对比文件的名称：2003-06-20_JP2003174263A_发明专利_JP2003174263A Multilayer electronic component
目标专利的名称：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
本次调用的模型名称：DeepSeek
作为资深专利代理师，我将根据目标专利说明书和权利要求，结合对比文件内容，对技术特征进行逐一比对分析。
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板 | 【0002】このＬＣフィルタ４０は...絶縁シート１〜１３などにて構成されている。<br>【0015】絶縁シート１〜１３は...シート状にしたものである。 | 对比文件明确公开了构成多层电子部件的“绝缘片（絶縁シート）1~13”，这些绝缘片堆叠后构成基板（积层体）。这与目标专利中作为器件承载结构的“基板”作用相同。因此，技术特征A被**直接公开**。 |
| **技术特征B**：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔， | 【0004】インダクタ用ビアホール２１ａ〜２１ｅ...がそれぞれ絶縁シート１〜１３の積み重ね方向に連接して柱状ビアインダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３を構成する。<br>【0017】インダクタ用ビアホール２１ａ〜２１ｅ...は、それぞれ絶縁シート１〜１３の積み重ね方向に連接して実質的にλ／４の長さの柱状ビアインダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３を形成する。 | 对比文件公开了“电感器用通孔（インダクタ用ビアホール）21a-21e等”，这些通孔在绝缘片（即基板）的堆叠方向上连接，形成“柱状通孔电感器（ビアインダクタ）L1, L2, L3”。通孔穿过堆叠的绝缘片（基板）延伸，并构成电感器的一部分。其作用与目标专利中构成多通孔电感器一部分的通孔相同。因此，技术特征B被**直接公开**。 |
| **技术特征C**：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构 | 【0002】折り返し電極１４ａ〜１７ｂ...をそれぞれ設けた絶縁シート１〜１３などにて構成されている。<br>【0022】絶縁シート１の上面の手前側および奥側の辺にはそれぞれグランド端子用折り返し電極１４ａ，１５ａが形成され...。<br>【0017】ビアインダクタＬ１〜Ｌ３のそれぞれの上端部（ビアホール２１ａ...）は、シールド電極３０，３１に接続され...。 | 对比文件公开了“折返电极（折り返し電極）14a-17b”和“屏蔽电极（シールド電極）30-32”等导电结构。这些导电结构设置在绝缘片（基板）上，并连接到通孔（例如ビアホール21a连接到屏蔽电极30、31）。电感器L1-L3由多个通孔（如21a-21e）通过层间的导电结构（如电极）连接而成。因此，本领域技术人员可以理解，多通孔电感器必然包括耦合至通孔并置于通孔之间的基板上的导电结构。技术特征C被**隐含公开**。 |
| **技术特征D**：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间， | 【0004】共振用コンデンサ電極２４，２５，２６は、それぞれ絶縁シート８〜１１を挟んでシールド電極３２に対向することにより、共振用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３を形成する。<br>【0020】共振用コンデンサ電極２４は、インダクタＬ１の下端（ビアホール２１ｅ）に接続し...。 | 对比文件公开了电容器（C1, C2, C3），其电极（24, 25, 26）通过通孔（21e, 22e, 23e）连接到电感器。然而，电容器的电介质是“绝缘片8~11”，位于电容器电极（24, 25, 26）与屏蔽电极（32）之间，**而不是**位于“通孔与电容器的极板之间”。目标专利的核心在于电容器直接在通孔顶部形成，电介质在通孔与电容器上极板之间。对比文件的结构完全不同。因此，技术特征D**未被公开**（既非直接也非隐含）。 |
| **技术特征E**：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。 | 【0004】共振用コンデンサ電極２４，２５，２６は...それぞれ絶縁シート８〜１１を挟んでシールド電極３２に対向することにより、共振用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３を形成する。<br>【0015】シート１〜４，６，８〜１２は厚みが２８μｍである。 | 对比文件中的电容器电极（24, 25, 26）和屏蔽电极（32）都是形成在绝缘片（基板）的表面或层间，被包裹在由绝缘片堆叠而成的基板（积层体）内部。说明书【0031】明确电容器电极是“内部電極”。因此，电容器的极板在基板“以内”，而非目标专利所要求的“在所述基板以外”（根据目标专利说明书【0031】解释，指在基板之上并不嵌入其中）。