对比文件名称：2013-01-10_US2013011995A_发明申请_US20130011995A1 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING WIRING MADE BY DAMASCENE METHOD AND CAPACITOR AND ITS MANUFACTURE METHOD
目标专利名称：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **特征A《直接公开》**<br>包括：基板 | 说明书[0062]段：“a semiconductor substrate 1 made of silicon. ... A first-layer interlayer insulating film 5 ... is formed on the etching stopper film 4.”； [0067]段：“An interlayer insulating film 44 ... is formed on the wiring layer 30.” | 对比文件明确公开了半导体衬底（semiconductor substrate 1）以及形成在其上的多层间绝缘膜（如interlayer insulating film 5, 44, 54等）。这些衬底和绝缘膜共同构成了器件结构的基础支撑体，即“基板”。本领域技术人员能毫无疑义地确定其公开了“基板”这一技术特征。 |
| **特征B《未公开》**<br>至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔 | 说明书[0062]段：“Via holes 6 and 7 are formed through the first-layer interlayer insulating film 5 and etching stopper film 4, and plugs 8 and 9 ... are embedded in the via holes”； [0068]段：“A conductive member 45 is embedded in a recess formed in the wiring layer insulating film 43 and etching stopper film 42” | 对比文件公开了在层间绝缘膜（如5, 44, 54）中形成的通孔（via holes）和导电插塞（plugs），以及嵌入在绝缘膜中的导电构件（conductive member 45）。然而，对比文件通篇未提及任何“电感器”（inductor）结构，更未公开这些通孔是“多通孔电感器的一部分”。该特征未被公开。 |
| **特征C《未公开》**<br>所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构 | 说明书[0065]段：“the conductive member 28 in the via hole 26 constitutes an interconnect portion between the upper and lower wirings.”； [0068]段：“the wiring 47 is connected to a lower level wiring via a via hole” | 对比文件公开了通过通孔（如via hole 26）和导电构件（如conductive member 28）实现上下层布线之间的电连接。但这一导电结构的作用是互连布线，而非构成电感器。由于对比文件未公开“多通孔电感器”，因此包含其具体组成部分（耦合至通孔的导电结构）的特征自然也未被公开。 |
| **特征D《隐含公开》**<br>耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间 | 说明书[0070]段：“A capacitor 69 is therefore formed being constituted of a lower electrode 62A ..., a capacitor dielectric film 65A ... and an upper electrode 68A”； 图1P及对应描述显示电容器69通过导电构件45、下电极62A等与下层布线/通孔电连接。 | 对比文件明确公开了电容器69（包括下电极62A、介电膜65A、上电极68A）。该电容器通过其下电极62A与下层导电构件45电连接，而导电构件45可视为嵌入在绝缘膜（基板）中的通孔结构。因此，电容器通过其电极（如下电极62A）耦合到了通孔（如导电构件45）。虽然对比文件的结构是电容器下电极通过一个独立的导电层（62A）与通孔连接，而目标专利是电介质直接位于通孔与极板之间，但本领域技术人员可以理解，电容器必然包含电介质位于两个导电部分（例如下电极和上电极）之间的基本结构。在对比文件中，电容器的一个电极（下电极62A）与通孔（导电构件45）电连接，电介质（65A）位于该电极与另一电极（上电极68A）之间。通过合理的推断，可以认为电介质实质上也位于通孔（通过下电极）与电容器的另一极板（上电极）之间。因此，该特征被隐含公开。 |
| **特征E《直接公开》**<br>并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。 | 说明书[0070]段：“A capacitor 69 is therefore formed ...”； 图1P显示电容器69形成于层间绝缘膜54（即基板的一部分）的凹槽（capacitor recess 55）内，其电极（62A, 68A）并未延伸进半导体衬底1内。 | 对比文件中的电容器69是嵌入在层间绝缘膜（如54）的凹槽中形成的。层间绝缘膜是位于半导体衬底上方的介质层，属于目标专利所述的“基板”范畴（例如，目标专利说明书[0031]段将玻璃基板、SOI基板等均列为基板示例）。电容器的电极（62A, 68A）位于这些介质层（基板）内部或表面，但并未在作为有源区的半导体衬底1“以内”。因此，电容器的极板位于“基板以外”这一特征被直接公开。 |
