对比文件名称：2003-04-04_JP2003100553A_发明专利_JP2003100553A Passive element component and substrate with built-in passive element
目标专利名称：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
模型名称：DeepSeek-R1
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板<br>《直接公开》 | 【００１２】本発明において用いられる多孔質基体は、空孔を有する基体であれば特に限定されず、用途に応じて有機材料あるいは無機材料の多孔質体を用いることができる。 | 对比文件公开了“多孔质基体”，这是一种具有孔隙的基体材料，其在整个器件中作为基底和支撑结构，用于形成各种功能区域（如导电区域、绝缘区域等）。这与目标专利中作为器件支撑和结构基础的“基板”作用和性质相同。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B**：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，<br>《隐含公开》 | 【００１６】三次元網目状の多孔質構造を有している多孔質体においては、その内部に含浸、充填された導電性物質も多孔質体内で三次元的に連続となるため、良好に保持、固定される。 また、導電性物質が充填される空孔が各方向に連続しているために、立体配線の形成が可能となることに加えて、良好な導電率が得られる。<br>【００２０】導電性材料を多孔質基体の所望の領域に含浸、充填する手法は特に限定されず...<br>【００３６】（受動素子複合部品）...コイル素子領域４１の多孔質基体には高透磁率材料が充填されており、また、その表面には、コイル素子の導体層４２が形成されている。 このコイル素子の導体層４２は、多孔質基体の厚み方向に貫通して設けられていてもよいし、多孔質基体の表面にのみ形成されていてもよい。 多孔質基体の表裏両表面に導体層４２を形成し多孔質基体を貫通する電気接続を行うことにより、積層コイルとして形成させることができる。 | 对比文件描述了在多孔质基体中填充导电材料以形成三维连续的导电结构（即通孔）的方法（【００１６】、【００２０】）。同时，对比文件明确公开了可以形成线圈（电感）元件，并且该线圈的导体层可以设置为在基体厚度方向上贯通（【００３６】）。虽然对比文件未明确将单个“通孔”描述为“多通孔电感器的一部分”，但本领域技术人员可以理解，为了实现线圈的立体结构（如多层线圈），必然需要使用在基板中延伸的导电通孔（例如连接不同层导体的垂直连接）来构成电感器的一部分。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征C**：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构<br>《隐含公开》 | 【００３６】（受動素子複合部品）...コイル素子領域４１の多孔質基体には高透磁率材料が充填されており、また、その表面には、コイル素子の導体層４２が形成されている。 このコイル素子の導体層４２は、多孔質基体の厚み方向に貫通して設けられていてもよいし、多孔質基体の表面にのみ形成されていてもよい。 多孔質基体の表裏両表面に導体層４２を形成し多孔質基体を貫通する電気接続を行うことにより、積層コイルとして形成させることができる。<br>【００２２】...配線などの導電性物質を充填して形成した導電パターンは... | 对比文件图4（【００３６】）所示的复合部件包含线圈元件和电容器元件。其中，线圈元件具有在基板表面形成的导体层（42），并且提到可以在基板两面形成导体层并通过贯穿基板的电连接（即通孔）来实现多层线圈。这必然意味着存在连接不同层导体的通孔（第一通孔、第二通孔等），以及位于基板表面、连接这些通孔的导电结构（即导体层42）。虽然未使用“耦合至所述通孔和第二通孔”的精确表述，但构成多层线圈的“导体层”必然起到连接多个通孔的作用，且位于基板表面（即通孔之间）。因此，本领域技术人员能够合理推断出该技术特征。 |
| **技术特征D**：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，<br>《隐含公开》 | 【００２７】（コンデンサ素子）コンデンサ素子は、互いに離間して形成される１対の導電性材料領域からなる電極層間に高誘電材料領域と、導電性材料領域、あるいは高誘電材料に隣接して形成される絶縁材料領域を配置して形成される。...また、相対向する電極の面積を増加させるために図２に示すような櫛形の電極とすることが望ましい。 図２において、２０がコンデンサ素子であり、多孔質基体２１に、コンデンサ素子の電極となる導電性材料領域２２，２３が形成されている。 そして、これらの導電性材料領域２２，２３以外の領域には、高誘電率材料が充填されている。 | 对比文件明确公开了电容器元件，其由一对间隔开的导电材料区域（电极22，23）以及填充在它们之间（以及周围）的高介电材料（电介质）构成（【００２７】）。其中，导电材料区域是通过在多孔质基体的孔隙中填充导电材料形成的，这实质上构成了“通孔”电极（如图2的梳齿状电极，其贯穿基板）。因此，电容器的一个电极（即“通孔”）与电容器的电介质（高介电材料）是相邻的。