对比文件名称：2001-04-24_US6222427B_发明授权_US06222427B1 Inductor built-in electronic parts using via holes
目标专利名称：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A《直接公开》 | “rectangular parallelepiped multi-layered substrates or laminate 12. The laminate 12 is formed by laminating a number of dielectric layers 14a, 14b, 14c, . . . made out of a number of ceramic layers.” (DESCRIPTION OF PREFERRED EMBODIMENTS, Fig.1描述) | 对比文件明确公开了由多层介电层（陶瓷层）层叠形成的基板（laminate 12），这与目标专利中的“基板”是相同的结构元件。在电子元件领域，层叠的介电层（如陶瓷层）是常见的基板形式。因此，本领域技术人员能毫无疑义地确定对比文件公开了“基板”。 |
| 技术特征B《直接公开》 | “First and second columnar via holes 22a and 22b (which are filled with conductive material) are created in the plurality of dielectric layers 14e, 14f, 14g penetrating therethrough in the thickness direction...These first and second via holes 22a and 22b act as inductor elements.” (DESCRIPTION OF PREFERRED EMBODIMENTS, Fig.1描述) | 对比文件明确公开了填充导电材料的柱状通孔（22a， 22b），其贯穿多个介电层（即基板）。并且这些通孔作为电感元件，构成了LC谐振电路（如图7等效电路所示）中电感器的一部分。因此，对比文件直接公开了“至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔”。 |
| 技术特征C《直接公开》 | “first and second connecting electrodes 26a and 26b are formed between the uppermost dielectric layers 14g and 14h leaving a space therebetween...the first inductor L1 of the first LC resonator R1 is formed by the via first and third holes 22a1 and 22a2 connected by the first connecting electrode 26a” (DESCRIPTION OF PREFERRED EMBODIMENTS, Fig.2,3描述) | 对比文件图2、3实施例中明确公开了连接电极（26a， 26b），其设置在基板（层叠的介电层）上，并连接了两个通孔（22a1与22a2， 22b1与22b2）。这些连接电极与通孔共同构成了电感器。这对应于目标专利中“耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构”。 |
| 技术特征D《未公开》 | 对比文件公开了电容器（如C1， C2），例如由电极16a、18a1及之间的介电层14b构成。通孔（22a）作为电感元件。但通孔与电容器的极板之间是直接电连接关系（如通孔22a一端连接至电极18a2，而电极18a2是电容C1的一个电极），并未在通孔与电容器极板之间设置独立的“电介质”。目标专利的核心在于电介质直接位于通孔与电容器极板之间，使通孔可能作为电容器的一个电极或通过电介质与极板耦合。 | 对比文件中的电容器是由平行设置的电极板（如16a， 18a1）及夹在中间的介电层（14b）构成的平行板电容器，其与作为电感元件的通孔是分立且通过共享电极（如18a2）进行电连接的两个元件。目标专利的特征D要求电容器的电介质位于通孔与电容器极板之间，这意味着通孔与电容器极板之间是介电隔离或通过电介质构成电容耦合关系，而非直接的电连接。对比文件未公开这种结构，也未暗示这种关系。因此，技术特征D未被对比文件公开。 |
| 技术特征E《未公开》 | 对比文件中电容器的电极（如16a， 18a1， 18a2， 20a等）均形成于多层介电层（14a, 14b, 14c...）之间，即嵌入在层叠的基板（laminate）内部。例如，电极16a和18a1分别位于层14a/14b和14b/14c之间。 | 目标专利说明书强调电容器的极板“在基板以外并且在该器件内”（参见[0010]，[0030]段），意指极板不嵌入在基板材料内部，而是形成于基板外部（例如上方）的层中（如ILD层内）。对比文件中的电容器电极是作为内层电极被夹在陶瓷介电层之间，构成了基板（层叠体）本身的一部分，而非位于基板“以外”。因此，技术特征E未被对比文件公开。 |
