返回项目页面
对比文件列表
2000-10-13_发明专利_JP2000286125A Laminated electronic component_+++A_B_C_D_F_G_J_L+++.docx
2026-02-23 17:31
2007-06-21_发明申请_US20070139151A1 Amplifier output filter having planar inductor_+++A_B_C_D_G_L+++.docx
2026-02-23 17:31
2008-07-24_发明申请_US20080174396A1 TRANSFORMERS AND BALUNS_+++A_B_C_I_K_d_g_j_l_n_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2009-06-11_发明申请_US20090146770A1 PLANAR-LIKE INDUCTOR COUPLING STRUCTURE_+++A_B_I_K_L+++.docx
2026-02-23 17:31
2009-06-18_发明申请_US20090153282A1 ELECTRONIC COMPONENT AND PRODUCTION METHOD THEREOF_+++A_B_D_c_g_i_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2012-06-14_发明申请_US20120146741A1 TRANSFORMER WITH BYPASS CAPACITOR_+++A_K_L_O_b_c+++.docx
2026-02-23 17:31
2012-07-24_发明授权_US08227851B2 Semiconductor device_+++A_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2012-10-16_发明授权_US08289118B2 Stacked inductor_+++A_B_C_d_g_i_k+++.docx
2026-02-23 17:31
2013-06-17_发明专利_JP2013120924A Common mode filter with multi spiral layer structure and method of manufacturing the same_+++A_B_C_L_i+++.docx
2026-02-23 17:31
2013-06-20_发明专利_JP2013122940A Common mode filter with multi spiral layer structure and method of manufacturing the same_+++A_B_C_L_n_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2013-10-24_发明申请_US20130278374A1 COIL ASSEMBLY COMPRISING PLANAR COIL_+++A_b_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2013-11-07_发明申请_US20130293482A1 TRANSPARENT THROUGH-GLASS VIA_+++A_B_D_E_O_c_g_h_l+++.docx
2026-02-23 17:31
2014-02-06_发明申请_US20140035702A1 HYBRID FILTER INCLUDING LC- AND MEMS-BASED RESONATORS_+++A_L_O+++.docx
2026-02-23 17:31
2014-08-14_发明申请_US20140225702A1 MULTILAYER INDUCTOR AND POWER SUPPLY CIRCUIT MODULE_+++A_B_j_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2014-08-28_发明申请_US20140240072A1 VERTICAL-COUPLING TRANSFORMER WITH AN AIR-GAP STRUCTURE_+++A_B_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2014-09-18_发明申请_US20140266494A1 INTEGRATION OF A REPLICA CIRCUIT AND A TRANSFORMER ABOVE A DIELECTRIC SUBSTRATE_+++K_a_b_d_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2014-11-06_发明申请_US20140327510A1 ELECTRONIC DEVICE HAVING ASYMMETRICAL THROUGH GLASS VIAS_+++A_B_O_d_l_m+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-03-05_发明申请_US20150061813A1 VARYING THICKNESS INDUCTOR_+++A_B_O_l+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-03-05_发明申请_WO2015030976A1 VARYING THICKNESS INDUCTOR_+++O_a_b_c_d_g_l+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-03-11_发明公开_EP2844612A1 TRANSPARENT THROUGH - GLASS CONDUCTIVE VIA IN A TRANSPARENT SUBSTRATE_+++B_E_O_a_d_l+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-04-21_发明授权_US09009951B2 Method of fabricating an electromagnetic component_+++A_B_C+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-05-11_发明专利_JPWO2013108862A1 コイル部品_+++A_B_C_D_G_e_f_h+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-05-14_发明申请_US20150130579A1 MULTI SPIRAL INDUCTOR_+++A_B_K_L_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-05-26_发明授权_US09041152B2 Inductor with magnetic material_+++A_K_b_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-09-01_发明授权_US09123982B2 Directional coupler integrated by CMOS process_+++A_B_D_I_k_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-10-20_发明授权_US09165706B2 Coil component_+++D_F_G_a_b_c_e_h_j+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-11-04_发明公开_CN105027236A 具有气隙结构的垂直耦合变压器_+++A_B_L_M_O_i_k+++.docx
2026-02-23 17:31
2015-11-10_发明公开_KR1020150125974A 에어-갭 구조체를 갖는 수직-커플링 변압기_+++A_B_i_k_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-01-06_发明公开_EP2962312A1 A VERTICAL-COUPLING TRANSFORMER WITH AN AIR-GAP STRUCTURE_+++A_B_k_l_m_o+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-07-28_发明专利_JP2016522566A エアギャップ構造を有する垂直結合トランス_+++A_B_I_K_L_M_O+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-08-24_发明授权_CN104011812B 线圈部件_+++A_B_C_D_F_G_e_h+++.docx
2026-02-23 17:31
2016-08-30_发明授权_US09431473B2 Hybrid transformer structure on semiconductor devices_+++A_b_c_l_o+++.docx
2026-02-23 17:31
weixianzai_+++I_J_L_O_a_b_c_f+++.docx
2026-02-23 17:31
2013-06-17_发明专利_JP2013120924A Common mode filter with multi spiral layer structure and method of manufacturing the same_+++A_B_C_L_i+++.docx

