对比文件名称：US2004124961A1_Description_20260318_1958
目标专利名称：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
模型名称：专利创造性评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A**：包括：基板《直接公开》 | 说明书第[0022]段：“the printed inductor 1 ... comprises an insulating substrate 3 having a cavity 2” | 对比文件公开了印刷电感器1包括绝缘基板3，其构成了器件的基础支撑结构，与目标专利中基板的作用相同，均为提供机械支撑和电气隔离的平台。因此，技术特征A被直接公开。 |
| **B**：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，《隐含公开》 | 说明书第[0022]段：“a plurality of through holes 5 for sequentially and continuously connecting terminals of the printed wiring lines 4 on the top and bottom faces to each other.”； 第[0026]段：“Each through hole 5 extends outside the cavity 2 so that it passes through the insulating substrate 3 in a direction of thickness thereof.” | 对比文件公开了多个通孔5，其延伸穿过绝缘基板3的厚度方向，用于连接顶部和底部的印刷线路4的端子。这些通孔是形成螺旋线圈（即电感器）的必要组成部分。本领域技术人员可以毫无疑义地理解，由多个通孔和连接线路构成的螺旋线圈就是一个“多通孔电感器”，并且这些通孔是该电感器的一部分。因此，技术特征B被隐含公开。 |
| **C**：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构《隐含公开》 | 说明书第[0022]段：“a plurality of mutually independent printed wiring lines 4 formed on both the top and bottom faces of the insulating substrate 3”； 第[0026]段：“ends of the printed wiring lines 4 on both the top and bottom faces are sequentially and continuously connected to each other through the through holes 5.”； 附图1-4。 | 对比文件公开了在基板3的顶面和底面上形成多个相互独立的印刷线路4，并且这些印刷线路4的端部通过通孔5依次连续地连接。这些印刷线路4位于基板表面，连接在不同的通孔之间（例如，连接一个通孔和相邻的另一个通孔），构成了电感器的绕组部分。本领域技术人员能够理解，这些印刷线路即是在基板上的、连接通孔的导电结构。因此，技术特征C被隐含公开。 |
| **D**：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，《未公开》 | 说明书第[0027]段：“The printed inductor 1 ... is connected to, for example, a capacitor (not shown), which is formed on the insulating substrate 3, through the terminal portions 4a so as to construct a resonance circuit” | 对比文件仅提及印刷电感器1可以通过端子部分4a连接到（例如，形成在基板3上的）电容器以构成谐振电路，这是一种外部的、分离的连接关系。它完全没有公开如目标专利所要求保护的、电容器直接“耦合至所述通孔”且“电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间”的集成结构。目标专利的核心在于电容器直接构建在通孔之上，中间以电介质隔开，从而降低电阻。对比文件未公开这种特定的、集成的电容器结构。 |
| **E**：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 由于对比文件未公开权利要求中定义的与通孔集成耦合的电容器结构，因此自然也未能公开该电容器的极板是否在基板以外这一位置特征。 |
| **F**：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 对比文件未公开权利要求中定义的与通孔集成耦合的电容器结构，因此也就不存在电容器通过通孔耦合至第一导电结构的技术方案。 |
| **G**：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分《隐含公开》 | 说明书第[0022]段：“a plurality of through holes 5”； 附图1-4。 | 对比文件公开了“多个通孔5”。为了形成螺旋线圈（即多通孔电感器），必然需要至少两个通孔。本领域技术人员根据附图1-4及文字描述可以毫无疑义地推断，这些通孔中的至少一个可以被称为“第二通孔”，它同样至少部分地延伸穿过基板，并作为螺旋线圈（多通孔电感器）的一部分。因此，技术特征G被隐含公开。 |
| **H**：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。《隐含公开》 | 说明书第[0022]段：“printed wiring lines 4 formed on both the top and bottom faces”； 第[0026]段：“ends of the printed wiring lines 4 on both the top and bottom faces are sequentially and continuously connected to each other through the through holes 5.”； 附图1-4。 | 对比文件公开了在基板顶面和底面的印刷线路4，它们通过通孔5依次连接形成螺旋线圈。本领域技术人员可以理解，位于基板一面的印刷线路（例如顶面的一条线路）通过一个通孔连接到基板另一面的印刷线路（例如底面的一条线路），后者再通过另一个通孔连接到顶面的下一条线路。在此结构中，可以将顶面和底面的印刷线路分别视为“第一导电结构”和“第二导电结构”，它们通过通孔（包括“所述通孔”和“所述第二通孔”）相互耦合，共同构成多通孔电感器。因此，技术特征H被隐含公开。 |
| **I**：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。《未公开》 | 说明书第[0027]段：“so as to construct a resonance circuit” | 对比文件提到了电感器可以与电容器连接构成谐振电路，这公开了“谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器”的部分内容。然而，对比文件完全没有公开任何关于电容器极板位于“层间电介质(ILD)层中”的技术特征。ILD层是目标专利中用于隔离和支撑电容器极板的具体结构，在对比文件中未见描述。因此，技术特征I未被充分公开。 |