| 技术特征F《未公开》 | 对比文件中，电容器（如C1）和通孔（如22a）通过共同的电极（如18a2）连接。例如，通孔22a一端连接电极18a2，而电极18a2同时也是电容器C1的一个组成部分（与电极18a1、20a构成电容）。但这不是“电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构”，而是电容器和通孔都连接至同一个中间电极。 | 目标专利的特征F限定了电容器通过通孔耦合至第一导电结构，意味着通孔是耦合路径的一部分。在对比文件中，耦合路径是：通孔->连接电极（如18a2）->电容器电极。通孔并未直接与第一导电结构（对比文件中的连接电极26a等）耦合以连接电容器，而是通过中间层电极间接相连。两者的连接结构和路径存在差异。因此，技术特征F未被对比文件公开。 |
| 技术特征G《直接公开》 | “third and fourth columnar via holes 22a2 and 22b2 which penetrate through the plurality of dielectric layers 14d, 14e, 14f and 14g in the thickness direction are created between the first ground electrode 20a and the first and second connecting electrodes 26a and 26b.” (DESCRIPTION OF PREFERRED EMBODIMENTS, Fig.2,3描述) | 对比文件图2、3实施例明确公开了第二通孔（22a2， 22b2），其至少部分地延伸穿过介电层（基板），并与第一通孔（22a1， 22b1）一起通过连接电极（26a， 26b）串联，共同构成多通孔电感器（L1， L2）的组成部分。这完全对应于“所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分”。 |
| 技术特征H《直接公开》 | “the first inductor L1 of the first LC resonator R1 is formed by the via first and third holes 22a1 and 22a2 connected by the first connecting electrode 26a” 以及通孔22a2连接在连接电极26a与地电极20a之间。(DESCRIPTION OF PREFERRED EMBODIMENTS, Fig.2,3描述) | 对比文件公开了第一导电结构（连接电极26a）通过第二通孔（22a2）耦合至第二导电结构（地电极20a）。并且，所述多通孔电感器（L1）确实包括了第一通孔（22a1）、第二通孔（22a2）、第一导电结构（连接电极26a）以及第二导电结构（地电极20a）。因此，技术特征H被对比文件直接公开。 |
| 技术特征I《未公开》 | 对比文件公开了由多通孔电感器和电容器构成的谐振电路（LC滤波器，如图7等效电路）。例如，通孔22a等构成电感L1，电极16a、18a1等与介电层构成电容C1，两者并联形成LC谐振器R1。 | 技术特征I包含两个限定：1) 极板在层间电介质(ILD)层中；2) 谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。对比文件公开了第二个限定（谐振电路）。然而，对于第一个限定，对比文件描述电容器极板（电极）形成于“dielectric layers”（陶瓷层）之间，并未提及“层间电介质(ILD)层”这一特定术语或概念。虽然功能上都是隔离层，但ILD层通常特指半导体或特定封装工艺中的介电层，与对比文件中的陶瓷介质层在材料和工艺上下文上存在差异。本领域技术人员不能毫无疑义地认定两者相同。因此，技术特征I作为一个整体未被直接公开。虽然谐振电路被公开，但极板位于ILD层这一具体位置特征未被公开。 |
| 技术特征J《未公开》 | 对比文件说明书多次提及基板材料为陶瓷层（“ceramic layers”），例如“a number of dielectric layers 14a, 14b, 14c, . . . made out of a number of ceramic layers”。 | 目标专利明确限定了基板包括“玻璃型基板”且通孔为“透玻通孔”。对比文件仅公开了陶瓷层压基板，未提及玻璃型基板或透玻通孔。这是两种不同的基板材料和技术路线。因此，技术特征J未被对比文件公开。 |
| 技术特征K《未公开》 | 同上，对比文件基板材料为陶瓷层。 | 目标专利特征K列举了多种具体的基板材料，包括玻璃基板、石英基板、SOI、SOS、HRS、GaAs、InP、SiC、AlN、罗杰斯层叠、塑料基板等。对比文件仅公开了陶瓷层，并未公开这些具体材料中的任何一种。因此，技术特征K未被对比文件公开。 |
| 技术特征L《隐含公开》 | “First and second columnar via holes 22a and 22b (which are filled with conductive material)”。以及“all the electrodes within the laminate...are made out of Ag and Cu for example...The electrodes may be formed also by baking a paste in which metal powder such as Ag and Cu...blended.” (DESCRIPTION OF PREFERRED EMBODIMENTS) | 对比文件明确通孔填充有导电材料（conductive material）。虽然未明确列出Cu、W、Ag、Au，但说明书指出层内所有电极（包括通孔连接的那些）由Ag和Cu等金属制成，并通过烘焙金属粉末糊剂形成。本领域技术人员可以合理推断，为了形成低电阻的电感通路，填充通孔的“导电材料”极大概率是金属，并且考虑到制造工艺的一致性，很可能使用与电极相同的材料，如Ag或Cu。因此，可以合理推断对比文件隐含公开了“金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、银(Ag)中的至少一者”。 |
