返回项目页面
对比文件列表
2000-10-13_发明专利_JP2000286125A Laminated electronic component_+++A_B_C_D_F_G_J_L+++.docx
2026-02-23 17:31
2007-06-21_发明申请_US20070139151A1 Amplifier output filter having planar inductor_+++A_B_C_D_G_L+++.docx
2026-02-23 17:31
2008-07-24_发明申请_US20080174396A1 TRANSFORMERS AND BALUNS_+++A_B_C_I_K_d_g_j_l_n_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2009-06-11_发明申请_US20090146770A1 PLANAR-LIKE INDUCTOR COUPLING STRUCTURE_+++A_B_I_K_L+++.docx
2026-02-23 17:31
2009-06-18_发明申请_US20090153282A1 ELECTRONIC COMPONENT AND PRODUCTION METHOD THEREOF_+++A_B_D_c_g_i_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2012-06-14_发明申请_US20120146741A1 TRANSFORMER WITH BYPASS CAPACITOR_+++A_K_L_O_b_c+++.docx
2026-02-23 17:31
2012-07-24_发明授权_US08227851B2 Semiconductor device_+++A_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2012-10-16_发明授权_US08289118B2 Stacked inductor_+++A_B_C_d_g_i_k+++.docx
2026-02-23 17:31
2013-06-17_发明专利_JP2013120924A Common mode filter with multi spiral layer structure and method of manufacturing the same_+++A_B_C_L_i+++.docx
2026-02-23 17:31
2013-06-20_发明专利_JP2013122940A Common mode filter with multi spiral layer structure and method of manufacturing the same_+++A_B_C_L_n_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2013-10-24_发明申请_US20130278374A1 COIL ASSEMBLY COMPRISING PLANAR COIL_+++A_b_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2013-11-07_发明申请_US20130293482A1 TRANSPARENT THROUGH-GLASS VIA_+++A_B_D_E_O_c_g_h_l+++.docx
2026-02-23 17:31
2014-02-06_发明申请_US20140035702A1 HYBRID FILTER INCLUDING LC- AND MEMS-BASED RESONATORS_+++A_L_O+++.docx
2026-02-23 17:31
2014-08-14_发明申请_US20140225702A1 MULTILAYER INDUCTOR AND POWER SUPPLY CIRCUIT MODULE_+++A_B_j_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2014-08-28_发明申请_US20140240072A1 VERTICAL-COUPLING TRANSFORMER WITH AN AIR-GAP STRUCTURE_+++A_B_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2014-09-18_发明申请_US20140266494A1 INTEGRATION OF A REPLICA CIRCUIT AND A TRANSFORMER ABOVE A DIELECTRIC SUBSTRATE_+++K_a_b_d_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2014-11-06_发明申请_US20140327510A1 ELECTRONIC DEVICE HAVING ASYMMETRICAL THROUGH GLASS VIAS_+++A_B_O_d_l_m+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-03-05_发明申请_US20150061813A1 VARYING THICKNESS INDUCTOR_+++A_B_O_l+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-03-05_发明申请_WO2015030976A1 VARYING THICKNESS INDUCTOR_+++O_a_b_c_d_g_l+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-03-11_发明公开_EP2844612A1 TRANSPARENT THROUGH - GLASS CONDUCTIVE VIA IN A TRANSPARENT SUBSTRATE_+++B_E_O_a_d_l+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-04-21_发明授权_US09009951B2 Method of fabricating an electromagnetic component_+++A_B_C+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-05-11_发明专利_JPWO2013108862A1 コイル部品_+++A_B_C_D_G_e_f_h+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-05-14_发明申请_US20150130579A1 MULTI SPIRAL INDUCTOR_+++A_B_K_L_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-05-26_发明授权_US09041152B2 Inductor with magnetic material_+++A_K_b_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-09-01_发明授权_US09123982B2 Directional coupler integrated by CMOS process_+++A_B_D_I_k_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-10-20_发明授权_US09165706B2 Coil component_+++D_F_G_a_b_c_e_h_j+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-11-04_发明公开_CN105027236A 具有气隙结构的垂直耦合变压器_+++A_B_L_M_O_i_k+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-11-10_发明公开_KR1020150125974A 에어-갭 구조체를 갖는 수직-커플링 변압기_+++A_B_i_k_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-01-06_发明公开_EP2962312A1 A VERTICAL-COUPLING TRANSFORMER WITH AN AIR-GAP STRUCTURE_+++A_B_k_l_m_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-07-28_发明专利_JP2016522566A エアギャップ構造を有する垂直結合トランス_+++A_B_I_K_L_M_O+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-08-24_发明授权_CN104011812B 线圈部件_+++A_B_C_D_F_G_e_h+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-08-30_发明授权_US09431473B2 Hybrid transformer structure on semiconductor devices_+++A_b_c_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
weixianzai_+++I_J_L_O_a_b_c_f+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-01-06_发明公开_EP2962312A1 A VERTICAL-COUPLING TRANSFORMER WITH AN AIR-GAP STRUCTURE_+++A_B_k_l_m_o+++.docx

