对比文件名称：US2011204472A1_Description_20260318_1951
目标专利名称：在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
模型名称：DeepSeek最新版本模型
根据目标专利说明书和权利要求的记载，目标专利的核心在于一种特定结构：电容器直接形成于至少部分穿过基板延伸的通孔（该通孔是电感器的一部分）之上，电容器的电介质位于该通孔与电容器的极板之间，且极板在基板之外。这种结构旨在减少引线电阻，降低功耗，提高电路品质因数（Q因数）。
经过对对比文件US2011204472A1的仔细分析，现创建特征比对表格如下：
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板** <br>《直接公开》 | 对比文件描述了“carrier 120”（载体120）、“encapsulant 146”（封装体146）等作为支撑结构。例如，在[0041]段提到：“a sacrificial or temporary reusable substrate or carrier 120 contains base material such as silicon, polymer, polymer composite, metal, ceramic, glass, glass epoxy, beryllium oxide, tape, or other suitable low-cost, rigid material for structural support.”（一个牺牲性或临时可重复使用的衬底或载体120包含基础材料，例如硅、聚合物、聚合物复合材料、金属、陶瓷、玻璃、玻璃环氧树脂、氧化铍、带材或其他合适的低成本刚性材料，用于结构支撑。） | 对比文件中的“carrier”或“encapsulant”在器件中起到结构支撑和电气隔离的作用，这与目标专利中“基板”所起的支撑和隔离作用相同。本领域技术人员能毫无疑义地确定，对比文件公开了构成器件基础支撑结构的“基板”特征。 |
| **技术特征B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔** <br>《直接公开》 | 对比文件详细描述了形成“inductor pillars”（电感柱）的过程。这些柱体（如134b, 134c, 134e, 134f）由预制框架形成并穿过封装体延伸。例如，[0046]段描述：“Bodies 134b, 134c, 134e, and 134f are inductor pillars around inductor core 128.”（体134b、134c、134e和134f是围绕电感芯128的电感柱。）图3d-3f显示这些柱体从载体表面向上延伸并最终被封在封装体146中，即它们至少部分地穿过封装体（可视为基板）延伸，并构成3D电感器的一部分。 | 对比文件中的“inductor pillars”是垂直的导电柱，它们穿过封装材料（encapsulant）延伸，并且多个这样的柱通过互连结构连接以形成围绕铁芯的3D电感器。这实质上了公开了“至少部分地穿过基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔”。其在对比文件中作为电感器的组成部分，与目标专利中通孔作为多通孔电感器一部分的作用相同。 |
| **技术特征C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构** <br>《直接公开》 | 对比文件[0048]段描述了在封装体上形成互连结构：“The build-up interconnect structure 149 further includes at least one electrically conductive layer 152 formed over... Conductive layer 152 is also electrically connected between rows of inductor pillars 134b-134c and 134e-134f, as shown in FIG. 3j, to provide an integrated 3D inductor coiled around inductor core 128.”（堆积互连结构149进一步包括至少一个导电层152形成于...导电层152也电连接在成行的电感柱134b-134c和134e-134f之间，如图3j所示，以提供围绕电感芯128盘绕的集成3D电感器。） | 对比文件明确公开了导电层152形成于封装体表面，并将不同的电感柱（即“通孔”）电连接起来以形成完整的电感线圈。这直接公开了“耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构”。该结构在对比文件中用于形成电感路径，与目标专利中导电结构在电感器中的作用相同。 |
| **技术特征D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间** <br>**未公开** | 对比文件提到了形成薄膜电容器。例如，[0060]段：“a thin film capacitor 222 is formed in build-up interconnect layer 149”（薄膜电容器222形成在堆积互连层149中）。然而，该电容器是形成在互连结构层（如149或153）中的独立元件，其并非直接“耦合至所述通孔”（即电感柱），更没有公开电容器的电介质位于某个通孔（或电感柱）与电容器极板之间这种特定的叠层结构。 | 目标专利的核心创新点在于电容器直接在通孔（该通孔是电感柱）顶部形成，电介质位于二者之间。对比文件中的电容器（222, 224）是集成在互连层（如RDL）中的平面薄膜电容器，与通孔（电感柱）是分离的元件，通过互连层间接连接。本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或通过合理推理得到目标专利所限定的这种特定空间和电气连接关系。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。** <br>**未公开** | 对比文件中电容器222形成在“build-up interconnect layer 149”中，该互连层是形成在封装体（encapsulant 146）之上的附加层。因此，其极板位于互连层内，并非在作为基础支撑结构的“基板”（封装体）以外。 | 目标专利强调电容器的极板在“基板以外”，意指极板不嵌入基板内部，而是位于基板之上（如表面）。对比文件中的薄膜电容器集成于互连结构层，该互连层是堆叠在封装体之上的，电容器结构（包括极板）内嵌于该互连层中。两者的结构位置关系不同。对比文件未公开该特征。 |
