对比文件名称：2012-06-14_发明申请_US20120146741A1 TRANSFORMER WITH BYPASS CAPACITOR
目标专利名称：高性能电感器CN108140467B
模型名称：DeepSeek-R1
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A《直接公开》**<br>包括：第一弯曲金属板 | [0023] “The transformer/balun 100 has coils L1, L2 and L3 formed in a single-layer providing a coplanar symmetric transformer 100...”<br>[0024] “...the transformer 100 includes a primary winding L13 and a secondary winding L2, which are both located on the same metal layer.”<br>[0025] “The primary winding L13 comprises a first winding segment (or coil) L1 and a second winding segment (or coil) L3.” | 对比文件明确公开了变压器/巴伦100具有由金属迹线（trace）形成的线圈L1、L2、L3。这些线圈是导电的金属结构，其形状在附图1A、1B中显示为弯曲或螺旋状（例如，方形或八角形螺旋）。因此，对比文件直接公开了“第一弯曲金属板”（即线圈L1）这一技术特征。 |
| **技术特征B《隐含公开》**<br>第二弯曲金属板，在所述第一弯曲金属板下方、并且与所述第一弯曲金属板实质上垂直对准 | [0024] “...the transformer 100 includes a primary winding L13 and a secondary winding L2, which are both located on the same metal layer.”<br>[0025] “The primary winding L13 comprises a first winding segment (or coil) L1 and a second winding segment (or coil) L3.”<br>结合附图2和图3的剖面图。 | 对比文件明确记载了L1、L2、L3等线圈在同一金属层（first metal layer）中形成。然而，目标专利的“在所述第一弯曲金属板下方”意指三维空间上的上下堆叠关系。对比文件的附图2和图3展示了多层互连结构（M1-MT），其中线圈L1、L2、L3可能位于同一平面（如说明书所述在同一层），但为了实现不同的连接关系（例如通过桥B2连接L1和L2），必然涉及使用不同金属层（如第二金属层）的桥接结构和过孔（vias）。本领域技术人员可以理解，为了实现这些垂直互连，必然存在位于不同金属层上的导电结构（例如用于连接线圈的桥B1、B2的金属线），这些结构在空间上位于线圈层的上方或下方，并且与线圈层垂直对准以实现电连接。因此，从对比文件整体教导的具有多层互连的集成电路结构出发，本领域技术人员可以合理推断出存在位于另一弯曲金属板（如用于桥接的金属线或另一线圈层）下方且与之垂直对准的弯曲金属板结构。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征C《隐含公开》**<br>第三弯曲金属板，在所述第二弯曲金属板下方、并且与所述第二弯曲金属板实质上垂直对准 | [0023] “The transformer/balun 100 has coils L1, L2 and L3 formed in a single-layer...”<br>结合附图2、3的多层互连结构（M1-MT）以及图1C、1D所示的三匝变压器实施例。 | 对比文件的核心实施例（图1A、1B）描述了L1、L2、L3线圈在同一层。然而，在另一个实施例（图1C、1D）中，描述了一个三匝变压器150，其具有外匝、中间匝和内匝。这些匝的金属迹线虽然可能在布局上位于同一金属层平面内，但在三维堆叠意义上，它们构成了沿垂直方向投影重叠的多层螺旋结构。特别是当结合附图2、3所示的典型集成电路后端（BEOL）多层金属堆叠结构时，本领域技术人员可以理解，为了实现更复杂的多匝电感或变压器结构，完全有可能并常规地将多个弯曲的导电层（即金属板）在垂直方向上堆叠并对准。因此，本领域技术人员从对比文件公开的多匝结构和多层互连技术能够合理推断出存在“在第二弯曲金属板下方、并且与所述第二弯曲金属板实质上垂直对准”的第三弯曲金属板这一技术方案。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征D**<br>第一伸长过孔，在所述第一弯曲金属板与所述第二弯曲金属板之间垂直对准 | [0026] “...the segment L1 is connected to the secondary winding (or coil) L2 by metal bridge B2 formed on a separate metal layer and connecting vias (not shown in FIG. 1A).”<br>[0058] “...a plurality of conductive vias are formed in at least one via layer VN to connect the bridge pattern B2 to the second coil L2 and one of the coils L1 and L3.” | 对比文件明确公开了使用过孔（vias）来连接不同金属层上的部件（例如桥B2与线圈L2、L1）。这些过孔必然位于所连接的金属部件之间并在垂直方向上对准。然而，对比文件并未描述这些过孔是“伸长过孔”。目标专利说明书[0029]-[0033]段将“伸长过孔”定义为具有特定宽高比（至少2:1）且沿金属板曲线延伸的过孔，以降低电阻。对比文件中的过孔是常规的圆柱形或类似形状的垂直互连结构，用于实现电连接，但没有公开其具有伸长的、沿曲线延伸的形状或特定的高宽比。因此，对比文件没有公开“第一伸长过孔”这一特定结构特征。 |