虽然对比文件没有明确描述“电介质位于通孔与电容器的极板之间”这一具体空间关系，但其公开的“一对电极间填充高介电材料”的结构，以及图2所示的梳齿状电极结构，使得本领域技术人员能够合理推断，在由通孔构成一个电极的情况下，电介质必然位于该通孔电极与另一个电极（极板）之间。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征E**：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。<br>《未公开》 | 【００２７】...図２において、２０がコンデンサ素子であり、多孔質基体２１に、コンデンサ素子の電極となる導電性材料領域２２，２３が形成されている。 | 对比文件中电容器的电极（22，23）被描述为“在多孔质基体21中形成”的“导电性材料区域”。这意味着电极是嵌入在基板（多孔质基体）内部孔隙中的，是通过填充基板孔隙形成的结构，而不是位于基板以外的独立层。目标专利明确要求“极板在基板以外”，意指极板是形成于基板外部表面之上的独立层状结构（如金属层），不嵌入基板内部。对比文件的结构与此不同。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。<br>《隐含公开》 | 【００３６】...一方、コンデンサ領域２４の多孔質基体には、多孔質基体の厚み方向に貫通して導電性材料を充填した一対の電極４４，４５が対向して設けられており、両電極間には高誘電率材料が充填されている。 これらの受動素子の導電層から電極が取り出され、多孔質基体表面に形成される接続用配線もしくは外部配線によって所要の機能を有する複合部品が形成される。 | 对比文件图4（【００３６】）公开了在同一多孔质基体上集成线圈（电感）元件和电容器元件的复合部件。电容器的电极（44，45）是贯通基板的通孔结构。这些元件的电极通过“在多孔质基体表面形成的连接用配线”进行连接以实现所需功能。这必然意味着电容器的一个电极（通孔）会通过该表面配线（即“第一导电结构”）连接到其他部分（例如电感器）。因此，电容器通过其通孔电极耦合至基板表面的导电结构（第一导电结构）这一特征，可以被本领域技术人员从对比文件的描述中合理推断出来。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分<br>《隐含公开》 | 【００３６】...コイル素子領域４１の多孔質基体には高透磁率材料が充填されており、また、その表面には、コイル素子の導体層４２が形成されている。 このコイル素子の導体層４２は、多孔質基体の厚み方向に貫通して設けられていてもよいし、多孔質基体の表面にのみ形成されていてもよい。 多孔質基体の表裏両表面に導体層４２を形成し多孔質基体を貫通する電気接続を行うことにより、積層コイルとして形成させることができる。 | 对比文件描述了线圈（电感）元件，并指出可以通过在基板两面形成导体层，并通过贯穿基板的电连接（即通孔）来实现多层（积层）线圈（【００３６】）。要构成一个“多通孔电感器”，必然需要至少两个或更多个通孔来连接不同层的导体，从而形成螺旋或环形路径。因此，第二通孔作为电感器第二部分（例如连接另一层导体）的特征，是本领域技术人员在实现对比文件所述“积层线圈”时必然需要采用的元件。该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征H**：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。<br>《隐含公开》 | 【００３６】...多孔質基体の表裏両表面に導体層４２を形成し多孔質基体を貫通する電気接続を行うことにより、積層コイルとして形成させることができる。 | 对比文件明确提到了通过“在基板两面形成导体层”并利用“贯穿基板的电连接”来形成多层线圈。这隐含了以下结构：存在第一表面上的导体层（第一导电结构）、第二表面上的导体层（第二导电结构）、以及连接这两个导体层的至少一个通孔（第二通孔）。此外，线圈结构通常还包含其他通孔（如技术特征G所述）。因此，由通孔、第二通孔、第一导电结构和第二导电结构共同构成一个多通孔电感器的方案，是本领域技术人员从对比文件公开的“积层线圈”制造方法中能够直接且毫无疑义地推导出的。该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。<br>《隐含公开》 | 【００３６】（受動素子複合部品）これは、上記多孔質体基体に形成した複数の受動素子を相互に電気的に接続し、例えばフィルタ回路や共振回路など、所要の回路特性を有する複合部品とするものである。<br>図４は、多孔質基体にコイル素子とコンデンサ素子を搭載した複合部品を示すもので...<br>【００２３】（絶縁材料領域の形成）...多孔質体の空孔に充填する絶縁性材料としては無機材料でも有機材料でもよく、これらの複合材料でもよい。...具体的には例えばエポキシ樹脂、...などが用いられる。 | 首先，对比文件图4（【００３６】）公开了在同一基板上集成线圈（电感）和电容器，并且可以将它们电连接以形成具有所需电路特性（如谐振电路、滤波器）的复合部件。因此，“谐振电路包括多通孔电感器和电容器”这一特征被隐含公开。其次，对比文件描述了使用绝缘材料（如环氧树脂）填充多孔质基体的孔隙以形成绝缘区域（【００２３】）。虽然目标专利的“层间电介质(ILD)层”是位于基板之上的独立层，而对比文件的绝缘材料是填充在基板孔隙内部，两者作用（绝缘、隔离）相似但结构位置不同。然而，考虑到“隐含公开”判断标准宽松，且绝缘材料起到了将电极/导体与周围隔离的作用，有可能被认为部分公开了“极板在绝缘材料中”的概念。