**对比文件名称**:2004-08-12_JP2004524710A_发明专利_JP2004524710A Semiconductor chip for optoelectronics
**目标专利名称**:1294有利于背后照明的LED广角发射透镜CN101160670B
**本次调用的模型名称**:无(未提供,默认使用通用模型)
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用(中文翻译) | 公开性论述 |
| **技术特征A:其包括具有中心轴的LED电路小片**<br>《直接公开》 | 【0016】“半導体層列3が活性層4と一緒に堆積されている基板2を有する半導体チップ1”<br>【0017】“レンズの主光軸が、活性領域5の中心点を通る” | 对比文件公开了用于光电子学的半导体芯片(即LED电路小片),并明确该芯片具有活性区域,且透镜的主光轴通过活性区域中心点,即隐含了中心轴的概念。因此,本领域技术人员可以直接、毫无疑义地确定该芯片具有中心轴。 |
| **技术特征B:相对于LED电路小片固定的透镜**<br>《直接公开》 | 【0017】“窓層6は、フレネルレンズ状に階段式に構造化された窓層を有している。”<br>【0016】“活性層5の上に、窓層6が設けられている。” | 对比文件的窗口层6直接形成在活性层5上,且被结构化形成菲涅尔透镜,该透镜相对于半导体芯片是固定的。因此,公开了相对于LED电路小片固定的透镜。 |
| **技术特征C:该透镜使LED电路小片发出的光折射**<br>《直接公开》 | 【0009】“構造化の結果、活性領域から放射されたビームが、窓層との境界面上の領域内で、活性領域の方に向かって傾斜している包囲媒質の方に入射するように構成されている” | 对比文件明确记载,通过窗口层的结构化,使从活性区域发射的光束在窗口层与周围介质的边界面上发生折射并进入周围介质。因此,该透镜(窗口层)实现了对光的折射作用。 |
| **技术特征D:从而使得峰值强度出现在偏离中心轴50-80度的范围内**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件全文未提及光强峰值出现的角度范围,也未给出任何关于出射光角分布的数据或教导。本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得出峰值强度在50-80度范围内的结论。 |
| **技术特征E:使得沿着中心轴的强度在峰值强度的5%到33%之间**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件没有涉及中心轴方向的光强与峰值强度之间的比例关系,未公开或暗示任何具体数值范围。 |
| **技术特征F:其中该透镜包括密封LED电路小片的第一透镜**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件的窗口层是半导体层,不用于密封整个芯片,且未公开“第一透镜”的概念。 |
| **技术特征G:围绕该第一透镜和LED电路小片的辅透镜**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件仅有一个窗口层(菲涅尔透镜),没有围绕第一透镜的辅透镜。 |
| **技术特征H:该辅透镜具有在第一透镜与辅透镜之间形成空气间隙的中空部分**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件没有空气间隙或中空部分。 |
| **技术特征I:该间隙生成使光远离中心轴弯曲的折射界面**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件未公开任何空气间隙或相关折射界面。 |
| **技术特征J:其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 同特征D,对比文件未公开任何峰值强度角度。 |
| **技术特征K:其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 同特征J。 |
| **技术特征L:沿着中心轴的强度为峰值强度的5-15%**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件未涉及中心轴强度与峰值强度的比例关系。 |
| **技术特征M:其中该辅透镜包括非球面外表面**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件的窗口层是菲涅尔透镜结构,表面为阶梯状,并非非球面。 |
| **技术特征N:和非球面圆顶形内表面**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件没有内表面,且窗口层底部为平面,非圆顶形。 |
| **技术特征O:其中该辅透镜包括具有用于减少中心轴附近的光强度的全内反射(TIR)部分的非球面外表面**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件未公开TIR结构或减少中心轴光强的设计。 |
| **技术特征P:其中该第一透镜为半球形**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件中的窗口层为菲涅尔透镜,并非半球形,且未公开第一透镜。 |
| **技术特征Q:其中该第一透镜为直接模制在LED电路小片上的透镜**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件的窗口层是通过外延生长和蚀刻形成,并非模制。 |
| **技术特征R:密封了该LED电路小片**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件的窗口层是半导体层的一部分,不提供密封功能。 |
| **技术特征S:其中该间隙为圆顶形空气间隙**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件没有空气间隙。 |
| **技术特征T:其中该第一透镜为硅树脂;并且辅透镜为塑料**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件中的材料为半导体材料(如GaAs等),并非硅树脂或塑料。 |
| **技术特征U:进一步包括次级载具**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件未涉及任何载具或次级载具。 |
| **技术特征V:其上安装了LED电路小片**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件仅涉及芯片本身,未提及安装结构。 |
| **技术特征W:印刷电路板**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件未涉及印刷电路板。 |
| **技术特征X:其上安装了次级载具**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件未涉及次级载具的安装。 |
| **技术特征Y:其中该透镜直接接触该印刷电路板**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件未涉及透镜与PCB的接触。 |
| **技术特征Z:围绕该次级载具**<br>《未公开》 | 无相关记载 | 对比文件未涉及次级载具的环绕结构。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>>