| **技术特征E**<br>所述第一伸长过孔被配置为将所述第一弯曲金属板导电耦合到所述第二弯曲金属板、并且具有至少2比1的所述第一伸长过孔的长度与高度的横纵比 | [0026] “...the segment L1 is connected to the secondary winding (or coil) L2 by metal bridge B2 formed on a separate metal layer and connecting vias (not shown in FIG. 1A).” | 对比文件公开了过孔（vias）用于将线圈L1导电耦合到线圈L2（通过桥B2）。然而，对比文件完全没有提及过孔的“长度与高度的横纵比”，更没有公开“至少2比1”的横纵比。目标专利的“伸长过孔”及其特定横纵比是其核心发明点之一，旨在降低过孔电阻、提高Q因子。对比文件中的过孔是常规互连结构，其尺寸和形状未被特殊限定。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征F**<br>所述第一伸长过孔实质上遵循所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板的曲线 | 无相应记载。 | 对比文件没有描述过孔的形状会遵循其所连接的金属板的曲线。过孔在对比文件中被描述为用于垂直连接的点状或柱状结构（如[0058]段），其形状与上方/下方金属板的弯曲形状无关。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征G**<br>以及第二伸长过孔，在所述第二弯曲金属板与所述第三弯曲金属板之间垂直对准 | [0058] “...a plurality of conductive vias are formed in at least one via layer VN to connect the bridge pattern B2 to the second coil L2 and one of the coils L1 and L3.”<br>（结合对特征C的论述） | 如特征C所述，对比文件隐含公开了可能存在第三弯曲金属板。同时，对比文件多次教导了使用过孔（vias）连接不同金属层上的导电部件（如[0026], [0058]）。因此，本领域技术人员可以合理推断，在存在第三弯曲金属板的情况下，会使用过孔将其与第二弯曲金属板垂直对准并连接。**但是**，对比文件同样没有公开该过孔是“伸长过孔”。因此，“第二伸长过孔”这一限定特征未被公开。 |
| **技术特征H**<br>所述第二伸长过孔被配置为将所述第二弯曲金属板导电耦合到所述第三弯曲金属板、并且具有至少2比1的长度与高度的横纵比 | 无相应记载。 | 如特征E和G所述，对比文件虽隐含了使用过孔进行垂直连接的概念，但完全没有公开该过孔是“伸长”的，更未公开其具有“至少2比1”的横纵比。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I**<br>其中所述第一弯曲金属板、所述第二弯曲金属板和所述第三弯曲金属板中的每一个由多层金属构成 | [0023] “The transformer/balun 100 has coils L1, L2 and L3 formed in a single-layer...”<br>[0040] “...the coils L1, L2 and L3 of transformer/balun 100 are formed in a metal layer above a semiconductor substrate 102.” | 对比文件明确且多次指出，线圈L1、L2、L3是在**单层**（a single-layer, a metal layer）中形成的。目标专利的特征I要求“每一个由多层金属构成”，意指单个金属板（如第一弯曲金属板）本身是由堆叠的多层金属组成的复合结构。这与对比文件公开的“在单个金属层中形成的线圈”有本质区别。尽管对比文件的图4描述了“每个弯曲金属层可以由通过中间金属层连接的顶部金属层和底部金属层构成”，但这描述的是整个变压器结构中可能包含多个金属层，而非单个线圈（弯曲金属板）本身由多层金属构成。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征J**<br>其中所述第一伸长过孔完全位于由所述第一弯曲金属板的内侧边缘和外侧边缘限定的垂直周界内 | 无相应记载。 | 对比文件没有描述过孔相对于线圈（金属板）边缘的位置关系。目标专利的这一特征限定了过孔被完全限制在金属板的宽度范围内。对比文件未提及此限定。 |
| **技术特征K《直接公开》**<br>其中所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板是八角形的。 | [0029] “For example, FIG. 1B shows a variation of the topology in which each winding L13 and L2 is octagonal.” | 对比文件附图1B及其对应描述[0029]段明确公开了线圈（winding）L13和L2可以是八角形（octagonal）的。线圈L13包含L1和L3，因此第一弯曲金属板（对应L1）和第二弯曲金属板（对应L2）可以是八角形的。这直接公开了该特征。 |
