j+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-11-04_发明公开_CN105027236A 具有气隙结构的垂直耦合变压器_+++A_B_L_M_O_i_k+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-11-10_发明公开_KR1020150125974A 에어-갭 구조체를 갖는 수직-커플링 변압기_+++A_B_i_k_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-01-06_发明公开_EP2962312A1 A VERTICAL-COUPLING TRANSFORMER WITH AN AIR-GAP STRUCTURE_+++A_B_k_l_m_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-07-28_发明专利_JP2016522566A エアギャップ構造を有する垂直結合トランス_+++A_B_I_K_L_M_O+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-08-24_发明授权_CN104011812B 线圈部件_+++A_B_C_D_F_G_e_h+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-08-30_发明授权_US09431473B2 Hybrid transformer structure on semiconductor devices_+++A_b_c_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
weixianzai_+++I_J_L_O_a_b_c_f+++.docx
2026-02-23 17:31
2014-09-18_发明申请_US20140266494A1 INTEGRATION OF A REPLICA CIRCUIT AND A TRANSFORMER ABOVE A DIELECTRIC SUBSTRATE_+++K_a_b_d_l_o+++.docx

对比文件名称:2014-09-18_发明申请_US20140266494A1 INTEGRATION OF A REPLICA CIRCUIT AND A TRANSFORMER ABOVE A DIELECTRIC SUBSTRATE

目标专利名称:139高性能电感器CN108140467B

本次调用模型名称:DeepSeek-R1

作为资深专利代理师,我将根据目标专利权利要求的技术特征划分,与对比文件进行逐一比对分析。

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A:包括:第一弯曲金属板**[0036] ...the transformer 102 may include a first inductor structure (e.g., a first inductor 109) disposed above the surface of a dielectric substrate...**隐含公开**。目标专利中的“第一弯曲金属板”实质上是构成电感器的导电迹线或金属层。对比文件公开的变压器(transformer)包含第一电感器结构(first inductor structure),例如第一电感器109。根据本领域技术人员的常识,为了实现电感特性,电感器结构通常由导电金属材料制成并呈现弯曲(如螺旋、圆形或八角形)的几何形状以增加电感值。对比文件虽未明确使用“弯曲”一词描述第一电感器109,但附图1-3、17-18所示电感器均为螺旋或弯曲形状,且说明书[0163]段明确指出电感器可以是方形、圆形、八角形或其它形状。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地认识到,第一电感器结构必然由弯曲的金属板(或迹线)构成。作用上,两者均作为电感器的导电部分。
**技术特征B:第二弯曲金属板,在所述第一弯曲金属板下方、并且与所述第一弯曲金属板实质上垂直对准**[0036] ...a second inductor structure (e.g., a second inductor 110) disposed above the dielectric structure and the first inductor structure...**隐含公开**。目标专利的“垂直对准”指在俯视方向上重叠。对比文件描述了垂直耦合混合变压器(VHT),其包含设置在第一电感器结构上方的第二电感器结构(第二电感器110),两者之间设置有电介质层(如[0036]段的dielectric layer 111)。虽然对比文件描述为第二电感器在“上方”(above),而目标专利描述为“下方”,但这仅是相对位置的表述差异。从结构本质看,两者都公开了两个电感器(金属板)在垂直方向上层叠布置,并通过中间的绝缘/介电层隔开,从而在俯视方向上必然存在实质上的垂直对准关系,以实现磁耦合。两者的作用都是形成堆叠的电感器结构。