**对比文件名称**：2008-07-16_CN101221947A_发明公开_CN101221947A 具有半导体芯片和无源部件的半导体部件及其制造方法
**目标专利名称**：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：包括：基板**《未被公开》 | 说明书第[0042]段：“塑料封装化合物5完全覆盖了半导体芯片2的背面41和端面45和46，和线圈芯24的背面42，在该实施例中复合板的厚度D大于线圈芯24的高度h。” | 对比文件中描述的是“复合晶片34”由塑料封装化合物5形成，用于承载半导体芯片和线圈。虽然该复合晶片起到支撑作用，但其材料（塑料封装化合物）与目标专利中列举的玻璃、石英、SOI等基板材料不同，且其功能更侧重于封装而非作为电路基板。本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出其公开了目标专利所限定的“基板”特征。 |
| **B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔**《直接公开》 | 说明书第[0050]段：“这种肓孔35引入在线圈芯的两侧上，且它们的深度t大于线圈架24的高度h。” 说明书第[0052]段：“在用导电材料填充肓孔35形成垂直线圈段15和16之后...”。图7、10等示出了垂直线圈段14、15。 | 对比文件明确公开了“肓孔35”或“孔36”（即通孔），其至少部分地穿过复合晶片34（相当于基板）延伸，并且这些通孔在填充导电材料后形成“垂直线圈段14、15”，这些垂直线圈段是构成螺旋线圈（即电感器）的一部分。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构**《直接公开》 | 说明书第[0027]段：“线圈6本身具有垂直线圈段14和15以及水平线圈段16和17。水平线圈段16由具有端20和21的上互连段18的上布线结构10来形成，而布置在下平面表面29上的水平线圈段17由具有端22和23的下互连段19的下布线结构11形成。” | 对比文件公开的螺旋线圈（即多通孔电感器）由垂直线圈段（14, 15，相当于通孔）和水平线圈段（16, 17，相当于导电结构）构成。水平线圈段16、17通过上布线结构10和下布线结构11实现，它们位于复合晶片34（基板）的表面上，并连接垂直线圈段。例如，水平线圈段16（上互连段18）连接垂直线圈段14和15的上端（端20,21），置于这两个通孔之间。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间**《未被公开》 | 说明书第[0002]段：“本发明涉及一种具有至少一个半导体芯片和至少一个无源部件的半导体部件。...措辞无源部件指电阻器、电容器和线圈...” 说明书及附图中未描述任何电容器的具体结构，尤其是未描述电容器直接形成在垂直线圈段（通孔）之上且电介质位于通孔与极板之间的结构。 | 对比文件虽然提到无源部件包括“电容器”，但在具体实施例中仅详细描述了线圈（电感器）的形成。说明书和附图中完全没有描述或暗示存在一个“电容器”，其电介质位于通孔（即垂直线圈段）与该电容器的极板之间。目标专利的核心改进正是这种电容器在通孔上的集成结构，以消除连接迹线。对比文件没有公开此特征。 |
| **E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外**《未被公开》 | 无相关描述。 | 由于特征D（电容器）未被公开，因此其极板位置自然也未公开。 |
| **F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构**《未被公开》 | 无相关描述。 | 此特征进一步限定了电容器通过通孔耦合至第一导电结构（即电感器的一部分）。由于对比文件未公开电容器（特征D），因此这种耦合关系也不存在。 |
| **G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分**《直接公开》 | 同特征B、C的引用。图1、7、10等明确示出了两个垂直线圈段14和15。 | 对比文件中的螺旋线圈需要至少两个垂直线圈段（14和15）来形成一匝。这两个垂直线圈段都至少部分地延伸穿过复合晶片34（基板），并构成线圈（电感器）的垂直部分。因此，对比文件公开了“第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分”。 |
| **H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构**《直接公开》 | 说明书第[0027]段（见特征C引用）及附图。图1、10等清晰展示了由两个垂直线圈段（14,15）和两个水平线圈段（16,17）构成的完整螺旋线圈结构。 | 此特征描述了多通孔电感器的完整结构：包括通孔、第二通孔、第一导电结构和第二导电结构，并且它们之间的连接关系。对比文件中的线圈正好由两个垂直线圈段（通孔）和两个水平线圈段（导电结构）构成，并且水平段通过垂直段连接。具体地，上水平段（第一导电结构，如16）通过垂直线圈段（如15）连接到下水平段（第二导电结构，如17）。因此，对比文件直接公开了该特征。 |
