**对比文件名称**：US2009288872A1_Description_20260318_1958
**目标专利名称**：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
**模型名称**：DeepSeek-R1
### **特征比对表格**
| 技术特征描述与公开性判断结果 | 对比文件原文引用（译文） | 公开性论述 |
| **技术特征A：基板**<br>**《直接公开》** | [0034] ...第一绝缘层110...第二绝缘层120...第三绝缘层130...由绝缘树脂（例如环氧树脂）构成。 | 对比文件明确公开了构成印刷电路板主体的“第一绝缘层110”、“第二绝缘层120”和“第三绝缘层130”。在目标专利中，“基板”是器件（如无源器件）的载体，可由低损耗材料制成。对比文件中的绝缘层同样作为电路板的载体和绝缘主体，两者均为承载电路结构的基底。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了“基板”这一技术特征。 |
| **技术特征B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔**<br>**《未公开》** | [0034] ...第一通孔510用于在第一电路图案915与第一下焊盘925之间的电连接...第二通孔520用于在第二电路图案935与第二下焊盘945之间的电连接。 | 对比文件公开了至少部分穿过绝缘层延伸的通孔（如第一通孔510），但该通孔在对比文件中仅用于层间电连接，其作用是实现不同电路层之间的电气互联。目标专利中，该通孔是“形成多通孔电感器的一部分”，其作用是与其它通孔和导电结构共同构成电感器，是谐振电路的一部分。两者的功能、结构和在整体电路中的作用完全不同。对比文件未提及任何电感器结构，也未暗示该通孔可用于构成电感器。因此，该技术特征未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构**<br>**《未公开》** | [0034] ...以及用于在第一下焊盘925与第二下焊盘930之间电连接的导电凸块800。 | 对比文件公开了连接两个下焊盘（925， 945）的“导电凸块800”，该结构用于层间电气互连。然而，目标专利的“导电结构”是“多通孔电感器”的组成部分，与通孔共同构成电感器。对比文件中的导电凸块800仅起到连接作用，并未与通孔组合形成任何电感性质的元件，也未在电路中起到电感器的作用。因此，该技术特征未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间**<br>**《未公开》** | 无 | 对比文件全文未提及“电容器”结构，更未公开一种“电介质位于通孔与电容器的极板之间”的电容器。目标专利的核心创新点之一正是将电容器直接集成在通孔上，其间以电介质隔开。对比文件仅涉及印刷电路板的互连结构，与电容器无关。因此，该技术特征未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。**<br>**《未公开》** | 无 | 由于对比文件未公开“电容器”，因此也不可能公开关于电容器极板位置的技术特征。 |
| **技术特征F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。**<br>**《未公开》** | 无 | 该特征限定了电容器与第一导电结构的耦合关系。由于对比文件未公开“电容器”和作为电感器一部分的“第一导电结构”，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分**<br>**《未公开》** | [0034] ...第二通孔520... | 对比文件公开了“第二通孔520”，其同样用于层间电连接。然而，目标专利中该第二通孔是“形成所述多通孔电感器的第二部分”。对比文件未将第二通孔描述为电感器的一部分，也未将其与任何电感功能关联。因此，该技术特征未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。**<br>**《未公开》** | [0034] ...导电凸块800用于在第一下焊盘925与第二下焊盘930之间电连接。 | 对比文件公开了连接两个下焊盘的“导电凸块800”，该结构可被视为一种导电结构。然而，目标专利中的“第二导电结构”是“多通孔电感器”的组成部分。对比文件中的导电凸块800是简单的互连点，并未与通孔、第一导电结构等共同构成一个完整的电感器结构。因此，该技术特征未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。**<br>**《未公开》** | 无 | 对比文件未公开“层间电介质(ILD)层”这一特定术语，也未公开包含电感器和电容器的“谐振电路”。目标专利的ILD层用于隔离电容器和导电结构，而对比文件的绝缘层是电路板的主体结构。两者目的和结构不同。谐振电路是目标专利的整体功能单元，对比文件未涉及。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。**<br>**《未公开》** | [0034] ...