因此，技术特征E**未被公开**。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。 | 【0020】共振用コンデンサ電極２４は、インダクタＬ１の下端（ビアホール２１ｅ）に接続し...。<br>【0022】シールド電極３０〜３２は、それぞれシート３，４，１２の表面に広面積に形成され...。 | 对比文件中，电容器电极（24）通过通孔（21e）连接到电感器L1。电感器L1本身包含导电结构（如通孔和连接电极）。然而，“第一导电结构”在目标专利中指代明确（如说明书中的第一传导结构140），用于将通孔连接到外部或另一通孔。对比文件中电容器通过通孔连接到的是电感器网络，而非一个独立的、功能与目标专利中“第一导电结构”完全相同的结构。因此，技术特征F**未被直接公开**。但从最宽泛的角度理解，连接电容器的通孔必然耦合至某个导电部分，可以认为是**隐含公开**。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分 | 【0004】インダクタ用ビアホール２１ａ〜２１ｅ，２２ａ〜２２ｅ，２３ａ〜２３ｅがそれぞれ...柱状ビアインダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３を構成する。<br>【0017】インダクタ用ビアホール２１ａ〜２１ｅ...は、それぞれ...柱状ビアインダクタＬ１...を形成する。 | 对比文件明确公开了每个柱状通孔电感器（如L1）由多个通孔（如21a-21e）在堆叠方向连接构成。这些通孔（例如21a和21b）都至少部分地延伸穿过绝缘片（基板），共同构成电感器。因此，除了第一个通孔（特征B所指）外，必然存在“第二通孔”作为电感器的第二部分。技术特征G被**隐含公开**。 |
| **技术特征H**：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。 | 【0002】折り返し電極１４ａ〜１７ｂ...をそれぞれ設けた...。<br>【0017】ビアインダクタＬ１〜Ｌ３のそれぞれの上端部（ビアホール２１ａ，２１ｂ...）は、シールド電極３０，３１に接続され...。<br>【0022】シールド電極３０〜３２は...。 | 对比文件中的多通孔电感器（如L1）由多个通孔（21a-21e）和层间的导电结构（如折返电极14a-17b、屏蔽电极30-32）交替连接构成螺旋或柱状路径。例如，通孔21a连接至屏蔽电极30/31，该电极又连接至其他通孔。这种结构必然包含通过通孔相互连接的多个导电结构。因此，技术特征H所描述的多通孔电感器的组成结构被**隐含公开**。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。 | 【0004】柱状ビアインダクタＬ１とコンデンサＣ１とでＬＣ共振器Ｑ１を構成し...。<br>【0015】絶縁シート１〜１３は...シート状にしたものである。 | 对比文件明确公开了由柱状通孔电感器（L1, L2, L3）和电容器（C1, C2, C3）形成的LC谐振器（Q1, Q2, Q3），即谐振电路。电容器电极位于绝缘片（絶縁シート）之间，这些绝缘片在多层结构中起到层间绝缘的作用，相当于“层间电介质(ILD)层”。因此，技术特征I被**直接公开**。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。 | 无相关记载。 | 对比文件全文未提及基板为玻璃型，也未提及通孔为透玻通孔（TGV）。其基板由陶瓷或磁性材料与粘合剂的混合物制成的绝缘片构成。因此，技术特征J**未被公开**。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板 | 【0015】絶縁シート１〜１３は、誘電体粉末や磁性体粉末を結合剤と一緒に混練したものをシート状にしたものである。 | 对比文件公开的基板材料是“介电粉末或磁性粉末与粘合剂混合制成的片状物”，属于陶瓷或铁氧体类材料，与目标专利权利要求K中列举的玻璃、半导体化合物、特定层压板或塑料等具体材料列表完全不同。因此，技术特征K**未被公开**。 |
| **技术特征L**：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者 | 【0016】インダクタ用ビアホール２１ａ〜２３ｅは...Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｄ等の導電体材料をこの長穴に充填することにより形成される。 | 对比文件明确记载了通孔（ビアホール）中填充的导电体材料包括Ag（银）、Cu（铜）、Au（金）等，属于金属填充型通孔。因此，技术特征L被**直接公开**。 |
| **技术特征M**：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。 | 【0015】絶縁シート１〜１３は、誘電体粉末や磁性体粉末を結合剤と一緒に混練したものをシート状にしたものである。 | 对比文件仅说明绝缘片由介电或磁性粉末与粘合剂制成，未具体公开其材料为权利要求M中列举的二氧化硅、氮化硅、氧化铝等特定材料。因此，技术特征M**未被公开**。 |
