**对比文件名称**：2013-03-06_CN102956606A_发明公开_CN102956606A 垂直定向的半导体器件及其屏蔽结构
**目标专利名称**：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek-R1
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板**<br>《直接公开》 | [0030] 半导体器件具有衬底40。 | 对比文件明确公开了“衬底(substrate)”，这对应于目标专利中的“基板”。本领域技术人员能够毫无疑义地确定。 |
| **技术特征B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，**<br>《直接公开》 | [0057] ...通孔堆叠140至143均包括：多个垂直对准(沿着Z轴)的通孔和互连线元件。...线圈110还包括：通过多个通孔堆叠互连的多条伸长互连线。...通孔堆叠160至164。[0079] 电感器器件310包括互连线340至344和通孔堆叠350至353。...互连线340至344和通孔堆叠350至353共同组成电感器器件310的线圈。 | 对比文件多次描述了由通孔堆叠（即多个垂直对准的通孔）和互连线构成的电感器线圈（如线圈110、120，电感器310）。这些通孔堆叠“沿着Z轴延伸”[0057]，即至少部分地垂直穿过由互连层构成的器件结构（其形成于衬底之上），构成了电感器的一部分。这与目标专利中“至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔”的作用相同，都是构成电感器的垂直导电路径。本领域技术人员能直接得出。 |
| **技术特征C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构**<br>《直接公开》 | [0057] 线圈110包括属于不同互连层的互连线130至132。...通过通孔堆叠140和141将互连线130和131互连在一起。通过通孔堆叠142和143将互连线130和132互连在一起。[0079] 互连线340至341通过通孔堆叠350互连在一起。互连线341至342通过通孔堆叠351互连在一起。... | 对比文件公开了电感器（如线圈110、电感器310）由位于不同互连层（即“基板上”）的水平互连线（如130, 131, 132；340, 341, 342）和垂直的通孔堆叠（如140, 141, 142；350, 351）相互连接构成。这些水平互连线就是置于通孔（堆叠）之间的导电结构，并将它们耦合在一起，共同形成电感器。这与目标专利中技术特征C的描述完全一致。 |
| **技术特征D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，**<br>**未公开** | [0077] LC振荡回路300包括电感器器件310和电容器件320。例如，电感器器件310和电容器件320可以并联或者串联电连接。...电容器件320包括阳极元件410和阴极元件420。互连结构60的介电材料用作在电容器件320的阳极和阴极之间的电介质。 | 对比文件公开了电容器（320）与包含通孔的电感器（310）电连接（耦合）。然而，对比文件中的电容器的电介质是互连结构的层间介电材料（ILD），位于其阳极元件（410）和阴极元件（420）这两个极板之间。目标专利的核心特征“电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间”，意指通孔本身作为电容器的一个电极（或直接与一个电极连接），电介质直接置于该通孔与另一极板之间。对比文件完全没有公开这种以通孔为基体或直接电极的电容器结构。其电容器是独立于通孔结构形成的。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。**<br>《直接公开》 | [0077] 电容器件320包括阳极元件410和阴极元件420。...在实施例中，将横向延伸组件450和470实现为位于相同或不同互连层中的互连线。 | 对比文件公开电容器件（320）的阳极元件（410）和阴极元件（420）由互连线（如450, 470）构成，这些互连线形成于衬底（40）上方的互连结构（60）中，即位于基板（衬底）之外。这与目标专利的描述一致。 |
| **技术特征F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。**<br>**未公开** | [0077] LC振荡回路300包括电感器器件310和电容器件320。例如，电感器器件310和电容器件320可以并联或者串联电连接。 | 对比文件仅泛泛提及电感器（310）和电容器（320）电连接（如并联或串联），但未披露具体的连接路径。未明确记载电容器是通过电感器的某个特定“通孔”耦合至某个特定的“第一导电结构”。本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或必然推断出该具体连接架构。 |
| **技术特征G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分**<br>《直接公开》 | [0079] 电感器器件310包括互连线340至344和通孔堆叠350至353。...互连线340至341通过通孔堆叠350互连在一起。互连线341至342通过通孔堆叠351互连在一起。互连线342至343通过通孔堆叠352互连在一起。互连线343至344通过通孔堆叠353互连在一起。 | 对比文件中的电感器器件（310）明确由多个通孔堆叠（350, 351, 352, 353）和互连线构成。这些通孔堆叠中的每一个都可以被视为“第二通孔”，它们至少部分地垂直延伸（穿过互连结构），并共同形成电感器的多个部分（绕组）。这与特征G的描述相符。 |
| **技术特征H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。**<br>《隐含公开》 | [0079] 互连线340至341通过通孔堆叠350互连在一起。互连线341至342通过通孔堆叠351互连在一起。互连线342至343通过通孔堆叠352互连在一起。互连线343至344通过通孔堆叠353互连在一起。 | 对比文件公开了电感器（310）由交替连接的水平互连线（340, 341, 342, 343, 344）和垂直通孔堆叠（350, 351, 352, 353）构成。若将其中一段互连线（例如341）视为“第一导电结构”，将相邻的另一段互连线（例如342）视为“第二导电结构”，则它们通过一个通孔堆叠（例如351）相互耦合。整个电感器必然包含通孔、第二通孔（可指代不同的通孔堆叠）、第一导电结构和第二导电结构。本领域技术人员阅读对比文件后，能够合理推断出这种由多个导电结构和通孔交替连接构成电感线圈的普遍结构。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。**<br>《直接公开》 | [0077] LC振荡回路300包括电感器器件310和电容器件320。...互连结构60的介电材料用作在电容器件320的阳极和阴极之间的电介质。[0051] 互连结构60包括层间电介质(ILD)... | 对比文件明确公开了“LC振荡回路300”（即谐振电路）包括电感器器件（310）和电容器件（320）。