对比文件名称：2008-06-12_DE102006058068A_发明专利_DE102006058068A1 Semiconductor component with semiconductor chip and passive component and method for its production
目标专利名称：在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
本次调用模型名称：DeepSeek-R1
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：基板《未直接公开，隐含公开》 | 对比文件说明书段落[0004]：“Die Halbleiterchips 2 und die Spulenkerne 24 werden in Zwischenräumen zwischen den Halbleiterchips 2 derart positioniert, dass ein Auftrennen der Halbleiterbauelementpositionen 40 in einzelne Halbleiterbauelemente möglich ist, ohne die Spulenkerne 24 zu beschädigen.” (半导体芯片2和线圈芯24被定位在半导体芯片2之间的空间中，使得能够将半导体组件位置40分离成单个半导体组件而不会损坏线圈芯24。) 段落[0005]：“Die Kunststoffgehäusemasse 5 bedeckt die Rückseiten 41 und Randseiten 45 sowie 46 der Halbleiterchips 2 und die Rückseiten 42 der Spulenkerne 24 vollständig...” (塑料封装材料5完全覆盖半导体芯片2的背面41和边缘侧面45以及46以及线圈芯24的背面42...) | 目标专利中的“基板”是用于支撑和形成通孔及电容器的基础结构（如说明书[0031]段所述的玻璃、石英等）。对比文件中，器件结构以“Kunststoffgehäusemasse”（塑料封装材料）作为主体结构，其中嵌入芯片和线圈芯。该塑料封装材料起到了支撑和承载芯片、线圈芯及后续形成的垂直线圈段（通孔）的作用，这与“基板”的支撑作用类似。虽然材料（塑料 vs. 玻璃/半导体等）和具体作用细节（封装 vs. 电路集成基板）有差异，但从宽松的隐含公开判断标准来看，本领域技术人员可以合理推断出需要一个承载和支撑其他元件的基底结构，而塑料封装材料即为此基底。因此，技术特征A被认定为**隐含公开**。 |
| 技术特征B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，《隐含公开》 | 对比文件说明书段落[0007]：“7 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die Verbundscheibe 34 gemäß 6 nach Auffüllen der Blindlöcher 35 mit leitendem Material.” (图7显示了根据图6的复合板34的示意横截面，其中盲孔35已填充导电材料。) 段落[0014]：“14 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die Verbundscheibe 34 gemäß 13 nach Auffüllen der Löcher mit einem leitenden Material zu vertikalen Spulensegmenten 14 und 15.” (图14显示了根据图13的复合板34的示意横截面，其中孔已填充导电材料以形成垂直线圈段14和15。) | 目标专利的“通孔”是至少部分穿过基板延伸并构成电感器一部分的导电结构（如说明书[0034]段所述的第一通孔104作为电感器的一部分）。对比文件中描述了在“Kunststoffgehäusemasse”（塑料封装材料）中形成“Blindlöcher”（盲孔）或“Löcher”（孔），然后填充导电材料形成“vertikale Spulensegmente”（垂直线圈段）14、15（见段落[0007], [0014]）。这些垂直线圈段至少部分地穿过塑料封装材料（即基板）延伸，并且明确是构成螺旋线圈（即电感器）的关键部分（见段落[0001]描述“Spulenwindungen 13 in einer helikalen Struktur”）。因此，对比文件公开了至少部分穿过基底延伸并形成电感器一部分的导电通孔结构。虽然对比文件的“通孔”用于形成线圈的垂直段，而目标专利的通孔明确是“多通孔电感器的一部分”，两者在器件中的作用相同。因此，技术特征B被认定为**隐含公开**。 |
| 技术特征C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构《直接公开》 | 对比文件说明书段落[0001]：“Die vertikalen Spulensegmente 14 und 15 erstrecken sich von der oberen Verdrahtungsstruktur 10 ... zu einer unteren Verdrahtungsstruktur 11 ... und verbinden die Enden 20 und 21 der oberen Leiterbahnsegmente 18 mit den Enden 22 und 23 der unteren Leiterbahnsegmente 19.” (垂直线圈段14和15从上布线结构10延伸...到下布线结构11...并将上线路段18的端部20和21与下线段19的端部22和23连接。) 段落[0009]：“9 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die gedünnte Verbundscheibe 34 gemäß 8 nach Aufbringen einer unteren Verdrahtungsstruktur 11 auf eine Oberfläche der Verbundscheibe 34...” (图9显示了根据图8的减薄后的复合板34的示意横截面，其中下布线结构11已施加到复合板34的一个表面...) | 目标专利的“导电结构”是位于基板上并连接通孔以形成电感器的部分。对比文件中明确公开了“obere Verdrahtungsstruktur”（上布线结构10）和“untere Verdrahtungsstruktur”（下布线结构11），它们由“Leiterbahnsegmente”（线段）构成（见段落[0001]）。这些布线结构位于由塑料封装材料（基板）形成的平面表面（28, 29）上，并且通过垂直线圈段（14, 15，相当于通孔）相互连接，从而共同形成螺旋线圈（电感器）。例如，上布线结构10通过垂直段14连接到下布线结构11，再通过另一个垂直段15连接回上布线结构10，如此循环构成线圈。这直接公开了耦合至通孔（垂直段）并置于通孔之间的基板上的导电结构（上、下布线结构）。因此，技术特征C被认定为**直接公开**。 |