| **I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器**《未被公开》 | 无相关描述。 | 对比文件没有描述任何电容器，更没有描述其极板位于ILD层中。虽然对比文件的线圈可以用于谐振电路，但单独的线圈（电感器）并不构成谐振电路；谐振电路需要电感器和电容器的组合。由于电容器未被公开，因此“谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器”这一特征也未公开。 |
| **J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔**《未被公开》 | 说明书第[0042]段描述基板材料为“塑料封装化合物5”。 | 对比文件的基板是“塑料封装化合物5”，并非玻璃型基板。其通孔是填充金属的孔，用于形成垂直线圈段，但并非特指“透玻通孔”。因此，该特征未被公开。 |
| **K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板**《直接公开》 | 说明书第[0042]段：“塑料封装化合物5完全覆盖了半导体芯片2的背面41和端面45和46，和线圈芯24的背面42...” | 对比文件的基板是塑料封装化合物，属于“塑料基板”的一种。目标专利明确列出了“塑料基板”作为基板材料的一种选项。因此，对比文件公开了基板包括塑料基板。 |
| **L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者**《隐含公开》 | 说明书第[0050]段：“在用导电材料填充肓孔35形成垂直线圈段15和16之后...”。说明书第[0057]段：“该导电材料可具有金属或重掺杂的多晶硅。” | 对比文件明确公开了通孔（盲孔35）用“导电材料”填充形成垂直线圈段，并指出该材料可以是“金属”。虽然未具体列举Cu、W、Ag、Au，但本领域技术人员熟知，在半导体封装或集成电路制造中，用于填充此类通孔的金属通常包括铜、钨、银、金等。因此，基于对比文件公开的“金属填充”，本领域技术人员能够合理推断出该金属可以是Cu、W、Ag、Au中的至少一种。该特征被隐含公开。 |
| **M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者**《未被公开》 | 无相关描述。 | 此特征涉及电容器的电介质材料。由于对比文件未公开电容器，因此也没有公开其电介质材料。 |
| **N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核**《未被公开》 | 无相关描述。对比文件的通孔是用导电材料（金属或多晶硅）填充的（见第[0050],[0057]段）。 | 对比文件没有描述通孔内具有聚合物核的金属结构。其通孔是实心填充的。因此，该特征未被公开。 |
| **O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上**《未被公开》 | 无相关描述。 | 此特征描述了电容器在通孔上的垂直堆叠关系。由于对比文件未公开电容器，因此这种垂直位置关系也不存在。 |
| **P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交**《未被公开》 | 无相关描述。 | 此特征描述了电容器、通孔和导电结构之间的空间位置关系。由于对比文件未公开电容器，因此这种关系也未公开。 |
| **Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交**《未被公开》 | 无相关描述。 | 此特征涉及通孔延伸方向与极板表面的关系。由于对比文件未公开电容器及其极板，因此该特征也未公开。 |
| **R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面**《未被公开》 | 无相关描述。 | 此特征比较通孔表面与极板表面的大小。由于电容器未被公开，因此无法比较。 |
| **S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同**《未被公开》 | 无相关描述。 | 同上，由于电容器未被公开，该特征未被公开。 |
| **T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面**《未被公开》 | 无相关描述。 | 同上，由于电容器未被公开，该特征未被公开。 |
| **U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间**《未被公开》 | 无相关描述。 | 此特征涉及电容器的多层电介质结构。由于电容器未被公开，因此该特征也未公开。 |
| **V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔**《未被公开》 | 对比文件中的垂直线圈段（14,15）是分开的、独立的孔（见附图）。 | 对比文件没有描述通孔在基板内结合。其垂直线圈段是独立的导电柱，通过表面的布线连接。也没有描述电感器包括“第三通孔”。因此，该特征未被公开。 |
| **W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上**《未被公开》 | 无相关描述。 | 此特征再次强调了电容器在通孔上的垂直位置。由于电容器未被公开，因此该特征也未公开。 |
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