对比文件名称：2003-07-22_US6597258B_发明授权_US06597258B2 High performance diplexer and method
目标专利名称：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
模型名称：深度求索
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板《直接公开》** | 对比文件说明书第2页第3段至第3页第1段：“FIG. 2 includes a cross-sectional view of a PCB for use with the diplexer... The PCB of FIG. 2 includes a first signal layer 100 separated from a first ground layer 102 by a first insulating layer 104 which is 30 mil thick. A second signal layer 106... is respectively separated from both the first ground layer 102 and a second ground layer 108 by two resin-impregnated (‘prepreg’) layers 110 and 112... The second ground layer 108 is separated from a third ground layer 114 by a second insulating layer 116 which is 30 mil thick... Thus, the resulting thickness of the PCB is approximately 80 mil.” 此外，全文多次提及“printed circuit board (PCB)”。 | 对比文件明确公开了其双工器是制作在印刷电路板（PCB）上，并详细描述了其多层结构。PCB即构成器件的基础基板。这与目标专利中的“基板”特征相同，均作为承载电路和器件的基底。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔《未公开》** | 对比文件说明书第2页第3-4段：“Positive reactance (i.e. inductive simulation) is produced by the inductive portions 18, 20, 38 and 40 of the resonators coupled to the ground vias 26 and 46.” 第2页第4段：“The grounded vias 26 and 46 at the ends of the respective resonators 10 and 12 assist in forming the resonance for the pass frequencies...” | 对比文件公开了接地通孔（ground vias）26、46，其与谐振器的电感部分（如18，20）连接，用于产生感性电抗并辅助形成谐振。然而，这些通孔的作用是作为谐振器的接地端或电感的一部分，并未被描述为构成一个独立且完整的“多通孔电感器”的一部分。目标专利中的“多通孔电感器”是由多个通孔和导电结构构成的完整电感结构（如图1所示），其通孔是构成该电感器磁路的核心部分。对比文件中的接地通孔功能与目标专利中作为多通孔电感器一部分的通孔功能不同，且对比文件未公开“多通孔电感器”这一完整结构。因此，本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出该技术特征。 |
| **技术特征C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构《未公开》** | 对比文件中未找到描述连接两个或更多通孔以形成电感器的导电结构的记载。其导电结构（如转移导体6，8，输出导体14，16）用于信号传输，而非在通孔之间形成电感。接地通孔26、46分别连接到各自谐振器的两端，并未通过基板上的导电结构相互耦合以形成电感。 | 该技术特征定义了多通孔电感器的一个具体结构：包括连接两个通孔并位于它们之间基板上的导电结构。对比文件完全没有描述这样的结构。其谐振器虽然有电感部分（如18，20），但这些是PCB表面的平面导电迹线，其两端分别连接到一个接地通孔和一个电容部分，并非用于连接两个通孔。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间《未公开》** | 对比文件说明书第2页第3段：“Negative reactance (i.e. capacitive simulation) is produced through the ‘open’ end connects caused by the interdigitized conductive fingers 32 and 52 of the capacitive portions 22, 24, 42 and 44 also coupled to ground vias 26 and 46.” 图1显示了电容部分（22，24）具有交叉指状导电手指32。 | 对比文件公开了通过交叉指状（interdigitized）导电手指来模拟电容效应。这种电容是分布式电容，其“极板”是交叉的手指本身，“电介质”是手指之间的空气或PCB材料。