| 技术特征D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，《未公开》 | 对比文件说明书未提及在垂直线圈段（通孔）上形成电容器。说明书主要描述在塑料封装中制造螺旋线圈（电感器）作为无源元件，并提及无源元件可包括电阻、电容和电感（段落[0001]：“Unter passivem Bauelement werden in diesem Zusammenhang Widerstände, Kondensatoren und Spulen verstanden...”），但未具体描述任何电容器的结构，更没有描述在作为电感器一部分的垂直通孔上直接形成具有特定电介质-极板结构的电容器。 | 目标专利的核心发明点在于电容器直接形成在通孔上，电介质位于通孔与电容器极板之间（如说明书[0030]段及图1所示）。对比文件全文聚焦于在塑料封装中制造螺旋线圈（电感器），虽然提及“Kondensatoren”（电容器）作为无源元件的一种，但完全没有公开任何具体的电容器结构，更没有公开如目标专利所述的、其电介质位于通孔与极板之间的电容器。因此，技术特征D既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| 技术特征E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。《未公开》 | 同特征D，由于对比文件未公开电容器，自然也未能公开电容器的极板位置。 | 该特征依赖于特征D所述的电容器存在。既然特征D未被公开，特征E也未被公开。 |
| 技术特征F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。《未公开》 | 同特征D，对比文件未公开电容器，因此未公开电容器与通孔及第一导电结构的耦合关系。 | 该特征描述了电容器通过通孔耦合到第一导电结构。由于对比文件未公开电容器，因此该连接关系未被公开。 |
| 技术特征G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分《直接公开》 | 对比文件说明书段落[0001]：“Die vertikalen Spulensegmente 14 und 15 erstrecken sich von der oberen Verdrahtungsstruktur 10 ... zu einer unteren Verdrahtungsstruktur 11...” (垂直线圈段14和15从上布线结构10延伸...到下布线结构11...) 段落[0014]：“...zu vertikalen Spulensegmenten 14 und 15.” (...以形成垂直线圈段14和15。) | 目标专利的“第二通孔”是多通孔电感器的另一个组成部分。对比文件中明确描述了多个“vertikale Spulensegmente”（垂直线圈段），例如段14和15（见段落[0001], [0014]）。这些垂直段均至少部分地穿过塑料封装材料（基板）延伸，并与上、下布线结构连接，共同构成螺旋线圈（电感器）的多个部分。因此，第二通孔（对应于另一个垂直线圈段）被直接公开。技术特征G被认定为**直接公开**。 |
| 技术特征H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。《直接公开》 | 对比文件说明书段落[0001]：“Die vertikalen Spulensegmente 14 und 15 erstrecken sich von der oberen Verdrahtungsstruktur 10 ... zu einer unteren Verdrahtungsstruktur 11...”（垂直线圈段14和15从上布线结构10延伸...到下布线结构11...）段落[0009]和[0010]描述了上布线结构10和下布线结构11的形成。 | 目标专利的“第一导电结构”和“第二导电结构”与通孔、第二通孔共同构成多通孔电感器。对比文件中，螺旋线圈（电感器）明确由“obere Verdrahtungsstruktur 10”（第一导电结构，如上布线结构）、“untere Verdrahtungsstruktur 11”（第二导电结构，如下布线结构）以及连接它们的多个“vertikale Spulensegmente”（通孔，如14和15）构成（见段落[0001]及图1、9、10等）。这些元件通过交替连接形成完整的线圈绕组。因此，技术特征H被认定为**直接公开**。 |
| 技术特征I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。《未公开》 | 对比文件未公开电容器，因此未公开电容器的极板及其所在ILD层，也未公开由该电容器和电感器构成的谐振电路。对比文件中的绝缘层（Isolationsschicht 26, 27）用于隔离线圈与芯体或作为布线基底，并非用于容纳电容器极板。 | 目标专利中，ILD层用于容纳电容器极板（如说明书[0035]段），并且电感器与电容器形成谐振电路（如说明书[0036]段）。对比文件未公开电容器，因此既未公开极板在ILD层中，也未公开包含电容器的谐振电路。技术特征I未被公开。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。《未公开》 | 对比文件说明书段落[0004], [0005]等描述基板材料为“Kunststoffgehäusemasse”（塑料封装材料）。未提及玻璃型基板或透玻通孔（TGV）。 | 目标专利明确限定了基板为玻璃型基板，通孔为透玻通孔（如说明书[0031]段）。对比文件中的“基板”是塑料封装材料，通孔是在塑料中形成的导电垂直段，材料和技术均不同。因此，技术特征J未被公开。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板《隐含公开》 | 对比文件说明书段落[0004], [0005]等描述基板材料为“Kunststoffgehäusemasse”（塑料封装材料）。 | 目标专利列举了多种可能的基板材料，其中包括“塑料基板”。对比文件明确公开了其承载结构为塑料封装材料，即一种塑料基板。虽然目标专利的塑料基板可能特指用于高频电路的基板（如罗杰斯层叠），而对比文件的塑料主要用于封装，但根据宽松的隐含公开判断标准，对比文件公开了“塑料基板”这一具体选项。因此，技术特征K被认定为**隐含公开**。 |