| **技术特征N**：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。 | 无相关记载。 | 对比文件未提及通孔内具有聚合物核的金属结构。其通孔是用导电材料填充的。因此，技术特征N**未被公开**。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。 | 【0020】共振用コンデンサ電極２４は、インダクタＬ１の下端（ビアホール２１ｅ）に接続し...。 | 这是目标专利的核心空间布局特征，要求电容器垂直堆叠在通孔顶部。对比文件中，电容器电极（24）与形成电感器的通孔（21e）是水平连接关系，电容器电极与屏蔽电极（32）水平对向，中间是绝缘片。没有公开电容器极板和电介质“垂直位于”通孔表面之上的三维堆叠结构。因此，技术特征O**未被公开**。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。 | 【0004】共振用コンデンサ電極２４...絶縁シート８〜１１を挟んでシールド電極３２に対向することにより...。【0025】積層体５５の左右の端面にはそれぞれ...入力端子５６、出力端子５７が形成され...。 | 该特征描述了电容器、通孔和第一导电结构三者垂直对齐的特定几何关系。对比文件中，电容器（电极24与屏蔽电极32）位于积层体内部，导电结构（如输入输出端子56、57）位于积层体侧面，通孔（21e）垂直延伸。不存在“电容器毗邻第一表面”、“第一导电结构毗邻相对的第二表面”以及“三者被同一垂直轴相交”的明确布局。因此，技术特征P**未被公开**。 |
| **技术特征Q**：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。 | 【0017】この柱状ビアインダクタＬ１〜Ｌ３の軸方向はシート１〜１３の表面に対して垂直である。 | 对比文件公开了通孔电感器的轴向与绝缘片表面垂直。但该特征同样要求通孔的垂直轴与电容器极板区域相交（即垂直堆叠）。如特征O所述，对比文件的电容器电极与通孔是水平连接，其极板平面与通孔轴向平行，而非垂直对向，因此通孔轴不会与电容器极板区域相交。技术特征Q**未被公开**。 |
| **技术特征R**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。 | 无相关记载。 | 对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面之间的尺寸大小关系。因此，技术特征R**未被公开**。 |
| **技术特征S**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。 | 无相关记载。 | 对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面之间的尺寸大小关系。因此，技术特征S**未被公开**。 |
| **技术特征T**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。 | 无相关记载。 | 对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面之间的尺寸大小关系。因此，技术特征T**未被公开**。 |
| **技术特征U**：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。 | 无相关记载。 | 对比文件的电容器仅包含绝缘片作为单一电介质层，未提及在通孔与电容器电介质之间存在“第二电介质”。因此，技术特征U**未被公开**。 |
| **技术特征V**：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。 | 【0004】インダクタ用ビアホール２１ａ〜２１ｅ...がそれぞれ絶縁シート１〜１３の積み重ね方向に連接して柱状ビアインダクタＬ１...を構成する。 | 对比文件公开了多个通孔（如21a-21e）在基板堆叠方向连接形成电感器。这些通孔各自穿过其所在的绝缘片，并在层间通过导电结构“结合”，共同构成一个连续电感路径。这隐含了包括“通孔、第二通孔、第三通孔...”的结构。但是否“部分地延伸”以及“在基板内结合”的具体方式，对比文件未明确限定，从连接方式看可以合理推断。因此，技术特征V被**隐含公开**。 |
| **技术特征W**：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。 | 【0017】この柱状ビアインダクタＬ１〜Ｌ３の軸方向はシート１〜１３の表面に対して垂直である。 | 对比文件公开了通孔（构成电感器）延伸穿过基板（绝缘片堆叠体）。但如特征O、Q所述，其电容器的极板和电介质并非“垂直位于”通孔之上，而是水平排布并通过通孔侧向连接。这是目标专利与对比文件在结构上的根本区别。因此，技术特征W**未被公开**。 |
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