然而，这种电容并非“耦合至所述通孔”，而是电容部分本身通过其结构连接到通孔（作为接地端）。更重要的是，目标专利的核心在于电容器具有明确的“电介质层”位于“通孔”与“电容器的极板”之间（如图1中的电介质106位于通孔104和极板108之间）。对比文件完全没有描述这种在通孔上直接形成具有分立电介质层的电容器的结构。两者实现电容的方式和结构本质不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。《未公开》** | 同上。对比文件中的电容部分（22，24，42，44）是印刷在PCB表面信号层（第一信号层100）上的导电迹线（铜箔），属于PCB结构的一部分，而非独立于基板之外的附加层结构。 | 目标专利说明书（如[0033]段）强调“电容器114的第二极板108在基板102以外（例如，在基板102之上并且并不嵌入其中）”，这意味着电容极板是位于基板主体之上、在后续工艺中沉积形成的独立层。对比文件中的电容极板（交叉手指）是构成PCB本身导电层的蚀刻图案，是嵌入在PCB表面层中的。两者位置和形成工艺不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。《未公开》** | 对比文件未描述“第一导电结构”这一特定元件。其谐振器的接地通孔（如26）直接连接到电容部分（如22，24）和电感部分（如18，20）。没有描述一个独立的“第一导电结构”再通过通孔与电容器耦合。 | 该技术特征依赖于前述未被公开的多通孔电感器结构（特征C）和电容器与通孔的特定耦合关系（特征D）。由于对比文件既未公开多通孔电感器的结构，也未公开目标专利所述类型的电容器，因此更不可能公开电容器通过通孔耦合至该电感器中特定“第一导电结构”的关系。 |
| **技术特征G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分《未公开》** | 对比文件图1和说明书中显示了多个接地通孔（26，46）。例如，第2页第4段：“The grounded vias 26 and 46 at the ends of the respective resonators 10 and 12...” | 对比文件虽然公开了多个通孔（26，46），但这些通孔是各自独立地作为谐振器两端的接地端，并非作为一个整体电感器的组成部分。目标专利中的“多通孔电感器”要求多个通孔协同工作形成一个电感元件（例如螺旋电感的一部分）。对比文件中的通孔功能（提供接地点）和组合关系（分属不同谐振器）与目标专利不同。因此，即使存在多个通孔，也无法认为其公开了“形成多通孔电感器的第二部分”这一特征。 |
| **技术特征H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。《未公开》** | 对比文件中未发现描述通过通孔连接两个导电结构以形成电感回路的记载。 | 该技术特征描述了多通孔电感器的一个更具体的实施例，涉及多个通孔和导电结构的互连。对比文件完全没有对应或类似的结构描述。其所有导电结构（如信号线、谐振器臂）均位于PCB表面，通过通孔连接到接地层，而不是通过通孔相互连接以形成电感环路。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。《未公开》** | 对比文件图2的PCB截面图显示了绝缘层（104， 110， 112， 116），但未将其称为“层间电介质(ILD)层”，也未描述电容器的极板位于此类特定层中。其电容器的“极板”（交叉手指）位于最上层的信号层（100）。 | 目标专利的ILD层（如110，112）是在基板上方沉积的介电层，用于隔离不同的金属层（如[0035]段）。对比文件的绝缘层是构成PCB本身的多层压合结构的一部分。两者在材料、工艺和作用上存在差异。此外，由于构成谐振电路核心的多通孔电感器和目标专利型电容器均未被公开，因此“谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器”这一整体特征也未被公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。《未公开》** | 对比文件说明书第3页第1段提到PCB材料具有高介电常数（9.8），并可从Rogers公司获得。未提及玻璃型基板（如玻璃、石英）或透玻通孔（TGV）。 | 目标专利明确限定了基板为“玻璃型基板”且通孔为“透玻通孔”（TGV），这是其实施例的关键之一，涉及低损耗和特定的制造工艺。对比文件使用的是常规的、具有特定介电常数的PCB材料（如Rogers层压板），其通孔是标准的PCB金属化通孔。两者材质和工艺不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板《未公开》** | 对比文件仅提及使用高介电常数的PCB材料，并举例可从Rogers公司获得。未具体公开技术特征K中列举的多种特定基板材料。 | 虽然对比文件可能使用了“罗杰斯层叠”（Rogers laminate），但这只是其列举的众多可能性中的一种。目标专利的权利要求是“包括”这些材料，即基板材料选自该列表。对比文件并未明确、毫无疑义地公开其基板材料落入该列表范围内（尽管Rogers层叠可能符合），尤其是未公开列表中许多其他特定材料。本领域技术人员无法从对比文件推断其基板必然选自该具体列表。因此，该技术特征未被直接公开。考虑到对比文件仅提及一种可能的材料，并未教导或暗示该列表，因此也未被隐含公开。 |