| **特征F《未公开》**<br>其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。 | 说明书[0068]段：“A conductive member 45 is embedded in a recess ... in the region where a capacitor is to be formed.”； [0070]段：电容器69形成于导电构件45上方。 | 对比文件公开了电容器69形成于下层导电构件45之上，并通过下电极62A与之电连接。这里的“导电构件45”可以类比为“通孔”或下电极的一部分。然而，特征F限定了“所述导电结构包括第一导电结构”，且“电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构”。该描述与目标专利图1中“第一导电结构140”作为电感器的一部分且位于基板另一侧的结构更为对应。对比文件中的导电构件45是直接位于电容器下方的连接件，而非目标专利中那种作为电感器绕组一部分、位于基板背侧的“第一导电结构”。该具体结构关系未被公开。 |
| **特征G《未公开》**<br>其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分 | 说明书[0065]段：“via holes 26 are formed in the interlayer insulating film 23”； [0068]段：“the wiring 47 is connected to a lower level wiring via a via hole” | 对比文件公开了多个通孔（如via holes 26, 51B等）。然而，这些通孔均被描述为用于连接不同层布线的互连结构，其作用与电感器无关。由于对比文件自始至终未提及“多通孔电感器”这一概念，因此作为其组成部分的“第二通孔”自然也未被公开。 |
| **特征H《未公开》**<br>第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。 | 无相应内容 | 该特征详细限定了多通孔电感器的具体构成，包括通孔、第二通孔、第一和第二导电结构及其连接关系。对比文件完全没有涉及任何电感器结构，更未公开如此具体的螺旋形或多匝电感器绕组构成。因此，该特征未被公开。 |
| **特征I《未公开》**<br>其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。 | 说明书[0070]段：“A capacitor 69 is therefore formed ...”； 电容器形成于层间绝缘膜（interlayer insulating film）54的凹槽中。 | 对比文件公开了电容器的极板（如下电极62A、上电极68A）位于层间绝缘膜（ILD）54中（见图1P）。然而，对比文件未提及任何“谐振电路”，也未公开将电容器与“多通孔电感器”组合形成谐振电路。因此，特征的后半部分“谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器”未被公开。 |
| **特征J《未公开》**<br>其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。 | 说明书[0062]段：“a semiconductor substrate 1 made of silicon”； 层间绝缘膜材料为SiO2、SiOC、PSG等。 | 对比文件明确其基板为半导体硅衬底（silicon substrate），层间绝缘膜为二氧化硅（SiO2）等材料。目标专利明确限定的“玻璃型基板”和“透玻通孔（TGV）”是用于射频无源器件的特定技术，对比文件涉及的是硅基半导体集成电路的互连和集成电容器技术，两者基板材料和通孔技术完全不同。该特征未被公开。 |
| **特征K《未公开》**<br>其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板 | 说明书[0062]段：“a semiconductor substrate 1 made of silicon” | 对比文件仅公开了使用硅（silicon）作为半导体衬底。其列举的多种特定基板材料（如玻璃、石英、SOI、GaAs、InP、SiC、AlN、罗杰斯层叠、塑料等）均未在对比文件中提及。该特征未被公开。 |
| **特征L《直接公开》**<br>所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者 | 说明书[0062]段：“plugs 8 and 9 made of W or the like”； [0064]段：“the insides of the wiring trenches 15 are filled with conductive members made of copper”； [0065]段：“the inside thereof is filled with a conductive member 28 of copper” | 对比文件多次明确公开了通孔（via holes）和沟槽中使用金属填充，例如钨（W）插塞和铜（Cu）导电构件。铜（Cu）和钨（W）均属于目标专利权利要求列举的金属（Cu、W、Ag、Au）范围之内。因此，该特征被直接公开。 |
| **特征M《直接公开》**<br>所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。 | 说明书[0080]段：“a dielectric film 65 of SiN having a thickness of 50 nm is formed ...”； [0080]段：“The dielectric film 65 may be made of insulating material different from SiN, such as SiC, SiCN or the like.” | 对比文件明确公开了电容器介电膜（dielectric film 65）的材料为氮化硅（SiN）。氮化硅（Si3N4）是目标专利权利要求列举的材料之一。因此，该特征被直接公开。 |
| **特征N《未公开》**<br>其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。 | 无相应内容 | 对比文件公开的通孔和导电构件均为金属（如Cu、W）完全填充（见特征L）。全文未提及在通孔内使用“聚合物核”（polymer core）的结构。该特征未被公开。 |