但需注意，由于技术特征E（极板在基板外）未被公开，此处的“极板”在对比文件中实际是嵌入基板内部的电极，而非目标专利所述的基板外极板。因此，关于“极板在ILD层中”的严格对应关系不成立。但从最宽松的隐含公开角度，可以认为对比文件公开了“电极在绝缘材料中”以及“谐振电路包括电感和电容”。综合来看，该复合特征被部分隐含公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。<br>《未公开》 | 【００１２】本発明において用いられる多孔質基体は、空孔を有する基体であれば特に限定されず、用途に応じて有機材料あるいは無機材料の多孔質体を用いることができる。 | 对比文件仅一般性地提到多孔质基体可以由有机或无机材料制成，并列举了聚合物、陶瓷等具体示例（【００１２】、【００１３】、【００１５】），但从未提及“玻璃型基板”，更未提及“透玻通孔(TGV)”。目标专利明确限定了基板和通孔的具体类型（玻璃型基板、透玻通孔），这是其特定技术方案的一部分。对比文件未公开这些特定类型。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板<br>《未公开》 | 【００１２】本発明において用いられる多孔質基体は、空孔を有する基体であれば特に限定されず、用途に応じて有機材料あるいは無機材料の多孔質体を用いることができる。<br>【００１３】有機多孔質基体としては、ポリマー材料からなる多孔質基体が用いられる。 ポリマー材料としては、例えばエポキシ樹脂や...ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィン類...<br>【００１５】一方、無機多孔質体としては、セラミックス材料を用いた多孔質体が用いられる。 セラミックス材料としては、シリカ、アルミナ、チタニア、チタン酸カリウムなどの金属酸化物、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウムなどが挙げられる。 | 对比文件列举了多孔质基体可能使用的材料，包括多种有机聚合物（如环氧树脂、聚烯烃等）和无机陶瓷材料（如二氧化硅、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮化铝等）（【００１３】、【００１５】）。虽然列举的“シリカ”（二氧化硅/石英）、“窒化アルミニウム”（氮化铝）、“炭化ケイ素”（碳化硅）与目标专利列表中的“石英基板”、“氮化铝(AIN)基板”、“碳化硅(SiC)基板”在材料成分上存在重叠，但对比文件是从“多孔质陶瓷材料”的角度进行一般性列举，并未明确将这些材料称为用于制作“基板”的特定类型（如玻璃基板、SOI基板等）。目标专利的列表是具体、限定的基板类型。两者在技术特征的描述层面和限定范围上存在差异。从最宽松的隐含公开标准看，对比文件可能部分公开了某些材料（如石英、氮化铝、碳化硅），但并未公开将这些材料制作为目标专利所定义的特定类型“基板”（如玻璃基板、SOI基板等）的技术方案。因此，该整体上被限定列举的基板类型技术特征未被公开。 |
| **技术特征L**：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者<br>《直接公开》 | 【００１９】導電性材料としては、銅、ニッケル、金、銀などの金属、あるいはこれらの合金...が用いられる。<br>【００４９】...無電解銅メッキ液ＰＳ−５０３に４０度で２時間浸漬して銅メッキを施し、...直径５０μｍのＣｕビアが接続している両面配線シートを得た。 | 对比文件明确公开了使用铜、金、银等金属作为导电材料来填充多孔质基体的孔隙以形成导电通路（通孔/ビア）（【００１９】）。在实施例中更是具体描述了通过无电解铜镀形成直径为50μm的Cu通孔（ビア）（【００４９】）。这与目标专利的“金属填充型通孔”以及所列举的金属种类（Cu, Ag, Au）完全一致。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征M**：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。<br>《隐含公开》 | 【００２８】セラミックスとしては例えば、Ｍ１ＴｉＯ３ ...他にも、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス等の複合酸化物の微粒子や、二酸化チタン、五酸化二タンタル、三酸化二イットリウム等の金属酸化物などが用いられる。<br>【００３１】バインダーとなるセラミックスとしては例えば、シリカ、窒化ケイ素のほか、酸化タンタル、酸化イットリウム、酸化チタン、酸化アルミニウムを含む金属酸化物... | 对比文件在描述高介电材料和用于绝缘/粘结的陶瓷材料时，列举了多种金属氧化物和氮化物，其中包括“シリカ”（二氧化硅，SiO2）、“窒化ケイ素”（氮化硅，Si3N4）、“五酸化二タンタル”（五氧化二钽，Ta2O5）、“酸化アルミニウム”（氧化铝，Al2O3）（【００２８】、【００３１】）。虽然未明确提及“氮氧化硅(SiOxNy)”，但公开了其主要成分的氧化物和氮化物。因此，目标专利电介质材料列表中的大部分具体物质（SiO2, Si3N4, Ta2O5, Al2O3）已被对比文件公开。虽然对比文件未明确将这些材料称为电容器的“电介质”，但其在高介电材料部分的列举（【００２８】）已暗示了它们可作为介电材料使用。本领域技术人员可以合理推断，这些材料可用于形成电容器的电介质。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。