| **技术特征L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者《隐含公开》** | 对比文件未明确说明通孔的填充材料。然而，作为本领域的公知常识，印刷电路板（PCB）中的通孔（via），特别是需要导电的接地通孔（ground via），通常通过电镀铜来实现金属化并填充。对比文件通篇在描述PCB制造时提及“copper etch”、“copper traces”。 | 虽然对比文件说明书没有明确写出通孔由何种金属填充，但结合其背景（PCB技术）和文中反复提到的“铜”（copper）迹线，本领域技术人员能够毫无困难地推断，为了实现电气连接，其接地通孔（ground vias）必然是金属化的，而最常用、最合理的金属就是铜。铜（Cu）明确包含在目标专利权利要求列举的金属列表中。因此，该技术特征可以被认为被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。《未公开》** | 对比文件未描述电容器中使用的具体电介质材料。其电容由交叉指状手指间的间隙形成，该间隙可能为空气或PCB的基材介质。 | 目标专利明确限定了电容器电介质的具体材料列表。对比文件完全没有提及任何关于电容器电介质材料的信息，更未涉及所列出的任何特定高k介质材料。本领域技术人员无法从对比文件中进行任何相关推断。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。《未公开》** | 对比文件未提及通孔内部具有聚合物核的结构。 | 目标专利该特征涉及通孔的一种特定结构（如图3的聚合物核302和金属结构304），用于降低成本或兼容工艺。对比文件对此没有任何描述或暗示。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。《未公开》** | 对比文件图1的布局图显示，电容部分（如22，24）和接地通孔（26）在平面图上相邻，但未提供垂直方向的截面图来展示它们之间的空间位置关系。说明书文字也未描述电容部分在垂直方向上位于通孔表面之上。 | 目标专利该特征强调了电容器在垂直方向上与通孔的对齐和重叠关系（on top of the via），这是实现低电阻连接的关键。对比文件仅展示了平面布局，无法确定交叉指状电容在三维空间是否垂直位于通孔表面之上。从常规PCB设计理解，通孔和表面导电图案位于不同层，但电容部分（交叉手指）是平面图案，其“极板”并不像目标专利那样作为一个独立的层“垂直位于”通孔表面。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。《未公开》** | 对比文件未描述“第一导电结构”这一元件，也未描述电容器、通孔和基板另一侧的导电结构之间存在如此精确的垂直空间关系。 | 该技术特征是对器件三维结构的非常具体的限定，依赖于前述多个未被公开的特征（如目标专利型电容器、第一导电结构等）。对比文件完全没有揭示这样的空间位置关系。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。《未公开》** | 同特征O，对比文件未提供信息来描述通孔轴与电容器极板区域在垂直方向上的相交关系。 | 该特征与特征O类似，强调通孔与电容器极板在垂直方向上的投影重叠。对比文件缺乏必要的三维结构信息来支持这一特征。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。《未公开》** | 对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系。 | 目标专利该特征（对应图2）是优化性能的一个具体实施例。对比文件完全没有涉及通孔和电容器极板尺寸的比较。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。《未公开》** | 同上（特征R）。 | 同上（特征R）。对比文件未涉及尺寸比较。 |
| **技术特征T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。《未公开》** | 同上（特征R）。 | 同上（特征R）。对比文件未涉及尺寸比较。 |
| **技术特征U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。《未公开》** | 对比文件未描述电容器具有多层电介质，更未描述在通孔与主电介质之间存在第二电介质。 | 目标专利该特征对应图4的实施例（第二电介质402）。对比文件中的电容是简单的交叉指状结构，没有这种复杂的多层介质结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。《未公开》** | 对比文件未描述任何通孔在基板内部结合的结构，也未描述包含三个通孔的电感器。 | 该技术特征描述了多通孔电感器的一种复杂变体（类似图6的盲孔结合结构）。对比文件中的通孔都是贯穿或连接到接地层，没有“在基板内结合”的记载，也没有由三个通孔构成电感器的描述。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。《未公开》** | 同特征O、Q。对比文件未明确描述通孔是否完全贯穿基板（从其接地功能推断可能是贯穿的），但最关键的是未描述电容器极板和电介质在垂直方向上位于通孔之上。 | 该特征结合了通孔贯穿基板以及电容器垂直位于通孔之上两个概念。对比文件可能隐含了通孔贯穿基板（连接不同层），但如前所述，其电容器结构并非目标专利所述类型，且不存在“垂直位于通孔上”的明确或隐含教导。因此，该技术特征未被公开。 |
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