# 特征比对分析

**对比文件名称**: 2013-06-17_发明专利_JP2013120924A Common mode filter with multi spiral layer structure and method of manufacturing the same

**目标专利名称**: 高性能电感器 CN108140467B

**本次调用模型名称**: DeepSeek-R1

根据目标专利说明书,其核心在于提供一种高性能电感器,通过在第一、第二(以及可选的第三)弯曲金属板之间设置具有特定长宽比(至少2:1)的“伸长过孔”,以提供更低电阻、更平坦的电流路径,从而提升电感器的品质因数(Q因子)。对比文件涉及一种多层螺旋结构的共模滤波器,其包含多个螺旋线圈层并通过垂直的导电柱(导電性スタッド)连接。

以下为严格按照目标专利权利要求划分技术特征后的比对表格:

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(翻译为中文)公开性论述
**A:包括:第一弯曲金属板《直接公开》**[2] “第1のコイル層3は第1のコイル31を備えており”(第一线圈层3具备第一线圈31)以及“第1のコイル31、第2のコイル51、第3のコイル71及び第4のコイル91は図1に示す矩形らせん(rectangular spiral)とすることができるが、例えば円形らせん(circular spiral)などのその他の形状のらせんとしても良い。”(第一线圈31、第二线圈51、第三线圈71及第四线圈91可以是图1所示的矩形螺旋,但也可以是例如圆形螺旋等其他形状的螺旋。)对比文件公开了“第一线圈31”,其为螺旋形状的导电线圈。根据目标专利说明书,其“弯曲金属板”例如图2A中的第一弯曲金属板210,同样是螺旋形状的导电迹线。两者在结构和功能(作为电感/线圈的导电路径)上相同。因此,技术特征A被对比文件直接公开。
**B:第二弯曲金属板,在所述第一弯曲金属板下方、并且与所述第一弯曲金属板实质上垂直对准《直接公开》**[2] “第2のコイル層5は第2のコイル51を備えており”(第二线圈层5具备第二线圈51)以及“第2のコイル51は第1のコイル31と第3のコイル71との間に配設されており”(第二线圈51设置在第一线圈31与第三线圈71之间)。结合图2的剖面图可知,各线圈层在垂直方向上堆叠。对比文件明确第二线圈层5(具有第二线圈51)设置在第一线圈层3(具有第一线圈31)之上(参见图2、图6-10的制造流程),且从结构图示可知它们垂直堆叠并对准。这与目标专利中第二弯曲金属板位于第一弯曲金属板下方并垂直对准的技术特征相同。因此,技术特征B被直接公开。
**C:第三弯曲金属板,在所述第二弯曲金属板下方、并且与所述第二弯曲金属板实质上垂直对准《直接公开》**[2] “第3のコイル層7は第3のコイル71を備えており”(第三线圈层7具备第三线圈71)以及“第3のコイル71は第2のコイル51と第4のコイル91との間に配設されている”(第三线圈71设置在第二线圈51与第四线圈91之间)。对比文件公开了第三线圈层7(具有第三线圈71)设置在第二线圈层5(具有第二线圈51)之上。从堆叠结构可知,它们垂直对准。这与目标专利中第三弯曲金属板位于第二弯曲金属板下方并垂直对准的技术特征相同。因此,技术特征C被直接公开。
**D:第一伸长过孔,在所述第一弯曲金属板与所述第二弯曲金属板之间垂直对准《未公开》**对比文件中描述了连接不同线圈的“導電性スタッド”(导电性柱),例如导電性スタッド12连接第一线圈31和第三线圈71([2] “導電性スタッド12はコンタクトホール41及びコンタクトホール61を貫通して、第1のコイル31の内端部32と第3のコイル71の内端部72とを接続している”)。