对比文件名称:2016-01-06_发明公开_EP2962312A1 A VERTICAL-COUPLING TRANSFORMER WITH AN AIR-GAP STRUCTURE

目标专利名称:139高性能电感器CN108140467B

本次调用模型名称:DeepSeek最新版本模型

作为资深专利代理师,我将严格依据目标专利说明书和权利要求,对对比文件EP2962312A1进行技术特征公开性评估。评估将遵循直接公开和隐含公开的判断标准,并创建特征比对表格。

## 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A:包括:第一弯曲金属板《直接公开》**图1示出了垂直耦合变压器(VHT)120,其包括上层电感器102(upper inductor 102)。说明书[0035]段描述:“The POG VHT 120 includes a lower inductor 101, an upper inductor 102...”。结合图1和图14-15可知,电感器为螺旋或平面线圈结构,本领域技术人员可以毫无疑义地理解,所述电感器由弯曲的金属板(迹线)构成。对比文件明确公开了“上层电感器102”。根据本领域公知常识及对比文件附图(如螺旋或平面线圈形状),电感器必然由导电的金属板或迹线构成,且为弯曲形状以实现电感功能。因此,“第一弯曲金属板”这一技术特征被对比文件直接公开。
**技术特征B:第二弯曲金属板,在所述第一弯曲金属板下方、并且与所述第一弯曲金属板实质上垂直对准《直接公开》**同上,[0035]段描述下层电感器101(lower inductor 101)。图1的截面图130及说明书[0036]段明确显示,下层电感器101位于上层电感器102下方。说明书[0006]段、[0007]段多次提及第一电感器结构与第二电感器结构“对齐(aligned)”以形成变压器。对比文件明确公开了位于上层电感器(对应第一弯曲金属板)下方的下层电感器(对应第二弯曲金属板),且两者垂直对齐以形成垂直耦合变压器。本领域技术人员能够直接且毫无疑义地得出两者“实质上垂直对准”的技术特征。该特征在对比文件中的作用(形成磁场耦合的变压器)与目标专利中(构成堆叠电感器的导电路径的一部分)虽应用目的不同,但结构关系相同。
**技术特征C:第三弯曲金属板,在所述第二弯曲金属板下方、并且与所述第二弯曲金属板实质上垂直对准《未公开》**对比文件未描述在所述下层电感器(101,402)下方还存在第三层弯曲金属板并与之垂直对准的结构。图14(1400)展示了两组平行配置的电感器堆叠,但每组内部是并联连接,并非权利要求中依次垂直堆叠的三层独立弯曲金属板结构。对比文件的核心是两层电感器结构(上层和下层)及其间的空气间隙。虽然提到了多个电感器阵列([0055]段),但未公开如目标专利权利要求中明确限定的、在第二弯曲金属板下方并与之垂直对准的“第三弯曲金属板”。该特征是目标专利中堆叠共螺旋电感器(如图4)的关键组成部分,对比文件未公开此特定堆叠关系。
**技术特征D:第一伸长过孔,在所述第一弯曲金属板与所述第二弯曲金属板之间垂直对准,《未公开》**对比文件公开了连接金属层和电感器的过孔(via)。例如,[0036]段提及导电层136(via layer V2)将金属连接器134(M1)连接到下层电感器101(M3);导电层138(via layer V4)将上层电感器102(M4)连接到金属连接器140(M5)。这些过孔用于层间电连接。对比文件确实公开了在金属层之间垂直对准的过孔,用于导电耦合。然而,目标专利明确限定该过孔为“伸长过孔(elongated via)”,并具有特定的长高比。对比文件中的过孔(V2, V4)是常规的垂直互联过孔,说明书和附图均未描述其具有“伸长”的形状或特征。本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含地得出“伸长过孔”这一特定结构。
**技术特征E:所述第一伸长过孔被配置为将所述第一弯曲金属板导电耦合到所述第二弯曲金属板、并且具有至少2比1的所述第一伸长过孔的长度与高度的横纵比,《未公开》**对比文件未描述任何过孔的“长度与高度的横纵比(aspect ratio)”。