| 技术特征M《未公开》 | 对比文件提及介电层（dielectric layers）由陶瓷（ceramic）制成。 | 目标专利特征M列举了具体的电介质材料，如SiO2、Si3N4等。对比文件仅提及“陶瓷”这一大类材料，并未公开任何具体化合物。陶瓷种类繁多，成分各异，不能直接等同于目标专利列举的特定电介质材料。因此，技术特征M未被对比文件公开。 |
| 技术特征N《未公开》 | 对比文件描述通孔为“columnar via holes (which are filled with conductive material)”。 | 目标专利特征N限定了通孔内具有包含聚合物核的金属结构。对比文件仅说明通孔填充导电材料，未提及任何聚合物核或复合结构。因此，技术特征N未被对比文件公开。 |
| 技术特征O《未公开》 | 对比文件中的电容器（如C1）由平行板电极（如16a， 18a1， 20a）和夹在中间的介电层（14b）构成，这些元件水平分布于不同介电层之间。通孔（如22a）是垂直贯穿多个层的柱状导体，其端部与某一电极（如18a2）连接，但电容器的极板和电介质并非垂直位于通孔的“面向电介质的表面”上。 | 目标专利特征O描述了电容器（极板和电介质）垂直堆叠在通孔顶部的结构，这是其核心发明点之一（参见图1-3）。对比文件中的电容器和通孔是平面内分布并通过共享电极连接的关系，不存在电容器元件垂直位于通孔表面的构型。因此，技术特征O未被对比文件公开。 |
| 技术特征P《未公开》 | 对比文件中，电容器电极和通孔都位于多层结构内部。例如，图1中，电容器C1涉及电极16a、18a1、20a，位于下层；通孔22a连接电极18a2和20b，贯穿中上层。不存在一个垂直于基板表面并同时穿过电容器极板、电介质和第一导电结构（如连接电极）的明确轴线。 | 目标专利特征P限定了电容器毗邻基板第一表面（如上表面），第一导电结构毗邻相对的第二表面（如下表面），且通孔的垂直轴与电容器极板、电介质及第一导电结构相交。这描述了电容器在通孔正上方的垂直集成结构。对比文件的结构是电容器和电感（通孔）通过内层电极横向连接，是三维空间内的复杂互连，不符合这种明确的垂直对齐关系。因此，技术特征P未被对比文件公开。 |
| 技术特征Q《隐含公开》 | “First and second columnar via holes 22a and 22b...penetrating therethrough in the thickness direction”。通孔垂直于介电层（基板表面）延伸。通孔一端连接至电极（如18a2），该电极是电容器的一个组成部分（极板）。 | 对比文件明确通孔沿厚度方向（即垂直于基板/介电层表面）延伸。由于通孔与作为电容器极板之一的电极（如18a2）电连接，该连接点必然位于电极区域内。因此，可以合理推断，垂直于基板表面并通过该通孔的轴线，将与作为电容器极板的该电极的区域相交。虽然对比文件未明确描述“极板的表面”方向，但内层电极表面通常平行于基板表面，故通孔轴垂直于极板表面。因此，技术特征Q被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征R《未公开》 | 对比文件未描述通孔端面与电容器极板表面的相对大小关系。 | 目标专利特征R限定了通孔面向电介质的表面大于电容器极板的表面。对比文件完全没有提及或暗示通孔端面与电容器电极之间的尺寸比例关系。因此，技术特征R未被对比文件公开。 |
| 技术特征S《未公开》 | 同上。 | 对比文件未描述通孔端面与电容器极板表面大小相同。因此，技术特征S未被对比文件公开。 |
| 技术特征T《未公开》 | 同上。 | 对比文件未描述通孔端面小于电容器极板表面。因此，技术特征T未被对比文件公开。 |
| 技术特征U《未公开》 | 对比文件中的电容器由两个电极及中间的单层介电层构成（如电极16a与18a1之间夹着介电层14b）。 | 目标专利特征U限定了在通孔与所述电介质之间还存在第二电介质（参见图4）。这是一种特定的多层电介质结构。对比文件未公开电容器具有多层电介质，更未公开在通孔与电容器主电介质之间存在额外的第二电介质层。因此，技术特征U未被对比文件公开。 |
| 技术特征V《未公开》 | 对比文件中的通孔（如22a1， 22a2）描述为“penetrating through the plurality of dielectric layers”，即完全贯穿多个层。未描述有通孔部分延伸并在基板内结合的结构。 | 目标专利特征V描述了第二通孔部分延伸穿过基板，并且通孔与第二通孔在基板内结合（参见图6），还涉及第三通孔。这是通孔在基板内部互连的特定结构。对比文件的所有通孔均为贯穿孔，未公开这种“部分延伸”及“在基板内结合”的结构。因此，技术特征V未被对比文件公开。 |
| 技术特征W《未公开》 | 同特征O的分析。对比文件中的电容器极板和电介质是水平分布的平行板结构，并非垂直位于通孔之上。 | 目标专利特征W再次强调了电容器（极板和电介质）垂直位于通孔上的结构（参见图1-3等）。这是目标专利区别于现有技术（包括本对比文件）的核心特征。对比文件未公开这种结构。因此，技术特征W未被对比文件公开。 |
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