因此,本领域技术人员可以合理推断出存在“在第一弯曲金属板上方/下方并垂直对准的第二弯曲金属板”这一技术特征。
**技术特征C:第三弯曲金属板,在所述第二弯曲金属板下方、并且与所述第二弯曲金属板实质上垂直对准****未公开**。对比文件仅公开了包含第一和第二电感器结构的变压器(如VHT)。虽然[0064]-[0065]段及图17-18提到了具有多个垂直耦合电感器的并联或交错配置,但这些描述是指多个成对的(第一和第二)电感器结构并联或交错排列,以构成一个更复杂的变压器,并未公开在第二电感器结构下方还存在一个与之垂直对准的、作为独立导电层的第三弯曲金属板。目标专利的第三弯曲金属板是用于构成三层堆叠共螺旋电感器的独立一层。对比文件未涉及此类三层金属板堆叠的电感器结构。
**技术特征D:第一伸长过孔,在所述第一弯曲金属板与所述第二弯曲金属板之间垂直对准,**[0085] An anisotropic etch process may be used to create vias (or recesses) 802 in the dielectric layer 801. The vias (or recesses) 802 may be used to form inductors, gate electrodes, source electrodes, or drain electrodes.**隐含公开**。目标专利的“伸长过孔”是连接上下金属板的垂直导电通道。对比文件在制造工艺中公开了在电介质层801中形成过孔(vias)802,这些过孔可用于形成电感器、电极等([0085]段)。随后,在[0089]段描述通过沉积导电层901形成第一电感器905等结构。虽然对比文件没有明确说明有一个单独的“过孔”部件连接第一和第二电感器,但本领域技术人员知晓,在多层互连结构中,上下金属层需要通过垂直互连结构(如过孔、通孔)进行电连接。对比文件图9-11示出了第一电感器905和第二电感器1102的形成过程,要实现完整的变压器功能,它们必然需要通过某种垂直互连方式与其它电路部分连接。结合对比文件公开了“vias”用于形成电感器部件,本领域技术人员可以合理推断,在制造第一电感器905和第二电感器1102或其连接线路时,会使用到垂直的过孔结构。然而,对比文件未明确描述连接第一和第二金属板(电感器)的过孔。
**技术特征E:所述第一伸长过孔被配置为将所述第一弯曲金属板导电耦合到所述第二弯曲金属板、并且具有至少2比1的所述第一伸长过孔的长度与高度的横纵比,****未公开**。对比文件虽然提到了“vias”,但未描述其具体形状、尺寸比例或连接关系。完全没有提及过孔的“长度与高度的横纵比”,更未公开“至少2比1”这一具体比例。目标专利中该特征的核心在于过孔的“伸长”形态及其特定的高宽比,旨在降低电阻、提升Q因子,这是本发明的关键创新点之一。对比文件未给出任何关于过孔具有此类伸长形状或特定纵横比的技术启示。
**技术特征F:所述第一伸长过孔实质上遵循所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板的曲线****未公开**。对比文件未描述过孔的形状或走向,完全没有提及过孔会遵循其连接的电感器(金属板)的曲线。目标专利中该特征进一步限定了过孔的形状与金属板轨迹的一致性,是对“伸长过孔”具体形态的进一步限定,对比文件毫无记载。
**技术特征G:以及第二伸长过孔,在所述第二弯曲金属板与所述第三弯曲金属板之间垂直对准****未公开**。如特征C所述,对比文件未公开第三弯曲金属板,因此自然不存在连接第二和第三金属板的第二伸长过孔。
**技术特征H:,所述第二伸长过孔被配置为将所述第二弯曲金属板导电耦合到所述第三弯曲金属板、并且具有至少2比1的长度与高度的横纵比****未公开**。理由同特征C、E、G。
**技术特征I:,其中所述第一弯曲金属板、所述第二弯曲金属板和所述第三弯曲金属板中的每一个由多层金属构成。****未公开**。目标专利说明书[0038]段及图4描述了堆叠共螺旋电感器中每个弯曲金属板可以由通过中间金属层连接的顶部和底部金属层构成,即“多层金属构成”。对比文件描述的电感器结构(如第一电感器109、905,第二电感器110、1102)并未提及每个电感器本身是由多层金属构成的。其关注点在于变压器整体由不同层的电感器堆叠而成,而非每个电感器部件的内部层状结构。
**技术特征J:其中所述第一伸长过孔完全位于由所述第一弯曲金属板的内侧边缘和外侧边缘限定的垂直周界内。****未公开**。该特征限定了过孔在平面上的精确位置范围。对比文件未公开任何关于过孔相对于其连接的电感器边缘的位置关系。
**技术特征K:其中所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板是八角形的。**[0163] The inductors of the array may be square, circular, octagonal, or may have another shape.**直接公开**。对比文件在[0163]段明确指出,形成的电感器阵列中的电感器可以是八角形(octagonal)的。虽然该段描述的是阵列中的电感器形状,但结合前文(如[0036]段),变压器中的第一电感器结构和第二电感器结构正是此类电感器。