# 专利创造性评估分析
**对比文件名称**: 2016-07-28_发明专利_JP2016522566A エアギャップ構造を有する垂直結合トランス
**目标专利名称**: 139高性能电感器CN108140467B
**本次调用模型名称**: 深度分析模型
以下将严格按照目标专利权利要求中已给出的技术特征划分，与对比文件进行逐一比对。技术特征的理解将紧密结合目标专利说明书原文进行解释。
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **特征A《直接公开》**<br>包括：第一弯曲金属板 | [0016] POG VHT120は、下部インダクタ101、上部インダクタ102...を含む。<br>[0018] ...下部インダクタ101（たとえばM3層）...上部インダクタ102（たとえばM4層）...<br>[0037] ...正方形、中空、円形または**八角形の形**の螺旋インダクタのアレイが形成される。 | 目标专利的“第一弯曲金属板”在说明书中指代形成电感器的导电迹线（如顶部金属层），其形状可以是圆形或八角形（见[0034]）。对比文件明确公开了“下部インダクタ101”和“上部インダクタ102”（见[0016]），这些“インダクタ”（电感器）是导电的金属结构。对比文件还明确提及这些电感器可以是“八角形”或“螺旋”形状（见[0037]）。因此，对比文件直接公开了作为电感器组成部分的、具有弯曲或螺旋形状的金属板（即“第一弯曲金属板”）。两者在各自技术方案中均作为电感器的核心导电部件，作用相同。 |
| **特征B《直接公开》**<br>第二弯曲金属板，在所述第一弯曲金属板下方、并且与所述第一弯曲金属板实质上垂直对准 | [0016] POG VHT120は、**下部インダクタ101**、**上部インダクタ102**...を含む。<br>[0018] ...下部インダクタ101（たとえばM3層）...**上部インダクタ102（たとえばM4層）**...<br>横断面図130（结合文字描述）清晰地显示上部インダクタ102位于下部インダクタ101之上。 | 目标专利的“第二弯曲金属板”在下方并与第一弯曲金属板垂直对准，共同构成双层电感器（见[0022]）。对比文件公开了“下部インダクタ101”和位于其上的“上部インダクタ102”（见[0016, 0018]）。从图1的横断面图130及其描述可知，这两个电感器结构在垂直方向上堆叠并对准，以形成垂直耦合变压器（VHT）。因此，对比文件直接公开了在“第一”电感器（上部インダクタ102）下方、并与其垂直对准的“第二”电感器（下部インダクタ101）。两者在各自方案中均作为垂直堆叠的耦合电感部件，作用相同。 |
| **特征C《未公开》**<br>第三弯曲金属板，在所述第二弯曲金属板下方、并且与所述第二弯曲金属板实质上垂直对准 | 对比文件中未发现描述在“下部インダクタ101”下方还存在第三个作为独立电感器功能的弯曲金属板。对比文件中的金属层（如M1， M5）主要用于连接，而非作为独立电感器。 | 目标专利的“第三弯曲金属板”与第一、第二弯曲金属板共同构成堆叠共螺旋电感器（见图4及[0038]），用于进一步降低电阻和功耗。对比文件的核心结构是包含两个垂直堆叠电感器（101， 102）的变压器。虽然对比文件描述了多个金属层（如M1， M3， M4， M5）和连接过孔，但这些附加层（如M1， M5）是作为连接垫或再布线层，其本身并非被描述为具有电感器功能的“弯曲金属板”。本领域技术人员阅读对比文件后，无法直接且毫无疑义地得出存在第三个功能相同的弯曲金属电感板，也无法通过简单推理隐含得出该特征。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **特征D《未公开》**<br>第一伸长过孔，在所述第一弯曲金属板与所述第二弯曲金属板之间垂直对准 | [0018] ...導電層136（たとえばビア層V2）を介して下部インダクタ101（たとえばM3層）に接続することができる。<br>...別の導電層138（たとえばビア層V4）が存在している。<br>[0024] ...異方性エッチプロセスを基板201に実施して、誘電体層301中に**ビアホール302**を生成することができる。 | 目标专利的“第一伸长过孔”是一个关键特征，其具有特定的高宽比（长宽比），用于提供低电阻的平坦电流路径（见[0032]-[0033]）。对比文件公开了使用“ビア層V2”、“ビア層V4”或“ビアホール302”（即过孔）来连接不同的金属层或电感器（见[0018， 0024]）。这些过孔在结构中起到垂直导电连接的作用。然而，对比文件完全没有描述这些过孔是“伸长”的，也没有提及任何关于其宽度与高度比例（横纵比）的信息。本领域技术人员从对比文件中只能得到使用常规过孔进行连接的技术启示，而无法得出或推理出使用具有特定“伸长”形状和高宽比的过孔的技术方案。因此，该特征未被直接公开，也未隐含公开。 |