同时指出电容器的极板（阳极和阴极元件）位于互连结构（60）中，而互连结构包含层间电介质（ILD）。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。**<br>**未公开** | [0047] 衬底40为硅衬底...衬底40可以由以下材料制成：一些其他适当元素半导体，例如，金刚石或者锗；适当的化合物半导体... | 对比文件描述的衬底（基板）主要是半导体材料（如硅），并未提及“玻璃型基板”。相应地，其通孔是半导体互连工艺中的金属通孔，而非“透玻通孔(TGV)”。该特征未被公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板**<br>**未公开** | [0047] 衬底40为硅衬底...或者适当合金半导体，例如，碳化硅锗、磷化镓砷、或者磷化镓铟。此外，衬底40可以包括绝缘体上硅(SOI)结构。 | 对比文件仅列举了半导体材料（如硅、化合物半导体）以及SOI结构，并未公开目标专利权利要求中列举的玻璃基板、石英基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、罗杰斯层叠、塑料基板等特定材料。虽然提到了SOI和碳化硅（SiC），但这只是部分重叠，而非公开了整个技术特征。本领域技术人员无法从对比文件得出权利要求所限定的特定基板材料集合。 |
| **技术特征L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者**<br>《隐含公开》 | [0050] 金属线可以为铝互连线或铜互连线，并且可以包含诸如铝、铜、铝合金、铜合金、铝/硅/铜合金、钛、氮化钛、钽、氮化钽、钨、多晶硅、金属硅化物、或者其组合的导电材料。金属线可以通过包括物理汽相沉积(PVD)、化学汽相沉积(CVD)、溅射、电镀、或者其组合的工艺形成。 | 对比文件描述了互连结构中的导电材料包括铜、钨等，并通过电镀等工艺形成。其通孔（通孔堆叠）作为互连结构的一部分，本领域技术人员根据公知常识可以毫无疑义地推断，这些用于连接不同金属层的通孔通常由金属（如铜、钨等）填充，以实现电连接。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。**<br>**未公开** | [0051] ILD可以包含诸如氧化物材料的介电材料。 | 对比文件仅泛泛提及ILD包含“氧化物材料”，并未公开目标专利权利要求中具体列举的二氧化硅、氮化硅、五氧化二钽、氧化铝、氮化铝等特定电介质材料。该特征未被公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。**<br>**未公开** | 无相关描述。 | 对比文件通篇未提及通孔内具有聚合物核的结构。该特征未被公开。 |
| **技术特征O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。**<br>**未公开** | [0077] ...电容器件320包括阳极元件410和阴极元件420。...互连结构60的介电材料用作在电容器件320的阳极和阴极之间的电介质。[0078] ...组件450和470基本上与衬底40的表面50相平行。...可以说，电感器器件310和电容器件320相互相互交错(interdigitated)。 | 这是目标专利的核心空间位置关系。对比文件中的电容器（320）与电感器（310）是交错（interdigitated）设置，即电容器的水平极板（450,470）穿插在电感器的水平导线（340-344）之间。并未公开电容器的极板和电介质“垂直位于”某个通孔的表面之上。对比文件的电容器是独立结构，并非以电感器的通孔为基底或电极构建。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。**<br>**未公开** | 无相关描述。 | 对比文件未描述电容器、通孔、第一导电结构之间如此精确的垂直对齐关系。其电感器和电容器是交错排布，而非沿同一垂直轴上下叠置。该特征未被公开。 |
| **技术特征Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。**<br>《隐含公开》 | [0079] 电感器器件310包括互连线340至344和通孔堆叠350至353。[0078] 在实施例中，组件450和470基本上与衬底40的表面50相平行。...电感器器件310和电容器件320相互相互交错(interdigitated)。 | 对比文件公开了通孔堆叠沿垂直方向（Z轴）延伸，电容器的极板（组件450,470）水平延伸（与衬底表面平行）。在“相互交错”的结构中，从俯视图看，垂直延伸的通孔堆叠的投影与水平延伸的电容极板的区域完全有可能相交。本领域技术人员基于“相互交错”的描述，可以合理推断出在三维空间中，通孔的垂直轴线可能与某些电容极板的区域相交。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。**<br>**未公开** | 无相关描述。 | 对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系。该特征未被公开。 |
| **技术特征S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。**<br>**未公开** | 无相关描述。 | 对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系。该特征未被公开。 |
| **技术特征T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。**<br>**未公开** | 无相关描述。 | 对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系。该特征未被公开。 |
| **技术特征U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。**<br>**未公开** | 无相关描述。 | 对比文件未提及“第二电介质”这一结构。该特征未被公开。 |
| **技术特征V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。**<br>**未公开** | 无相关描述。 | 对比文件中的通孔堆叠在互连结构中垂直延伸，但未描述通孔在“基板内结合”，也未明确描述包含“第三通孔”的特定多通孔电感器结构。该特征未被公开。 |
| **技术特征W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。**<br>**未公开** | [0077] ...电容器件320包括阳极元件410和阴极元件420。...互连结构60的介电材料用作在电容器件320的阳极和阴极之间的电介质。[0078] ...可以说，电感器器件310和电容器件320相互相互交错(interdigitated)。 | 该特征结合了通孔穿过基板以及电容器垂直位于通孔上两个概念。对比文件：1. 其通孔堆叠在互连结构（位于衬底上）中垂直延伸，但未明确记载“延伸穿过所述基板”（衬底）。2. 其电容器与电感器交错设置，并非“垂直位于所述通孔的至少一部分上”（参见特征O论述）。因此，该整体特征未被公开。 |
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