未发现连接第一线圈层(第一弯曲金属板)与第二线圈层(第二弯曲金属板)的垂直导电结构。第一与第二线圈层之间仅有绝缘层(第1の絶縁層4)进行电气隔离。目标专利的“第一伸长过孔”用于垂直连接第一和第二弯曲金属板。在对比文件中,第一线圈层(31)与第二线圈层(51)之间是绝缘层4,两者没有直接的导电耦合。连接不同层线圈的导电柱(如柱12)是连接第一和第三线圈,或第二和第四线圈的。因此,对比文件既未直接公开也未隐含公开位于第一与第二弯曲金属板/线圈之间并垂直对准的“第一伸长过孔”。
**E:所述第一伸长过孔被配置为将所述第一弯曲金属板导电耦合到所述第二弯曲金属板、并且具有至少2比1的所述第一伸长过孔的长度与高度的横纵比《未公开》**(同特征D,无相应结构)此外,对比文件对导电柱的形状和尺寸比例没有具体描述。由于对比文件缺少连接第一和第二金属板/线圈的过孔结构,因此“导电耦合”的功能和“至少2:1长宽比”的特征均无从谈起。本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出该技术方案。
**F:所述第一伸长过孔实质上遵循所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板的曲线《未公开》**(同特征D,无相应结构)此特征依附于特征D所述的“第一伸长过孔”而存在。由于该过孔结构本身未被公开,其特征F自然也未被公开。
**G:以及第二伸长过孔,在所述第二弯曲金属板与所述第三弯曲金属板之间垂直对准《未公开》**对比文件中有导電性スタッド13连接第二线圈51和第四线圈91([2] “導電性スタッド13はコンタクトホール62及びコンタクトホール81を貫通して、第2のコイル51の内端部52と第4のコイル91の内端部92とを接続している”)。未发现连接第二线圈层(第二弯曲金属板)与第三线圈层(第三弯曲金属板)的垂直导电结构。第二与第三线圈层之间仅有绝缘层(第2の絶縁層6)。目标专利的“第二伸长过孔”用于垂直连接第二和第三弯曲金属板。在对比文件中,第二线圈层(51)与第三线圈层(71)之间是绝缘层6,两者没有直接的导电耦合。已有的导电柱13连接的是第二和第四线圈。因此,该特征未被对比文件公开。
**H:所述第二伸长过孔被配置为将所述第二弯曲金属板导电耦合到所述第三弯曲金属板、并且具有至少2比1的长度与高度的横纵比《未公开》**(同特征G,无相应结构)由于对比文件缺少连接第二和第三金属板/线圈的过孔结构,因此该特征未被公开。
**I:其中所述第一弯曲金属板、所述第二弯曲金属板和所述第三弯曲金属板中的每一个由多层金属构成《隐含公开》**[2] “第1のコイル層3、第2のコイル層5、第3のコイル層7及び第4のコイル層9は真空成膜工程(vacuum film formation process)(蒸着又はスパッタリング)又はめっき(plating)工程で製造することができる。”(第一线圈层3、第二线圈层5、第三线圈层7及第四线圈层9可以通过真空成膜工艺(蒸镀或溅射)或电镀工艺制造。)对比文件明确指出各线圈层可通过蒸镀、溅射或电镀等工艺制造。本领域技术人员公知,为了获得所需的导电性、厚度或机械性能,采用这些工艺制造的导电层完全可以且经常由多层不同金属(例如种子层、主体导电层、防氧化层等)构成。因此,虽然对比文件未明确写出“多层金属”,但根据其公开的制造方法,本领域技术人员能够合理推断出每个线圈层(对应于目标专利的弯曲金属板)可以由多层金属构成。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
**J:其中所述第一伸长过孔完全位于由所述第一弯曲金属板的内侧边缘和外侧边缘限定的垂直周界内《未公开》**(同特征D,无相应结构)此特征依附于特征D所述的“第一伸长过孔”而存在。