过孔的尺寸如深度([0042]段提及约2um)和电感器高度([0047]段提及约10um)虽有描述,但未涉及过孔自身的“长度”(平行于衬底方向的尺寸)与“高度”(垂直方向尺寸)的比例关系。目标专利中“至少2:1的长高比”是“伸长过孔”的核心定义和关键创新点,旨在降低过孔电阻、提高Q因子(见说明书[0028]-[0033]段)。对比文件完全没有提及过孔的此类形状比例特征。过孔的连接功能虽被公开,但实现该功能的具体结构(伸长过孔)及关键参数(长高比)未被公开。
**技术特征F:所述第一伸长过孔实质上遵循所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板的曲线《未公开》**对比文件未描述过孔遵循电感器曲线的特征。附图显示过孔(如V2, V4)为位于电感器端部或特定连接点处的垂直结构。目标专利中过孔“遵循曲线”的特征(见图2B)是“伸长过孔”的必然表现,是其实现低电阻平坦过渡的一部分。对比文件中的过孔是点状或短柱状垂直连接,没有迹象表明其形状会沿着螺旋或弯曲的电感器迹线延伸。该特征未被公开。
**技术特征G:以及第二伸长过孔,在所述第二弯曲金属板与所述第三弯曲金属板之间垂直对准《未公开》**对比文件未公开“第三弯曲金属板”,因此自然也未曾公开连接第二与第三金属板的“第二伸长过孔”。由于前提特征(第三弯曲金属板)未被公开,用于连接该层的过孔特征也无法在对比文件中找到依据。
**技术特征H:,所述第二伸长过孔被配置为将所述第二弯曲金属板导电耦合到所述第三弯曲金属板、并且具有至少2比1的长度与高度的横纵比《未公开》**同上,对比文件未公开第三弯曲金属板及相应的过孔连接,更未提及此类过孔的长高比。该特征依赖于技术特征C和G,这些前提特征均未被公开,因此本特征也未被公开。
**技术特征I:,其中所述第一弯曲金属板、所述第二弯曲金属板和所述第三弯曲金属板中的每一个由多层金属构成。《未公开》**对比文件中的电感器(如402, 802)被描述为通过沉积导电层(如401, 801)并经图案化形成([0043], [0047]段)。未提及每个电感器本身由“多层金属”构成。说明书[0048]段提到图4中的堆叠共螺旋电感器400的每个弯曲金属层“可以由多层金属构成”,但这是目标专利的特定描述,并非对比文件的内容。目标专利此特征(见说明书[0038]段)旨在通过多层金属结构改善热传导等性能。对比文件仅描述了单层金属形成的电感器结构,没有给出每个电感器由多层金属构成的任何教导或启示。
**技术特征J:其中所述第一伸长过孔完全位于由所述第一弯曲金属板的内侧边缘和外侧边缘限定的垂直周界内。《未公开》**对比文件未描述过孔与电感器边缘的相对位置关系。附图显示过孔位于电感器的端部或连接点,但未界定其是否完全处于电感器迹线宽度所定义的垂直投影范围内。目标专利此特征(见说明书[0052]段)限定了过孔在平面上的布置位置。对比文件完全没有涉及这方面的信息,本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出该限定。
**技术特征K:其中所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板是八角形的。《隐含公开》**[0055]段:“In a particular embodiment, an array of planar inductors in the shape of square, hollow, circular, or octagonal is formed. In another embodiment, an array of spiral inductors in the shape of square, hollow, circular, or octagonal is formed.”对比文件明确将“八角形(octagonal)”列为可形成的电感器形状之一。虽然其实施例附图未明确显示八角形,但根据说明书明确记载,本领域技术人员在制造该垂直耦合变压器时,完全有可能选择使用八角形形状的电感器。