**对比文件名称**：2011-12-01_US2011291786A_发明申请_US20110291786A1 Through Via Inductor Or Transformer In A High-Resistance Substrate With Programmability
**目标专利名称**：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
**模型名称**：专利创造性评估模型
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：包括：基板** <直接公开> | [0034] “...a high-resistance substrate 102 such as glass or sapphire.”；[0035] “Each of the plurality of through-vias 114 is coupled to a frontside conductive trace 116 on the frontside of the substrate 102 and a backside conductive trace 118 on the backside of the substrate 102.” | 对比文件明确公开了器件包括基板（substrate 102）。该基板在对比文件中是形成通孔电感器或变压器的载体。其作用与目标专利中作为器件支撑和通孔载体的基板相同。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔** <直接公开> | [0034] “A three-dimensional inductor 104 is formed in the package 100 and includes a plurality of through-vias 114.”；[0035] “Each of the plurality of through-vias 114 is coupled to a frontside conductive trace 116 on the frontside of the substrate 102 and a backside conductive trace 118 on the backside of the substrate 102.” | 对比文件中的三维电感器104由多个通孔（through-vias 114）形成。这些通孔贯穿基板（连接正面和背面），是电感器的核心组成部分。这与目标专利中“至少部分地穿过基板延伸并形成多通孔电感器一部分的通孔”作用完全一致，都是构成三维电感器的垂直导电元件。因此，该特征被直接公开。 |
| **C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构** <直接公开> | [0041] “Since the first through-via 306 is coupled to the second through-via 306 (labeled #2) by the frontside conductive trace 304, a continuous conductive path is formed between the first and second through-vias. Likewise, the third through the ninth through-vias 306 (labeled #3-#9) are coupled to one another by a plurality of backside conductive traces 302 and frontside conductive traces 304 to form a single, continuous conductive path.” | 对比文件附图3及对应描述清晰地展示了多通孔电感器的结构：多个通孔（如#1-#9）通过位于基板正面和背面的导电迹线（frontside/backside conductive traces）相互耦合，形成连续的导电路径。这些导电迹线正是设置在通孔之间、位于基板表面（上或下）的导电结构。其作用与目标专利中连接通孔以形成电感器路径的导电结构相同。因此，该特征被直接公开。 |
| **D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间** <未公开> | 对比文件全文未提及在通孔上直接形成电容器结构。对比文件中提及的电介质（如[0035]中的“frontside dielectric material 106”）是用于隔离金属层的层间介质，而非位于通孔与电容器极板之间以构成电容器的电介质。 | 目标专利的核心创新点之一在于将电容器直接集成在通孔之上，其中电介质位于通孔（或与之电连接的极板）与电容器的另一极板之间，从而减少寄生电阻。对比文件通篇描述的是由通孔和表面导电迹线构成的三维电感器或变压器，并未公开任何与通孔集成的电容器结构，更没有公开“电容器的电介质位于通孔与电容器的极板之间”这一特定构型。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外** <未公开> | （基于特征D未公开） | 由于对比文件未公开与通孔集成的电容器结构，因此自然也未能公开该电容器的极板是否位于基板以外。该特征依赖于特征D的存在。 |
| **F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构** <未公开> | （基于特征D未公开） | 对比文件未公开电容器结构，因此也就不存在电容器通过通孔耦合至第一导电结构的技术方案。 |
| **G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分** <直接公开> | [0041] “Since the first through-via 306 is coupled to the second through-via 306 (labeled #2)...Likewise, the third through the ninth through-vias 306 (labeled #3-#9) are coupled to one another...”；[0055] “The target inductor 602 having two through vias 614.” | 对比文件中的多通孔电感器（无论是目标电感器还是调谐电感器）明确由多个通孔构成。例如，图3的电感器包含#1-#9共九个通孔，图6的目标电感器602包含两个通孔614。这些通孔都至少部分地（实际上是完全）延伸穿过基板，共同构成电感器的各个部分。因此，该特征被直接公开。 |
| **H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构** <直接公开> | [0041] “...coupled to one another by a plurality of backside conductive traces 302 and frontside conductive traces 304 to form a single, continuous conductive path.” | 对比文件中的多通孔电感器通过正面导电迹线（frontside trace）和背面导电迹线（backside trace）将多个通孔串联起来。这些正面和背面的导电迹线即相当于“第一导电结构”和“第二导电结构”。它们通过通孔（如第二通孔）相互连接，共同构成了完整的电感器回路。其作用和连接关系与目标专利所述一致。因此，该特征被直接公开。 |