由于该过孔结构本身未被公开,其特征J自然也未被公开。
**K:其中所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板是八角形的《未公开》**[2] “第1のコイル31、第2のコイル51、第3のコイル71及び第4のコイル91は図1に示す矩形らせん(rectangular spiral)とすることができるが、例えば円形らせん(circular spiral)などのその他の形状のらせんとしても良い。”对比文件仅公开了线圈可以是矩形螺旋或圆形螺旋,并未提及八角形(octagonal)这一特定形状。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该特定形状。因此,该特征未被公开。
**L:其中所述电感器器件包括射频(RF)前端模块、滤波器或功率放大器(PA)中的一项《直接公开》**[2] 标题及全文表明该发明涉及“コモンモードフィルタ”(共模滤波器)。目标专利权利要求中将“滤波器”列为电感器器件的应用选项之一。对比文件明确公开其发明为一种“共模滤波器”,属于滤波器的一种。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
**M:进一步包括位于所述第一弯曲金属板与所述第二弯曲金属板之间的无芯衬底《未公开》**[2] 第一与第二线圈层之间有“第1の絶縁層4”(第一绝缘层4)。文中未提及该绝缘层或整个衬底具有“无芯”(coreless)特性。目标专利说明书[0019],[0027]特别强调了“无芯衬底”是不含增加刚性的“芯”绝缘层的薄型衬底。对比文件中的绝缘层是用于电气隔离的常规层,并未描述其具有目标专利所特指的“无芯”结构或属性。本领域技术人员无法从对比文件得出或推断出该特征。因此,该特征未被公开。
**N:其中所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板具有相同的长度《未公开》**对比文件未对各线圈的长度进行比较或描述。对比文件未提及第一线圈与第二线圈具有相同长度。虽然图中显示它们轮廓相似,但“长度相同”并非必然或隐含的技术特征。本领域技术人员无法从对比文件确定或合理推断出该特征。因此,该特征未被公开。
**O:其中所述电感器器件被包含到选自以下组的设备中,所述组包括:音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、移动电话、智能手机、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器、机动车辆中的汽车设备、RF前端模块、滤波器或PA《未公开》**[2] “携帯型電子機器の需要に応えるべく、チップ型のコモンモードフィルタが開発されている。”(为了满足便携式电子设备的需求,开发了芯片型共模滤波器。)对比文件仅泛泛提及“便携式电子设备”这一应用领域,并未具体公开如目标专利权利要求中所列的详细且具体的设备类型列表。本领域技术人员无法从“便携式电子设备”这一宽泛描述中,毫无疑义地得出或合理推断出所有列举的具体设备类型。因此,该特征未被公开。

**结论代码**:根据上述分析,技术特征A、B、C、L被直接公开,技术特征I被隐含公开。其他技术特征(D, E, F, G, H, J, K, M, N, O)未被公开。

<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<L>>><<<i>>>

权利要求与技术特征
Powered by Django

网站备案号:渝ICP备2023012882号


重庆市非显而易见网络科技有限责任公司 A Anti NPE NPE