| 技术特征L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者《隐含公开》 | 对比文件说明书段落[0007]：“Ein derartiges leitendes Material kann in den Blindlöchern 35 nach Aufbringen eines so genannten ‘seedlayer’ mittels galvanischer Abscheidung aufgebracht werden oder durch Aufdampfen und Sputtertechniken erfolgen.” (这种导电材料可以在施加所谓的“种子层”后通过电沉积施加到盲孔35中，或者通过蒸发和溅射技术进行。) 段落[0014]：“Dazu kann das leitende Material ein Metall oder ein hochdotiertes Polysilizium aufweisen.” (为此，导电材料可以包括金属或高度掺杂的多晶硅。) | 目标专利限定了通孔为金属填充，并列举了具体金属。对比文件中描述垂直线圈段（通孔）由“leitendes Material”（导电材料）填充，并明确提到该材料可以是“Metall”（金属），且通过电沉积、蒸发、溅射等金属化工艺形成（段落[0007], [0014]）。虽然未明确列举Cu、W、Ag、Au，但这些是本领域制造导电通孔时最常用的金属材料。根据隐含公开的宽松标准，本领域技术人员能够从“金属”这一公开内容中合理推断出可以使用这些常规金属材料。因此，技术特征L被认定为**隐含公开**。 |
| 技术特征M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。《未公开》 | 对比文件未公开电容器，因此未公开电容器的电介质材料。 | 该特征限定了电容器电介质的具体材料。由于对比文件未公开电容器，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。《未公开》 | 对比文件说明书段落[0007], [0014]描述通孔填充“leitendes Material”（导电材料）或“Metall”（金属），未提及通孔内具有聚合物核的结构。 | 目标专利描述了通孔可以是具有聚合物核的金属结构（如说明书[0044]段及图3）。对比文件中的垂直线圈段被描述为用导电材料（如金属）填充孔洞形成，是实心导电体，没有公开内部包含聚合物核的结构。因此，技术特征N未被公开。 |
| 技术特征O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。《未公开》 | 同特征D，对比文件未公开电容器，因此未公开电容器极板、电介质与通孔表面的垂直位置关系。 | 该特征描述了电容器组件在通孔上的垂直堆叠关系。由于对比文件未公开电容器，该结构关系未被公开。 |
| 技术特征P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。《未公开》 | 同特征D，对比文件未公开电容器，因此未公开电容器、通孔、第一导电结构之间如此具体的空间位置关系。 | 该特征限定了电容器、基板、通孔和第一导电结构之间精确的空间几何关系。由于对比文件未公开电容器，该关系未被公开。 |
| 技术特征Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。《未公开》 | 同特征D，对比文件未公开电容器及其极板，因此未公开通孔轴与极板区域相交的关系。 | 该特征描述了通孔与电容器极板的对齐关系。由于对比文件未公开电容器，该关系未被公开。 |
| 技术特征R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。《未公开》 | 同特征D，对比文件未公开电容器，因此无法比较通孔表面与极板表面的大小。 | 该特征比较了通孔表面与电容器极板表面的大小。由于对比文件未公开电容器，该比较关系未被公开。 |
| 技术特征S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。《未公开》 | 同特征D，对比文件未公开电容器，因此无法比较通孔表面与极板表面的大小。 | 该特征比较了通孔表面与电容器极板表面的大小。由于对比文件未公开电容器，该比较关系未被公开。 |
| 技术特征T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。《未公开》 | 同特征D，对比文件未公开电容器，因此无法比较通孔表面与极板表面的大小。 | 该特征比较了通孔表面与电容器极板表面的大小。由于对比文件未公开电容器，该比较关系未被公开。 |
| 技术特征U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。《未公开》 | 同特征D，对比文件未公开电容器，因此未公开电容器的单层或多层电介质结构。 | 该特征描述了电容器的多层电介质结构。由于对比文件未公开电容器，该结构未被公开。 |
| 技术特征V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。《未公开》 | 对比文件中的垂直线圈段（14, 15）是独立的、平行的通孔结构，它们穿过塑料封装材料，但未描述这些通孔在基板内部相互结合。也未描述存在第三通孔构成更复杂的电感器结构。 | 目标专利描述了通孔在基板内结合以及包含第三通孔的电感器结构（如说明书[0056]段及图6）。对比文件中的电感器由多个垂直段和水平布线构成，但垂直段是独立的，未在基板内结合，也未提及第三通孔。因此，技术特征V未被公开。 |
| 技术特征W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。《未公开》 | 同特征D，对比文件未公开电容器，因此未公开电容器组件垂直位于通孔上的结构。 | 该特征再次强调了电容器在通孔上的垂直集成。由于对比文件未公开电容器，该结构未被公开。 |
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