| **I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器** <未公开> | 对比文件未公开电容器及其极板结构。对比文件提到了电介质层（dielectric material），如[0035]中的“frontside dielectric material 106”，但其作用是隔离金属层，而非容纳电容器极板。对比文件也未明确由电感和电容构成谐振电路。 | 目标专利的特征I限定了电容器极板的具体位置（在ILD层中）以及电路功能（与电感器构成谐振电路）。对比文件既未公开电容器极板，也未提及由所述通孔电感器与电容器构成谐振电路。因此，该特征未被公开。 |
| **J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔** <直接公开> | [0034] “...a high-resistance substrate 102 such as glass or sapphire.”；[0039] “There are several ways a through-glass via can be formed...” | 对比文件明确将基板示例为玻璃（glass），并多次提及“through-glass via (TGV)”，即透玻通孔。这与目标专利的特征J完全一致。因此，该特征被直接公开。 |
| **K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板** <隐含公开> | [0034] “...a high-resistance substrate 102 such as glass or sapphire.” | 对比文件明确公开了基板为高电阻率材料，并以玻璃和蓝宝石为例。目标专利所列出的材料清单（玻璃、石英、SOI、SOS、HRS、GaAs、InP、SiC、AlN、罗杰斯层叠、塑料）均属于本领域常见的高电阻率或绝缘性基板材料。本领域技术人员在对比文件公开的“高电阻率基板（如玻璃）”的教导下，能够毫无困难地想到使用其他具有类似高电阻率特性的基板材料，以实现降低损耗的目的。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者** <直接公开> | [0035] “The plurality of through-vias 114 is formed of conductive material such as copper...”；[0036] 方法200的步骤204：“conductive material such as copper is deposited in the via”。 | 对比文件明确指出通孔由导电材料如铜（copper）形成，并在制造方法中描述了用导电材料填充通孔。铜属于目标专利所列金属之一。本领域技术人员公知，铜、钨、银、金是集成电路制造中填充通孔的常用金属材料。因此，对比文件直接公开了“金属填充型通孔”，且其公开的铜落入了目标专利所列金属范围。 |
| **M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者** <直接公开> | [0036] “The dielectric film can be silicon dioxide (SiO2), silicon oxynitride (SiON), silicon nitride (SiN), or other known dielectric material.” | 对比文件在描述沉积介电薄膜时，明确列举了二氧化硅（SiO2）、氮氧化硅（SiON）、氮化硅（SiN）等材料。这些材料均落在目标专利特征M所列举的材料范围内。其作用均为作为绝缘介质。因此，该特征被直接公开。 |
| **N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核** <未公开> | 对比文件描述的通孔填充物为导电材料如铜（[0035]），并未提及在通孔内使用包含聚合物核的金属结构。 | 目标专利的特征N涉及一种特定的通孔结构：金属结构包含聚合物核。对比文件通篇描述的是用金属（如铜）填充通孔，未给出任何关于在通孔内使用聚合物核的启示或描述。因此，该特征未被公开。 |
| **O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上** <未公开> | （基于特征D未公开） | 该特征描述了电容器垂直堆叠于通孔之上的空间位置关系，是目标专利集成结构的关键体现。由于对比文件未公开任何与通孔集成的电容器结构，因此该垂直堆叠关系自然也不存在。 |
| **P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交** <未公开> | （基于特征D、F未公开） | 该特征详细描述了电容器、通孔及导电结构三者精确的空间对齐关系。对比文件未公开电容器结构，因此这种特定的空间位置关系无法从对比文件中得出。 |
| **Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交** <未公开> | （基于特征D未公开） | 该特征限定了通孔延伸方向与电容器极板表面的垂直关系以及轴线相交关系。这同样依赖于电容器结构的存在。对比文件未公开电容器，故此特征未被公开。 |
| **R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面** <未公开> | （基于特征D未公开） | 该特征比较了通孔表面与电容器极板表面的相对尺寸。没有电容器，则不存在极板表面，无法进行此比较。 |
| **S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同** <未公开> | （基于特征D未公开） | 同特征R。 |
| **T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面** <未公开> | （基于特征D未公开） | 同特征R。 |
| **U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间** <未公开> | （基于特征D未公开） | 该特征涉及电容器的多层电介质结构。对比文件未公开电容器，因此更未公开此种具体的多层电介质构型。 |
| **V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔** <未公开> | 对比文件中描述的所有通孔（无论是目标电感器还是调谐电感器的）均是贯穿基板的“through-vias”（参见[0034], [0046]等），并未描述“部分地延伸穿过基板”并在基板内结合的盲孔结构。 | 目标专利的特征V描述了一种特定的电感器结构，包含部分穿通且在基板内结合的通孔。对比文件公开的电感器均由完全贯穿基板的通孔通过表面导电结构串联而成，未公开此种内部结合的结构。因此，该特征未被公开。 |
| **W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上** <未公开> | （基于特征D未公开） | 该特征是对特征O的另一种表述，同样强调电容器组件垂直位于通孔之上。如前所述，对比文件未公开此结构。 |
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