根据宽松的隐含公开判断标准,可以认为该特征被隐含公开。两者作用相同,均为电感器的平面形状。
**技术特征L:其中所述电感器器件包括射频(RF)前端模块、滤波器或功率放大器(PA)中的一项。《隐含公开》**[0005]段指出该垂直耦合变压器可用于无线通信设备(如RF duplexer);[0059]段明确提及“例如,所述交错配置1500可用于无线通信设备,诸如RF双工器。”;[0070]段指出VHT 1846可用作或用于RF双工器。RF双工器是RF前端模块的关键组成部分,也属于滤波器的一种。对比文件多次明确其变压器可用于RF双工器。RF双工器本质上是滤波器,并且是集成在RF前端模块中的标准组件。本领域技术人员能够直接理解,对比文件公开的器件可以用于“RF前端模块”或“滤波器”。虽然未明确提及“功率放大器(PA)”,但已部分公开了该特征(RF前端模块、滤波器)。根据宽松的隐含公开标准,可以认为对比文件隐含公开了该电感器器件可包含于RF前端模块或滤波器中。
**技术特征M:进一步包括位于所述第一弯曲金属板与所述第二弯曲金属板之间的无芯衬底。《隐含公开》**衬底201被描述为“low-loss substrate”,例如玻璃([0038]段),其厚度可为约0.1mm至0.7mm([0038]段)。目标专利说明书[0027]段将“无芯衬底”定义为不包括增加刚性的“芯”绝缘层的薄衬底,例如厚度约430μm。对比文件使用的玻璃等低损耗衬底,厚度很薄(最薄0.1mm即100μm),且未提及含有任何起加强作用的“芯”层。虽然对比文件未使用“无芯(coreless)”这一术语,但本领域技术人员基于其对衬底材料(玻璃)和厚度(可薄至100μm)的描述,可以合理地推断出该衬底符合目标专利所描述的“无芯衬底”的特征(薄、无刚性芯层)。根据宽松的隐含公开标准,可以认为被隐含公开。
**技术特征N:其中所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板具有相同的长度。《未公开》**对比文件未描述上下两层电感器的长度是否相同。图1和图14显示上下电感器可能大致对齐,但并未明确其“长度”这一维度上的尺寸关系。“具有相同的长度”是目标专利对上下金属板尺寸关系的进一步限定。对比文件仅公开了对齐(alignment),但对齐不一定意味着长度完全相同。没有信息表明对比文件中的上下电感器具有相同的长度。
**技术特征O:其中所述电感器器件被包含到选自以下组的设备中,所述组包括:音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、移动电话、智能手机、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器、机动车辆中的汽车设备、RF前端模块、滤波器或PA。《隐含公开》**[0085]段列举了集成了该半导体器件(VHT)的电子设备,包括:“a cellular phone, ... a music player, a video player, an entertainment unit, a navigation device, ... a personal digital assistant (PDA), a fixed location data unit, and a computer”。对比文件明确列举了其VHT器件可集成于多种电子设备中,包括手机(对应移动电话、智能手机)、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、PDA(个人数字助理)、固定位置数据单元(对应固定位置终端)、计算机(可涵盖平板计算机、膝上型计算机、服务器)。虽然未逐一对应目标专利列表中的所有设备(如可穿戴设备、汽车设备),但已公开了大部分相同或类似类别的设备。根据宽松的隐含公开判断标准,可以认为该特征被隐含公开。

<<<A>>><<<B>>><<<k>>><<<l>>><<<m>>><<<o>>>

权利要求与技术特征
Powered by Django

网站备案号:渝ICP备2023012882号


重庆市非显而易见网络科技有限责任公司 A Anti NPE NPE