| **技术特征F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。** <br>**未公开** | 如前述，对比文件未公开电容器直接耦合至作为电感柱的通孔（D特征未公开）。因此，也就不存在“电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构”这一具体连接关系。 | 该特征是特征D的进一步限定，依赖于电容器与通孔的直接耦合关系。既然特征D未被公开，该附加的连接关系也无从谈起。对比文件未公开此特征。 |
| **技术特征G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分** <br>《直接公开》 | 对比文件公开了多个“inductor pillars”共同构成3D电感器。例如，图3d和描述中，电感柱134b, 134c, 134e, 134f都围绕电感芯128设置。[0046]段明确“Bodies... are inductor pillars”。这些柱体均至少部分穿过封装体延伸。因此，除了第一个通孔（如134b），其他的电感柱（如134c）即相当于“第二通孔”。 | 对比文件的3D电感器由多个穿过封装体的导电柱（电感柱）通过表面导电层连接而成。这直接公开了多通孔电感器包含至少两个这样的通孔（柱），且它们都至少部分穿过基板（封装体）延伸并构成电感器的不同部分。作用与目标专利相同。 |
| **技术特征H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。** <br>《隐含公开》 | 对比文件图3j及其描述展示了3D电感器的完整结构：电感柱（134b, 134c等）通过顶部互连层（conductive layer 152）和底部互连层（conductive layer 156）连接成线圈。例如，[0048]段描述导电层152连接电感柱行，[0050]段描述导电层156也连接电感柱行并连接到接触垫124。顶部和底部的导电层通过不同的电感柱实现电气连通，共同形成螺旋路径。 | 对比文件明确公开了顶部导电层（可视为第一导电结构）和底部导电层（可视为第二导电结构），它们通过多个电感柱（通孔）相互连接以形成完整的电感线圈。虽然权利要求文字上精确限定了“第一导电结构通过第二通孔耦合至第一导电结构”，可能存在循环指代的歧义，但结合目标专利说明书图1（如第一传导结构140通过第二通孔130耦合至第三传导结构144）可知，其意在描述通过一个通孔连接两个不同层上的导电结构。对比文件图3j所示的通过电感柱连接顶部和底部导电层的结构，实质上也公开了这种连接关系。本领域技术人员通过阅读对比文件，能够合理推断出由通孔、多个导电结构组成的多通孔电感器。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。** <br>**未公开** | 对比文件[0060]段提到电容器222形成在“build-up interconnect layer”中，该层包含介电层（如passivation layer 150）。这类似于ILD层。同时，对比文件上下文（如[0054]段）指出IPD（包括3D电感和电容器）用于高频应用如谐振器。然而，**关键点在于**：对比文件未公开如目标专利所述的、与通孔具有特定位置关系的电容器（特征D未公开）。因此，即使对比文件可能公开了包含电感和电容的谐振电路概念，但并未公开由**本专利所限定的特定结构的电容器**与多通孔电感器构成的谐振电路。 | 该特征包含两个限定：1) 极板在ILD层中；2) 谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。对于限定1，对比文件的电容器极板在互连层中，可视为隐含公开“在层间电介质层中”。但对于限定2，由于构成谐振电路的电容器是目标专利所特有的结构（特征D），而非对比文件中的薄膜电容器，因此该谐振电路的组合未被公开。整体而言，技术特征I未被公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。** <br>**未公开** | 对比文件[0041]段列举的载体材料包括“glass”（玻璃），但未明确限定基板为“玻璃型基板”。通孔（电感柱）是通过预制框架形成并嵌入封装体中，并非通过玻璃穿孔技术形成的“透玻通孔(TGV)”。 | 目标专利特别强调基板为“玻璃型基板”且通孔为“透玻通孔”，这是其特定实施例和制造工艺的关键。对比文件虽然泛泛提及玻璃可作为载体材料之一，但未将基板限定为玻璃型，其通孔结构也完全不同于TGV。因此，该特定技术特征未被公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板** <br>**未公开** | 对比文件[0041]段列举了载体（基板）可能的基础材料，包括“silicon, polymer, polymer composite, metal, ceramic, glass, glass epoxy, beryllium oxide, tape”。该列表与目标专利的列表虽有部分重叠（如玻璃、塑料/polymer），但并未公开完整的、特别是半导体化合物基板（如GaAs, InP）等具体列表。且该列表仅为示例，未作为对基板的明确限定。 | 目标专利的权利要求明确限定了基板材料的选择范围。对比文件提供的材料列表是开放性的示例，并未公开或隐含公开权利要求K所限定的这个具体且有限的选择范围。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者** <br>《直接公开》 | 对比文件[0044]段描述：“prefabricated pillar frame 130 is made with Cu using leadframe technology.”（预制柱框架130使用引线框架技术用铜制成。）[0048]和[0050]段描述形成导电层152和156的材料包括“Al, Cu, Sn, Ni, Au, Ag”。电感柱作为框架的一部分，其材料自然包括Cu。 | 对比文件明确公开了构成通孔（电感柱）的预制框架由Cu制成，并且在其他部分提到Au、Ag等可作为导电材料。本领域技术人员能够毫无疑义地确定，这些电感柱是金属填充的，且金属材料包括Cu、Au、Ag等。这与技术特征L的限定一致。 |
