**对比文件名称**：2007-11-08_US2007257761A_发明申请_US20070257761A1 Inductor and electric power supply using it
**目标专利名称**：在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
**本次调用的模型名称**：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板<br>**《直接公开》** | 对比文件[0037]段描述：“所述电子设备1包括封装（PK）2和安装有所述封装2的母板（MB）4，并且两者通过例如引脚连接16彼此电连接。所述母板4由合适的印刷电路板构成；…所述封装2由合适的印刷电路板构成，并且例如，所述封装2包括核心基板13…” | 对比文件明确公开了电子设备包括“核心基板13”和“母板（MB）4”等基板结构，用于支撑和集成电路元件。本领域技术人员能毫无疑义地得出对比文件公开了“基板”这一技术特征。 |
| **技术特征B**：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，<br>**《直接公开》** | 对比文件[0052]段及图4A描述：“嵌入的（电感器）L 10包括由通孔铜构成的导体（con.）32…所述电感器10设置在核心基板13中提供的通孔27中…” | 对比文件公开了通孔27穿过核心基板13，并且通孔内的导体32是构成电感器10（即多通孔电感器）的一部分。这直接对应于目标专利中“至少部分地穿过基板延伸并形成多通孔电感器一部分的通孔”。 |
| **技术特征C**：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构<br>**未被公开** | 对比文件[0038]段描述：“导体电路52u和52d分别形成在核心基板13的顶表面和底表面上，并且形成通孔导体28以连接导体电路52u和52d。” | 对比文件公开了导体电路和通孔导体，用于形成互连。然而，权利要求中的“导电结构”特指“置于通孔与第二通孔之间”并作为多通孔电感器一部分的结构。对比文件并未描述一个特定的、同时耦合到两个通孔（作为电感器两部分）并位于它们之间的导电结构。其通孔导体28主要用于层间互连，而非明确构成电感器线圈的特定部分。 |
| **技术特征D**：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，<br>**未被公开** | 对比文件[0040]段描述：“薄膜型电容器（C）8是通过将电介质8夹在核心基板导体电路52u-1与下层导体电路54u-1之间而形成的…” | 对比文件公开了电容器8，但其是平行于基板表面形成的薄膜电容器（电介质8夹在两层平面导体电路之间），而非如目标专利权利要求所限定的、电介质位于“通孔与电容器的极板之间”的结构。目标专利的电容器是垂直堆叠在通孔之上的。对比文件未公开此种结构关系。 |
| **技术特征E**：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。<br>**未被公开** | 同上，对比文件[0040]段描述电容器8由夹在核心基板导体电路52u-1与下层导体电路54u-1之间的电介质8形成。 | 对比文件中的电容器8其“极板”（即导体电路52u-1和54u-1）是嵌入在基板（核心基板13和下层绝缘层15u）内部的导体层，并非如目标专利说明书所述“在基板以外”（例如，在基板之上、层间电介质层中）。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。<br>**未被公开** | 对比文件未描述电容器通过如权利要求B所述的通孔耦合至某个特定的“第一导电结构”。 | 由于技术特征D（耦合至通孔的电容器）和技术特征C（特定的导电结构）均未被对比文件公开，因此该进一步限定的连接关系（F）也必然未被公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分<br>**《隐含公开》** | 对比文件[0038]段：“…并且形成通孔导体28以连接导体电路52u和52d。” [0052]段及图4A描述电感器10嵌入在通孔27中。 | 对比文件虽未明确命名“第二通孔”，但公开了在基板（如核心基板13）中存在多个通孔导体（如28）用于互连。本领域技术人员在理解电感器可由多个通孔导体串联或并联形成时（例如，图1中可能存在多个类似10的电感结构），能够合理推断出“多通孔电感器”可以包括至少一个“第二通孔”作为其组成部分。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征H**：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。<br>**未被公开** | 对比文件公开了导体电路（如52u, 52d）和通孔导体（如28），但未明确描述如权利要求所限定的、由“通孔、第二通孔、第一导电结构、第二导电结构”以特定连接关系（第一导电结构通过第二通孔耦合至第一导电结构）构成一个完整的多通孔电感器。其电路连接主要用于电源分配，而非特指构成一个电感线圈的螺旋或蜿蜒路径。 | 对比文件的公开内容不足以使本领域技术人员直接或通过合理推理得出权利要求H所限定的、具有特定连接关系的多通孔电感器完整结构。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。<br>**未被公开** | 对比文件[0038]段提到了“下层绝缘层15u”、“上层绝缘层25u”等，可视为ILD层。其[0044]段描述的电源电路3包含电感器L和电容器C，可视为一种谐振/平滑电路。 | 虽然对比文件公开了ILD层和包含电感器、电容器的电路，但由于技术特征D和E未被公开（即目标专利特定结构的电容器），因此“所述极板在ILD层中”以及“谐振电路包括所述多通孔电感器和（目标专利所述的）电容器”这一组合特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。<br>**未被公开** | 对比文件[0080]段描述核心基板由“玻璃布环氧树脂铜覆层压板或玻璃布高耐热树脂铜覆层压板”制造。 | 对比文件公开的基板是常规的印刷电路板材料（如环氧树脂玻璃布层压板），并非目标专利特别列举的“玻璃型基板”（如纯玻璃、石英等）。此外，也未提及“透玻通孔(TGV)”。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板<br>**未被公开** | 同上，对比文件未提及这些特定材料。 | 对比文件公开的基板材料是通用的印刷电路板材料（如环氧树脂玻璃布），并未公开权利要求K所列举的任何一种特定基板材料。 |
| **技术特征L**：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者<br>**《直接公开》** | 对比文件[0052]段及图4A描述：“嵌入的电感器（L）10包括由通孔铜构成的导体（con.）32…”；[0067]段描述通过化学镀铜和电镀铜在通孔内形成导体32。 | 对比文件明确公开了通孔内的导体32是铜，属于“金属填充型通孔”，且铜在权利要求列举的金属之列。本领域技术人员能毫无疑义地得出该特征被直接公开。 |
| **技术特征M**：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。<br>**未被公开** | 对比文件[0040]段仅提及电容器有“电介质8”，未具体说明其材料成分。 | 虽然薄膜电容器可能使用所列材料，但对比文件本身并未公开电介质8的具体材料。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。<br>**未被公开** | 对比文件图4C及[0057]段描述：“参照图4C，填充剂36被填充在图4B所示的通孔导体32中…优选地，使用低弹性材料作为填充剂36…” | 对比文件公开了在金属导体32内部填充树脂（填充剂36），但这属于在金属结构形成后进行的填充，并非权利要求所述的“金属结构包括聚合物核”这一特定复合结构（例如，金属外壳包裹聚合物核心）。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。<br>**未被公开** | 对比文件中的电容器8是平行于基板表面形成的薄膜结构（参见[0040]段），其极板和电介质与通孔（如27）在空间上是分离的，不存在垂直堆叠关系。 | 这是目标专利的核心结构之一。对比文件完全没有公开电容器及其电介质/极板“垂直位于”通孔表面之上的任何教导或暗示。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。<br>**未被公开** | 对比文件中，电容器8位于基板内部，而电感器相关的导电结构（如52u, 52d）分布在基板上下表面。没有证据表明存在一条穿过通孔且垂直于基板表面的轴，同时穿过电容器的极板、电介质和一个特定的第一导电结构。 | 该特征描述了电容器、通孔和导电结构之间精确的垂直空间对齐关系。对比文件的布局不具备这种关系，因此未被公开。 |
| **技术特征Q**：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。<br>**未被公开** | 由于对比文件未公开如目标专利所述的、极板位于通孔上方的电容器结构（特征O），因此也就不存在通孔轴与极板区域相交的关系。 | 该特征是基于特征O的进一步限定。既然特征O未被公开，该特征也未被公开。 |
| **技术特征R**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。<br>**未被公开** | 对比文件未公开“通孔的面向电介质的表面”与“电容器极板表面”之间的尺寸比较关系。 | 由于根本不存在目标专利所述的通孔与电容器极板之间的相对设置关系（特征O），因此对它们表面大小的比较也未被公开。 |
| **技术特征S**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。<br>**未被公开** | 同上。 | 未被公开。 |
| **技术特征T**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。<br>**未被公开** | 同上。 | 未被公开。 |
| **技术特征U**：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。<br>**未被公开** | 对比文件未公开任何在通孔与电容器电介质之间设置第二电介质层的结构。 | 该特征涉及多层电介质结构，对比文件完全没有相关公开。 |
| **技术特征V**：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。<br>**未被公开** | 对比文件未描述通孔在基板内部“结合”的结构。其通孔（如27, 28）通常是贯穿或连接不同层，但未提及在基板体内直接连接形成连续导电路径。也未明确描述包含三个通孔的电感器结构。 | 该特征限定了通孔之间特定的内部连接方式和电感器的组成，对比文件未提供相应教导。 |
| **技术特征W**：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。<br>**未被公开** | 该特征与特征O类似，是目标专利核心的垂直集成结构。对比文件未公开此类结构。 | 未被公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<L>>><<<g>>>