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件中得出第一和第二电感器(即对应于第一和第二弯曲金属板)可以是八角形的技术方案。两者作用相同,均作为电感器的导电形状。<<<K>>>
**技术特征L:其中所述电感器器件包括射频(RF)前端模块、滤波器或功率放大器(PA)中的一项。**[0073] The wireless controller 2008 may include the transformer 2012 and the replica circuit 2013. ... The transformer 2012 and the replica circuit 2013 may improve performance of the wireless controller 2008...**隐含公开**。目标专利中该特征限定了电感器器件的应用场合。对比文件公开的变压器(如102, 2012)和复制电路集成在无线控制器(wireless controller 2008)中,用于改善天线阻抗匹配和收发隔离([0073]段)。无线控制器是典型的射频前端模块或射频电路的核心组成部分。虽然对比文件未明确使用“RF前端模块”、“滤波器”或“PA”这些具体术语,但本领域技术人员知晓,具有阻抗匹配和隔离功能的变压器/电感器结构,正是应用于射频前端、滤波器或功率放大器等电路中的常见组件。结合对比文件将其应用于无线通信设备(移动设备)的上下文,可以合理推断该变压器结构可用于RF前端模块、滤波器或PA中。
**技术特征M:进一步包括位于所述第一弯曲金属板与所述第二弯曲金属板之间的无芯衬底。**[0036] ...disposed above a dielectric substrate (e.g., the dielectric substrate 103 of FIG. 1)... [0044] ...the substrate 403 may include or be formed from a glass-type material...**未公开**。目标专利的“无芯衬底”特指一种不包括增加刚性的“芯”绝缘层的薄型衬底(见[0027]段),用于减小厚度。对比文件公开了在介电衬底(dielectric substrate)上制作器件,例如玻璃型材料(glass-type material)的POG衬底。然而,对比文件并未描述该衬底是“无芯”(coreless)的。本领域技术人员不能从对比文件中直接或隐含地得出该衬底具备“无芯”这一特定结构特征。两者的作用虽然都是作为支撑基板,但目标专利强调的“无芯”带来的薄型化优势在对比文件中没有体现。
**技术特征N:其中所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板具有相同的长度。****未公开**。对比文件未描述第一电感器和第二电感器具有相同的长度。
**技术特征O:其中所述电感器器件被包含到选自以下组的设备中,所述组包括:音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、移动电话、智能手机、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器、机动车辆中的汽车设备、RF前端模块、滤波器或PA。**[0020] ...mobile device 2000, or components thereof, may include, implement, or be included within a device such as: a mobile station, ... a mobile phone, a cellular phone, a computer, a portable computer, a tablet... [0087] ...The semiconductor chips are then integrated into electronic devices...**隐含公开**。目标专利特征O限定了包含该电感器器件的最终电子设备类型。对比文件[0020]段明确列举了移动设备2000可以是移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、平板电脑等。[0087]段及图21的制造流程也表明,包含所述变压器和复制电路的半导体芯片最终被集成到电子设备中。虽然对比文件列举的设备清单与目标专利的清单不完全重合,但两者存在大量重叠类别(如移动电话、智能手机、平板计算机、计算机)。本领域技术人员可以合理推断,对比文件公开的变压器结构,作为一种电子元器件,可以被包含在诸如音乐播放器、视频播放器等多种常见的电子设备中,这是该类器件常规的、可预期的应用范围。

### 结论

根据以上比对分析:

- 技术特征K被对比文件**直接公开**。

- 技术特征A、B、D、L、O被对比文件**隐含公开**。

- 技术特征C、E、F、G、H、I、J、M、N未被对比文件公开(既非直接也非隐含)。

根据输出格式要求,在回答结尾插入对应代码。

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