| **特征E《未公开》**<br>所述第一伸长过孔被配置为将所述第一弯曲金属板导电耦合到所述第二弯曲金属板、并且具有至少2比1的所述第一伸长过孔的长度与高度的横纵比 | 无相关描述。 | 如上所述，对比文件公开了过孔用于导电耦合，但完全没有提及过孔的“伸长”特性，更未公开其“长度与高度的横纵比至少为2比1”这一关键几何参数。该参数是目标专利实现降低过孔电阻、提升电感器Q因子的核心手段（见[0032]-[0033]，[0036]）。对比文件未提供任何关于过孔形状比例的信息，本领域技术人员无法从中推导出该特征。 |
| **特征F《未公开》**<br>所述第一伸长过孔实质上遵循所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板的曲线 | 无相关描述。 | 目标专利中，伸长过孔遵循弯曲金属板的曲线是其实现低电阻平坦过渡的形态特征（见[0032]）。对比文件中未描述过孔具有弯曲形状或遵循电感器迹线曲线。过孔（ビアホール）通常被理解为垂直贯穿介电层的通道，其形状是独立的。该特征未被公开。 |
| **特征G《未公开》**<br>以及第二伸长过孔，在所述第二弯曲金属板与所述第三弯曲金属板之间垂直对准 | 无相关描述。 | 由于对比文件未公开“第三弯曲金属板”（特征C），自然也就不存在连接第二与第三弯曲金属板的“第二伸长过孔”。该特征未被公开。 |
| **特征H《未公开》**<br>所述第二伸长过孔被配置为将所述第二弯曲金属板导电耦合到所述第三弯曲金属板、并且具有至少2比1的长度与高度的横纵比 | 无相关描述。 | 基于特征C和G未被公开，此特征也未被公开。 |
| **特征I《隐含公开》**<br>其中所述第一弯曲金属板、所述第二弯曲金属板和所述第三弯曲金属板中的每一个由多层金属构成。 | [0038] 第一弯曲金属板410、第二弯曲金属板420和第三弯曲金属板430中の**每一个可以由多层金属构成**。例如，每个弯曲金属层可以由通过中间金属层连接的顶部金属层和底部金属层构成。<br>（注：此段为目标专利说明书内容，用于解释特征含义。对比文件引用如下：）<br>[0023] 導電層203は、物理気相成長(PVD)(たとえばスパッタリング)または化学気相成長(CVD)などの**膜堆積プロセス**を使用して形成することができる。<br>[0040] 導電層801は、電気めっき、物理気相成長(PVD)または化学気相成長(CVD)などの**膜堆積プロセス**を使用して形成することができる。 | 目标专利说明书中提到，每个弯曲金属板“可以由多层金属构成”，这是一种可选或示例性的构成方式，旨在提供更好的导电性或热性能（见[0038]）。对比文件在描述形成电感器（インダクタ402， 802）和连接层时，多次提到使用“膜堆積プロセス”（薄膜沉积工艺）来形成“導電層”（导电层）（见[0023， 0040]）。在本领域技术人员的常识中，使用薄膜沉积工艺（如PVD、CVD、电镀）制造的金属层，其本身可以是单层，但为了获得特定的电学、机械性能或满足工艺整合需求，也完全可以通过连续沉积不同金属或合金来形成由“多层金属”构成的复合导电层。虽然对比文件没有明确文字指出电感器是“多层金属构成”，但本领域技术人员基于其对半导体/微电子制造工艺的普遍知识，从对比文件公开的“膜堆積プロセス”这一技术手段出发，完全有可能并合理推断出所形成的金属层（包括电感器）可以采用“多层金属构成”的方式。这是一种隐含公开。 |
| **特征J《未公开》**<br>其中所述第一伸长过孔完全位于由所述第一弯曲金属板的内侧边缘和外侧边缘限定的垂直周界内。 | 无相关描述。 | 该特征限定了伸长过孔在平面上的投影位置，完全位于上层面板的边界之内。对比文件完全没有描述过孔与上层电感板边缘之间的位置关系。该特征未被公开。 |
| **特征K《直接公开》**<br>其中所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板是八角形的。 | [0037] ...正方形、中空、円形または**八角形の形**の螺旋インダクタのアレイが形成される。 | 目标专利说明书记载电感器可以是八角形（见[0034]）。对比文件明确公开了其电感器（インダクタ）可以制造成“八角形の形”（八角形形状）（见[0037]）。因此，对比文件直接公开了电感器（即弯曲金属板）为八角形这一具体形状特征。 |