| **J**：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。《直接公开》 | 说明书第[0022]段：“The insulating substrate 3 is made of, for example, a low temperature co-fired ceramic substrate”； 第[0032]段：“the low temperature co-fired ceramic substrate 7 is used as the insulating substrate”。 | 对比文件明确公开绝缘基板3是低温共烧陶瓷（LTCC）基板。低温共烧陶瓷基板是本领域公认的一种玻璃陶瓷复合材料基板，属于“玻璃型基板”的一种常见类型。同时，形成在此类基板中的通孔5，其制造工艺（在生瓷片上穿孔并填充导电浆料后共烧）与目标专利说明书中描述的透玻通孔（TGV）技术实质相同。因此，技术特征J被直接公开。 |
| **K**：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板《未公开》 | 说明书第[0022]段：“The insulating substrate 3 is made of, for example, a low temperature co-fired ceramic substrate”。 | 对比文件仅公开了基板为低温共烧陶瓷（LTCC）基板。虽然LTCC基板属于玻璃陶瓷类，可被视为广义的“玻璃型基板”，但目标专利权利要求K具体列举了多种特定基板材料（如石英、SOI、GaAs等），形成了一个较宽的保护范围。对比文件仅公开了其中一种可能性（LTCC），并未公开权利要求K所限定的整个范围，也未教导或暗示这些列举的替代材料。因此，技术特征K未被公开。 |
| **L**：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者《直接公开》 | 说明书第[0026]段：“The through holes 5 are one wherein via holes formed in the insulating substrate 3 are filled with conductive material such as Ag or Ag/Pd”。 | 对比文件明确说明通孔5是通过在绝缘基板3中形成的通孔填充导电材料如银（Ag）或银/钯（Ag/Pd）而制成的。银（Ag）明确落入权利要求L所列举的金属范围内。因此，技术特征L被直接公开。 |
| **M**：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 对比文件未公开如目标专利权利要求D所定义的、位于通孔与电容器极板之间的电介质，因此自然也未曾公开该电介质的具体材料组成。技术特征M未被公开。 |
| **N**：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。《未公开》 | 说明书第[0026]段：“The through holes 5 are one wherein via holes formed in the insulating substrate 3 are filled with conductive material such as Ag or Ag/Pd, or one wherein the conductive material is formed on an inner wall surface of the via holes using plating.” | 对比文件公开了两种通孔结构：一种是完全填充导电材料（如Ag浆料），另一种是在通孔内壁镀覆导电材料。这两种结构均未提及通孔内部存在“聚合物核”。目标专利中具有聚合物核的金属结构（如图3所示）是一种特定的复合结构，用于提供结构支撑和降低成本。对比文件未公开此特征。 |
| **O**：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 该特征描述了电容器组件（极板和电介质）在垂直方向上与通孔表面重叠的特定空间位置关系，这是目标专利实现电容器直接集成在通孔上以降低电阻的关键结构。对比文件完全没有公开任何电容器直接位于通孔上方的结构，因此该特征未被公开。 |
| **P**：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 该特征定义了电容器、通孔和导电结构之间精确的三维空间位置关系。对比文件虽然公开了印刷线路（导电结构）在基板的两侧，以及通孔连接它们，但未公开电容器与这些元件具有如此具体的空间位置关系（电容器毗邻基板一侧，导电结构在另一侧，且三者与通孔轴线共线或相交）。因此，该特征未被公开。 |
| **Q**：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 该特征描述了通孔延伸方向与电容器极板表面垂直，并且通孔的轴与极板区域相交，这同样是电容器直接位于通孔上方的具体几何关系。对比文件未公开电容器极板，因此无法判断此关系。该特征未被公开。 |
| **R**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 该特征比较了通孔表面与电容器极板表面的相对大小。由于对比文件未公开权利要求中定义的集成电容器结构，因此该比较关系不存在。该特征未被公开。 |
| **S**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 同上，对比文件未公开集成电容器结构，因此该大小关系特征未被公开。 |
| **T**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 同上，对比文件未公开集成电容器结构，因此该大小关系特征未被公开。 |
| **U**：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 该特征涉及电容器具有多层电介质的特定结构。对比文件未公开权利要求中定义的集成电容器，更未提及其具有多层电介质。该特征未被公开。 |
| **V**：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。《未公开》 | 说明书第[0026]段：“Each through hole 5 ... passes through the insulating substrate 3 in a direction of thickness thereof.” | 对比文件中的通孔5是贯穿基板厚度的（passes through）。权利要求V限定了“第二通孔部分地延伸穿过所述基板”（即盲孔）以及通孔在基板内结合的结构（如图6所示）。对比文件未公开这种部分延伸并相互结合的通孔结构。因此，技术特征V未被公开。 |
| **W**：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。《未公开》 | 说明书第[0026]段：“Each through hole 5 extends outside the cavity 2 so that it passes through the insulating substrate 3 in a direction of thickness thereof.” | 对比文件公开了通孔5延伸穿过基板3。然而，该特征的后半部分“所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上”再次强调了电容器组件在垂直方向上与通孔重叠的集成结构，这是目标专利的核心。对比文件未公开此结构。因此，技术特征W未被公开。 |
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