| **特征O《隐含公开》**<br>其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。 | 图1P及说明书对应描述：电容器69形成于导电构件45上方的电容凹槽（capacitor recess 55）中。下电极62A覆盖凹槽底部和侧壁，电介质65A和上电极68A依次位于其上。 | 对比文件中，电容器69整体形成于下层导电构件45（可视为通孔结构）上方的凹槽内。从垂直投影关系看，电容器的下电极62A、介电膜65A和上电极68A必然位于其下方导电构件45的至少一部分区域的正上方。虽然对比文件中电容器下电极62A是一个独立沉积的层，而目标专利可能将通孔顶面直接作为下电极，但“垂直位于...上”描述的是空间位置关系。本领域技术人员根据对比文件图1P可以合理推断，电容器的极板（如上电极68A）和电介质（65A）是垂直位于下方导电结构（45）的表面上方的。因此，该特征被隐含公开。 |
| **特征P《未公开》**<br>其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。 | 无相应内容 | 该特征限定了电容器、通孔和第一导电结构之间非常具体的三维空间位置关系：电容器在基板一侧（第一表面），第一导电结构在另一侧（第二表面），且一条垂直于第二表面的轴线需同时穿过这三者。对比文件中的电容器69和下层导电构件45位于介质层的同侧（均在器件正面布线层），不存在位于基板“相对”两侧的元件以及所述的正交相交关系。该特征未被公开。 |
| **特征Q《未公开》**<br>其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。 | 说明书及附图：通孔（如via hole 51B）和电容器凹槽（55）均形成于平面化的层间绝缘膜中，其延伸方向通常垂直于基板表面。但电容器的极板（如下电极62A）是覆盖凹槽底部和侧壁的U形结构，其表面并非简单的水平面。 | 该特征限定了通孔延伸方向与极板表面垂直，且通孔的轴线与极板区域相交。对比文件中，通孔（或作为下电极连接件的导电构件45）是垂直延伸的。然而，电容器下电极62A是沿着凹槽形状沉积的，其表面包括水平底面和垂直侧壁，并非一个简单的水平“极板表面”。通孔的轴线可能与下电极的底面区域相交，但该特征所描述的“垂直于极板表面”的几何关系在对比文件的结构中并不明确或直接对应。更关键的是，目标专利此特征通常用于描述平板电容器极板与垂直通孔的对准关系，而对比文件是U型槽内电容器。因此，该特征未被公开。 |
| **特征R《未公开》**<br>其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。 | 图1P, 2, 4等：导电构件45（类比为通孔）的顶面面积与上方电容器凹槽55的底面面积相关。但电容器下电极62A覆盖了整个凹槽55的底面和侧壁，其表面积远大于凹槽底面面积。上电极68A位于凹槽内部的中心区域。 | 目标专利此特征意指通孔（作为下电极）的顶面积大于上方电容器上极板的面积（如图2）。对比文件中，若将导电构件45顶面视为“通孔表面”，将上电极68A顶面视为“极板表面”，从图2、4的平面图看，上电极68A完全位于导电构件45的区域内，但无法直接、毫无疑义地得出导电构件45顶面“大于”上电极68A顶面的结论，因为上电极68A的边界由沉积和CMP工艺定义，并非通过光刻图形化，其面积与下层结构的关系并非设计定值。该特征未被公开。 |
| **特征S《未公开》**<br>其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。 | 同上 | 理由同特征R。对比文件未明确公开通孔表面与电容器极板表面面积相等的关系。该特征未被公开。 |
| **特征T《未公开》**<br>其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。 | 同上 | 理由同特征R。对比文件未明确公开通孔表面小于电容器极板表面面积的关系。该特征未被公开。 |
| **特征U《未公开》**<br>其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。 | 无相应内容 | 对比文件中的电容器69仅包含一层介电膜65A（如SiN）。说明书未提及在通孔（或下电极）与电容器介电膜之间还存在另一层“第二电介质”。该特征未被公开。 |
| **特征V《未公开》**<br>其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。 | 无相应内容 | 该特征描述了用于构建多通孔电感器的、在基板内部结合的通孔网络，涉及“部分延伸”、“在基板内结合”以及“第三通孔”。对比文件中的通孔均为垂直贯穿相应介质层以连接上下布线的结构，未公开在介质层内部水平结合的通孔，也未公开用于构成电感器的此类复杂通孔网络。该特征未被公开。 |
| **特征W《隐含公开》**<br>其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。 | 说明书[0068]段：“A conductive member 45 is embedded in a recess formed in the wiring layer insulating film 43 and etching stopper film 42”； 图1P显示导电构件45垂直穿过绝缘膜42/43，电容器69位于其正上方。 | 对比文件中的导电构件45嵌入在层间绝缘膜（基板）中，并垂直穿过该绝缘膜（如从膜43表面至下层）。电容器69形成于该导电构件45上方的凹槽中。因此，电容器的极板（如上电极68A）和电介质（65A）必然在垂直方向上位于该导电构件45（通孔）的至少一部分区域之上。虽然“延伸穿过所述基板”在对比文件中是穿过局部介质层，而目标专利可能指贯穿整个玻璃基板，但基本结构关系（垂直堆叠）是类似的。本领域技术人员可以合理推断出该位置关系。因此，该特征被隐含公开。 |
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