| **特征L《直接公开》**<br>其中所述电感器器件包括射频(RF)前端模块、滤波器或功率放大器(PA)中的一项。 | [0005] ...垂直結合トランスを**ワイヤレス通信デバイス(たとえばRF送受切換え器)**に使用することにより...<br>[0052] ...**RFインターフェース1852**は、**VHT1856**...を含むことができる。<br>[0052] ...**VHT1846**は、**RF送受切換え器**として使用することができ、あるいは**RF送受切換え器内**で使用することができる。<br>[0066] ...**RF送受切換え器**... | 目标专利的电感器可用于RF前端模块、滤波器或PA中（见[0050]）。对比文件明确且反复指出其垂直耦合变压器（VHT）可用于“RF送受切換え器”（RF前端模块/收发开关）（见[0005]），并且是“RFインターフェース”（RF接口）的组成部分（见[0052]）。RF前端模块是包含滤波器、PA、开关等组件的系统。因此，对比文件直接公开了该电感器（变压器）器件应用于RF前端模块这一技术场景。 |
| **特征M《直接公开》**<br>进一步包括位于所述第一弯曲金属板与所述第二弯曲金属板之间的无芯衬底。 | [0018] POG VHT130は、**基板132**として低損失材料を含み、この低損失材料は、電気抵抗率が高い**ガラス材料**でできていてもよい。<br>[0020] ...**ガラス基板**201...<br>[0020] 低損失材料の例には、**ガラス**、クオーツ、サファイヤ、シリコンオンインシュレータ基板(SOI)...がある。 | 目标专利的“无芯衬底”指一种没有刚性芯层的薄型衬底，例如有机层压板（见[0006]）或特定的绝缘层（见[0028]）。对比文件详细描述了其器件构建在“低損失基板”上，并明确例举了“ガラス材料”（玻璃材料）作为基板（见[0018， 0020]）。在微电子封装领域，玻璃基板是典型的“无芯”衬底（Coreless Substrate）材料，因为它不具备传统有机封装基板中的玻璃纤维增强芯层。因此，对比文件公开的“玻璃基板”实质上就是一种“无芯衬底”。该衬底位于下部インダクタ（相当于第二弯曲金属板）之下，并延伸至其与上部インダクタ之间的区域。本领域技术人员能够直接识别其公开了无芯衬底。 |
| **特征N《未公开》**<br>其中所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板具有相同的长度。 | 无相关描述。 | 目标专利中，上下金属板具有相同长度（见[0051]）。对比文件未对上下两个电感器的长度关系进行任何描述或暗示。该特征未被公开。 |
| **特征O《直接公开》**<br>其中所述电感器器件被包含到选自以下组的设备中，所述组包括：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、移动电话、智能手机、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器、机动车辆中的汽车设备、RF前端模块、滤波器或PA。 | [0052] ...**モバイルデバイス**1800...<br>[0066] ...**セルラー電話**、ワイヤレスローカルエリアネットワーク(LAN)デバイス、...**音楽プレーヤ**、**ビデオプレーヤ**、**娯楽ユニット**、**ナビゲーションデバイス**、**通信デバイス**、**パーソナルデジタルアシスタント(PDA)**、固定位置データユニットおよび**コンピュータ**であってもよい。<br>[0066] ...**モバイル電話**などの遠隔ユニット、...**GPSイネーブルデバイス**、**ナビゲーションデバイス**... | 目标专利列举了电感器可被集成的多种终端设备。对比文件在[0052]和[0066]中明确指出其包含VHT的器件可用于“モバイルデバイス”（移动设备），并具体例举了“セルラー電話”（蜂窝电话/移动电话）、“音楽プレーヤ”（音乐播放器）、“ビデオプレーヤ”（视频播放器）、“娯楽ユニット”（娱乐单元）、“ナビゲーションデバイス”（导航设备）、“パーソナルデジタルアシスタント(PDA)”（个人数字助理）、“コンピュータ”（计算机）、“GPSイネーブルデバイス”（GPS使能设备）等。这些设备与目标专利权利要求中列举的设备种类存在大量重叠。因此，对比文件直接公开了将该电感器（变压器）器件包含到多种移动及计算设备中的技术特征。 |
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