| **技术特征M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。** <br>《直接公开》 | 对比文件[0048]段在描述互连结构的钝化层时提到：“passivation layer 150 can be one or more layers of silicon dioxide (SiO2), silicon nitride (Si3N4), silicon oxynitride (SiON), tantalum pentoxide (Ta2O5), aluminum oxide (Al2O3)”。[0050]段对passivation layer 154有相同描述。 | 虽然对比文件中这些材料是用于互连结构中的钝化层（绝缘层），而非专门用于电容器的电介质，但权利要求M仅限定了电介质的材料成分。本领域技术人员公知，这些材料是常见的电容器介电材料。对比文件公开了这些材料在器件中作为介电材料使用，因此可以认为该材料特征被直接公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。** <br>**未公开** | 对比文件全文未提及通孔（电感柱）内部具有聚合物核的结构。其电感柱是实心的金属柱（由Cu框架制成）。 | 目标专利的该特征涉及通孔的一种特定内部结构（金属结构包含聚合物核），旨在降低成本并与TGV工艺兼容。对比文件完全没有提及或暗示这种结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。** <br>**未公开** | 如前述，对比文件未公开电容器直接位于通孔之上（特征D未公开）。因此，也就不存在电容器极板和电介质“垂直位于”通孔表面之上的空间位置关系。 | 该特征明确了电容器与通孔之间垂直堆叠的空间关系，是目标专利结构的关键。对比文件中的电容器与电感柱（通孔）是平面布局关系，通过互连层连接，不存在这种垂直方向的直接堆叠。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。** <br>**未公开** | 该特征描述了极其具体的空间位置关系：电容器在基板一侧，第一导电结构在另一侧，且三者与通孔轴线共轴或相交。对比文件中，电容器在互连层中，电感柱（通孔）穿过封装体，导电结构（如152，156）在封装体两侧。但电容器并未被描述为与电感柱共轴或满足所述相交关系。 | 对比文件完全没有描述或图示出电容器、电介质与通孔轴线之间存在如此精确的共轴或相交关系。这是目标专利特有的布局，未被对比文件公开。 |
| **技术特征Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。** <br>**未公开** | 同上，该特征要求通孔轴线与极板区域相交。对比文件未公开电容器极板与电感柱（通孔）存在这种垂直投影上的相交关系。 | 该特征限定了通孔与电容器极板在垂直方向上的对准关系。对比文件未公开此关系。 |
| **技术特征R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。** <br>**未公开** | 该特征比较通孔表面与极板表面的相对大小。由于对比文件未公开电容器位于通孔之上（特征D未公开），因此不存在可比较的“通孔的面向电介质的表面”和“电容器的极板的表面”。 | 该特征以特征D和O所述的结构为前提。前提不成立，该附加的尺寸比较特征自然也未被公开。 |
| **技术特征S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。** <br>**未公开** | 同特征R，该尺寸比较特征的前提（电容器位于通孔之上）未在对比文件中公开。 | 未被公开。 |
| **技术特征T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。** <br>**未公开** | 同特征R，该尺寸比较特征的前提（电容器位于通孔之上）未在对比文件中公开。 | 未被公开。 |
| **技术特征U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。** <br>**未公开** | 该特征涉及电容器的双层电介质结构。对比文件未公开如目标专利所述的在通孔上形成的电容器，更未公开其具有双层电介质。 | 未被公开。 |
| **技术特征V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。** <br>**未公开** | 该特征描述了通孔在基板内部结合（如盲孔连接）的复杂三维电感结构。对比文件中的电感柱是独立的、竖直穿过封装体的柱体，它们之间在基板内部没有描述有直接的结合；它们是通过封装体表面的导电层连接的。也未提及“第三通孔”构成更复杂的线圈。 | 对比文件未公开这种在基板内部结合的盲孔结构。其3D电感器的形成方式不同。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。** <br>**未公开** | 该特征综合了通孔贯穿基板以及电容器垂直位于其上的结构。对比文件中的电感柱可能贯穿封装体，但电容器并不垂直位于其上（特征O未公开）。 | 该特征的核心在于电容器与通孔的垂直堆叠关系，该关系未被对比文件公开。 |
### 结论
综上所述，对比文件US2011204472A1直接公开了技术特征A、B、C、G、L、M，隐含公开了技术特征H。未公开技术特征D、E、F、I、J、K、N、O、P、Q、R、S、T、U、V、W。
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