第一至第三绝缘层110, 120, 130...可由绝缘树脂（例如环氧树脂）构成。 | 目标专利明确限定基板为“玻璃型基板”且通孔为“透玻通孔”。对比文件明确记载绝缘层是“绝缘树脂（例如环氧树脂）”，即有机聚合物材料，与“玻璃型”无机材料完全不同。因此，该特定材料特征未被公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板**<br>**《未公开》** | [0034] ...第一至第三绝缘层110, 120, 130...可由绝缘树脂（例如环氧树脂）构成。 | 该特征限定了基板的具体材料列表。对比文件仅公开了“绝缘树脂（例如环氧树脂）”，即一种塑料材料。虽然“塑料基板”在列表中，但目标专利的列表是“或”的关系，即基板可以是这些材料中的一种。然而，对比文件公开的“绝缘树脂”是广义的塑料类材料，但未明确指向列表中的“塑料基板”这一具体选项，也未公开列表中的其他无机材料（如玻璃、石英、GaAs等）。从作用上看，目标专利的基板材料选择侧重于低损耗的电学性能，而对比文件的绝缘树脂侧重于机械支撑和绝缘。本领域技术人员无法从对比文件的“绝缘树脂”毫无疑义地得出目标专利所列的特定材料集合。因此，该技术特征未被直接公开。虽然“塑料基板”可能被认为是隐含的，但考虑到对比文件未强调基板的低损耗电学特性，且材料列表是选择性特征，从严谨的专利比对角度，不宜认定为隐含公开。 |
| **技术特征L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者**<br>**《直接公开》** | [0038] ...第一通孔510和第二通孔520可以例如由铜构成。[0050] ...进行铜填充电镀以形成第一通孔510。 | 对比文件明确公开了通孔（510，520）由铜构成，并通过电镀（如铜填充电镀）工艺填充。铜(Cu)属于目标专利权利要求中列举的金属选项之一。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。**<br>**《未公开》** | 无 | 对比文件未公开任何电容器，因此不可能公开构成电容器核心部件的“电介质”及其具体材料。 |
| **技术特征N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。**<br>**《未公开》** | [0050] ...进行铜填充电镀以形成第一通孔510。 | 对比文件公开的通孔是“铜填充”的，即完全由金属（铜）填充。目标专利的特征是通孔内具有“金属结构”和“聚合物核”，这是一种复合结构（如金属环+聚合物芯）。对比文件未提及任何聚合物核结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。**<br>**《未公开》** | 无 | 该特征描述了电容器与通孔的空间位置关系（垂直位于其上）。由于对比文件未公开电容器，因此该位置关系特征无从谈起。 |
| **技术特征P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。**<br>**《未公开》** | 无 | 该特征限定了电容器、通孔和导电结构之间复杂的空间位置关系。由于对比文件未公开“电容器”和作为电感器一部分的“第一导电结构”，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。**<br>**《未公开》** | 无 | 该特征限定了通孔与电容器极板之间的空间关系。由于对比文件未公开电容器及其极板，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。**<br>**《未公开》** | 无 | 该特征比较通孔表面与电容器极板表面的相对大小。由于对比文件未公开电容器，无法进行此比较。 |
| **技术特征S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。**<br>**《未公开》** | 无 | 同上。 |
| **技术特征T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。**<br>**《未公开》** | 无 | 同上。 |
| **技术特征U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。**<br>**《未公开》** | 无 | 该特征涉及电容器的多层电介质结构。由于对比文件未公开电容器，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。**<br>**《未公开》** | [0034] ...第二通孔520... | 对比文件公开了第二通孔520，但并未描述其“部分地延伸穿过所述基板”或与另一通孔“在所述基板内结合”。更关键的是，这些通孔并未被组合以构成目标专利所述的“多通孔电感器”。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。**<br>**《未公开》** | 无 | 该特征再次强调了电容器与通孔的垂直堆叠关系。由于对比文件未公开电容器，因此该特征未被公开。 |
<<<A>>><<<L>>>