<br>《未公开》 | 无相应内容。 | 对比文件全文均未提及在通孔内部设置“聚合物核”的结构。其通孔是通过在多孔质基体的孔隙中完全填充导电材料（如金属）形成的（【００１９】、【００４９】）。目标专利的该特征涉及一种特定的通孔结构（金属结构包含聚合物核），对比文件未公开此结构。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。<br>《未公开》 | 【００２７】...図２に示すような櫛形の電極とすることが望ましい。 図２において、２０がコンデンサ素子であり、多孔質基体２１に、コンデンサ素子の電極となる導電性材料領域２２，２３が形成されている。 そして、これらの導電性材料領域２２，２３以外の領域には、高誘電率材料が充填されている。 | 该技术特征描述了电容器极板、电介质与通孔表面之间在垂直方向上的重叠关系。对比文件图2所示的电容器采用梳齿状电极，两个电极（22,23）并排间隔设置，电介质填充在它们之间及周围的区域。这是一种平面内交错的结构，而非目标专利所强调的“垂直位于...上”的堆叠结构。在对比文件中，通孔（即导电材料区域）本身构成电极，电介质填充在其周围，并非位于通孔“之上”。因此，该特定的垂直空间位置关系未被对比文件公开。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。<br>《未公开》 | 无相应内容。 | 该技术特征限定了电容器、通孔和第一导电结构三者之间非常具体的空间位置关系：电容器在基板一侧，第一导电结构在基板另一侧，且一条垂直于第二表面并穿过通孔的轴线需要同时穿过电容器的极板、电介质和第一导电结构。这描述了一种精确的垂直对齐和堆叠关系。对比文件中没有任何内容揭示或暗示这种特定的三维空间配置。其电容器和电感（线圈）元件更多是平面布局或简单的多层连接，未描述这种严格的共轴垂直堆叠。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征Q**：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。<br>《未公开》 | 【００２７】...図２に示すような櫛形の電極とすることが望ましい。 | 该技术特征再次强调了通孔延伸方向与极板表面垂直，且通孔的轴与极板区域相交。如对特征O的分析，对比文件中的电容器电极是梳齿状并排结构，电极（通孔）的延伸方向与假设的极板平面（如果存在）更可能是平行或呈一定角度，而非明确垂直。更重要的是，对比文件中电容器的“极板”本身就是由通孔（导电材料区域）构成的，不存在一个独立于通孔的“极板”让通孔的轴与之相交。因此，该特征描述的关系不适用于对比文件的结构，未被公开。 |
| **技术特征R**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。<br>《未公开》 | 无相应内容。 | 对比文件未对通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系进行任何描述或限定。 |
| **技术特征S**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。<br>《未公开》 | 无相应内容。 | 对比文件未对通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系进行任何描述或限定。 |
| **技术特征T**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。<br>《未公开》 | 无相应内容。 | 对比文件未对通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系进行任何描述或限定。 |
| **技术特征U**：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。<br>《未公开》 | 【００２７】コンデンサ素子は、互いに離間して形成される１対の導電性材料領域からなる電極層間に高誘電材料領域...を配置して形成される。 | 对比文件描述的电容器具有一对电极及位于其间的单一高介电材料区域（电介质）。没有提及在通孔与主电介质之间还存在额外的“第二电介质”层。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征V**：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。<br>《未公开》 | 无相应内容。 | 对比文件虽然提到了通过通孔连接多层导体以形成线圈，但并未具体描述“通孔在基板内结合”这种结构（即盲孔在基板内部相互连接）。也未明确限定多通孔电感器由三个特定通孔构成。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征W**：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。<br>《未公开》 | 【００２７】...図２に示すような櫛形の電極とすることが望ましい。 | 该技术特征与特征O、Q类似，强调垂直堆叠关系。对比文件中电容器的结构是梳齿状电极并排排列，电介质填充其间，并非电容器极板和电介质“垂直位于”通孔“之上”。因此，该特定的空间位置关系未被公开。 |
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