| **技术特征L《直接公开》**<br>其中所述电感器器件包括射频(RF)前端模块、滤波器或功率放大器(PA)中的一项。 | [0072] “Further, the transformer may be used for impedance matching, or as a band pass filter.”<br>[0065]-[0068] 描述了变压器/巴伦可应用于收发器（Transceiver）、接收机（Receiver）、压控振荡器（VCO）等电路中，这些通常是RF前端模块的组成部分。 | 对比文件明确指出其公开的变压器可用于带通滤波器（band pass filter）。此外，对比文件[0065]-[0068]段及附图6-8示出了该变压器在收发器、接收机、VCO等射频电路中的应用，这些电路是构成射频前端模块、功率放大器等设备的常见组件。因此，对比文件直接公开了该电感器/变压器器件可包括在RF前端模块或滤波器中。 |
| **技术特征M**<br>进一步包括位于所述第一弯曲金属板与所述第二弯曲金属板之间的无芯衬底。 | [0040] “...the coils L1, L2 and L3 of transformer/balun 100 are formed in a metal layer above a semiconductor substrate 102.”<br>[0040] “...the substrate 102 may have a plurality of back-end-of-line (BEOL) interconnect layers, comprising inter-metal-dielectric (IMD) material 104...” | 对比文件公开了线圈形成在半导体衬底（semiconductor substrate）上方的金属层中，并描述了包含多层金属和介电质的BEOL互连结构。目标专利的“无芯衬底”（coreless substrate）是一种特定类型的衬底，其定义见说明书[0027]段，特指没有增加刚性的“芯”绝缘层的薄衬底。对比文件没有提及衬底是否为“无芯”的。虽然集成电路可能采用无芯衬底，但对比文件并未明确公开或教导这一特定衬底类型。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N**<br>其中所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板具有相同的长度。 | [0028] “In some embodiments, L1 is equal to or different from L3.” （仅提及L1与L3可能等长或不等长）<br>未提及L1（第一弯曲金属板）与L2（第二弯曲金属板）的长度关系。 | 对比文件讨论了线圈L1和L3的长度可能相等或不相等，但从未提及第一线圈（L1）与第二线圈（L2）具有相同的长度。目标专利的特征N明确限定了两个特定金属板长度相同，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征O《直接公开》**<br>其中所述电感器器件被包含到选自以下组的设备中，所述组包括：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、移动电话、智能手机、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器、机动车辆中的汽车设备、RF前端模块、滤波器或PA。 | [0065] “FIG. 6 is a block diagram of a transceiver 300 that includes the transformer of FIG. 1A...”<br>[0066] “FIG. 7 is a schematic diagram of a receiver 400 into which the transformer of FIG. 1A is substituted.”<br>[0067] “FIG. 8 is a schematic diagram of a voltage controlled oscillator (VCO) 500 into which the transformer of FIG. 1A is substituted.”<br>[0068] “One of ordinary skill will recognize that these are only examples, and that the transformers described herein have many different applications.” | 对比文件明确将其公开的变压器/巴伦器件应用于收发器（transceiver）、接收机（receiver）、压控振荡器（VCO）等电路中。这些电路是移动电话、智能手机等无线通信设备的核心组成部分（参见背景技术[0005]段“Transformers and baluns are commonly used in wireless communications.”）。本领域技术人员知晓，具有此类射频电路的设备正包括目标专利权利要求O中所列举的移动电话、智能手机等。因此，对比文件直接公开了该电感器/变压器器件可被包含到此类设备中。 |
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